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Auteur Boucenna ,A |
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Cinétique de transformation microstructurale des alliages de titane TA6V traites par laser CO2 de puissance / AMARDJIA-ADNANI, Hania
Titre : Cinétique de transformation microstructurale des alliages de titane TA6V traites par laser CO2 de puissance Type de document : texte imprimé Auteurs : AMARDJIA-ADNANI, Hania ; Boucenna ,A, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2000 Importance : 1 vol (137 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Lasers
Alliages de titane TA6VIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : DPH/0001-0007 Cinétique de transformation microstructurale des alliages de titane TA6V traites par laser CO2 de puissance [texte imprimé] / AMARDJIA-ADNANI, Hania ; Boucenna ,A, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2000 . - 1 vol (137 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Lasers
Alliages de titane TA6VIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : DPH/0001-0007 Exemplaires (7)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0001 DPH/0001-0007 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0002 DPH/0001-0007 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0003 DPH/0001-0007 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0004 DPH/0001-0007 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0005 DPH/0001-0007 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0006 DPH/0001-0007 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0007 DPH/0001-0007 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDestruction des produits des fissions a vies longues dans les réacteurs thermiques , application technétium-99 / Naima Amrani
Titre : Destruction des produits des fissions a vies longues dans les réacteurs thermiques , application technétium-99 Type de document : texte imprimé Auteurs : Naima Amrani ; Boucenna ,A Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2009 Importance : 1 vol (76 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Déchets nucléaires
Transmutation nucléaire
Transmutation du technétium-99
Code de calcule ChainSolverIndex. décimale : 530 Physique Résumé : L'une des voies envisagées pour le traitement des déchets nucléaires est la transmutation dont
le principe est basé sur la transformation de l'élément radiotoxique à vie longue par une
réaction nucléaire vers un autre élément moins radioactif ou stable. Le technétium 99 (99Tc)
de vie moyenne très longue 2.1 105 ans est présent avec une quantité significatif dans les
déchets nucléaires. Par capture neutronique, il donne le technétium -100 (100Tc) de vie
moyenne 15.8 s et qui décroît par émission d'une particule bêta (b-) pour donner le ruthénium-
100 (100Ru) stable. La transmutation du 99Tc dans les réacteurs thermiques est possible mais le
taux de transmutation évalué par le code de calcule ChainSolver est faible autour de 15.92%
pour une période à plein puissance de 579.3 jours. En nous Basant sur ces résultats on propose
le concept d’un réacteur de recherches à neutrons rapide destiné à la transmutation du
Technétium-99, avec un taux qui peut atteindre les 83%.Côte titre : DPH/0088 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/handle/123456789/2481 Destruction des produits des fissions a vies longues dans les réacteurs thermiques , application technétium-99 [texte imprimé] / Naima Amrani ; Boucenna ,A . - [S.l.] : Setif:UFA, 2009 . - 1 vol (76 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Déchets nucléaires
Transmutation nucléaire
Transmutation du technétium-99
Code de calcule ChainSolverIndex. décimale : 530 Physique Résumé : L'une des voies envisagées pour le traitement des déchets nucléaires est la transmutation dont
le principe est basé sur la transformation de l'élément radiotoxique à vie longue par une
réaction nucléaire vers un autre élément moins radioactif ou stable. Le technétium 99 (99Tc)
de vie moyenne très longue 2.1 105 ans est présent avec une quantité significatif dans les
déchets nucléaires. Par capture neutronique, il donne le technétium -100 (100Tc) de vie
moyenne 15.8 s et qui décroît par émission d'une particule bêta (b-) pour donner le ruthénium-
100 (100Ru) stable. La transmutation du 99Tc dans les réacteurs thermiques est possible mais le
taux de transmutation évalué par le code de calcule ChainSolver est faible autour de 15.92%
pour une période à plein puissance de 579.3 jours. En nous Basant sur ces résultats on propose
le concept d’un réacteur de recherches à neutrons rapide destiné à la transmutation du
Technétium-99, avec un taux qui peut atteindre les 83%.Côte titre : DPH/0088 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/handle/123456789/2481 Exemplaires (2)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0088 DPH/0088 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0283 DPH/0283 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDéveloppement et mise au point des méthodes de microanalyses nucléaires, applications aux mesurés environnementales (neutron et radon) / Abdelfattah Belafrites
Titre : Développement et mise au point des méthodes de microanalyses nucléaires, applications aux mesurés environnementales (neutron et radon) Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdelfattah Belafrites ; Boucenna ,A, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2004 Importance : 1 vol (136 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique nucléaire
Mesurés environnementales (neutron et radon)
Méthodes de microanalyses nucléaires
Méthodes de simulation
Détecteurs de rayonnements nucléaireIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : DPH/0109 Développement et mise au point des méthodes de microanalyses nucléaires, applications aux mesurés environnementales (neutron et radon) [texte imprimé] / Abdelfattah Belafrites ; Boucenna ,A, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2004 . - 1 vol (136 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique nucléaire
Mesurés environnementales (neutron et radon)
Méthodes de microanalyses nucléaires
Méthodes de simulation
Détecteurs de rayonnements nucléaireIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : DPH/0109 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0109 DPH/0109 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEffet des irradiations neutroniques sur les propriétés structurales, électriques et optiques du silicium / Osmani,Nadjet
Titre : Effet des irradiations neutroniques sur les propriétés structurales, électriques et optiques du silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Osmani,Nadjet, Auteur ; Boucenna ,A, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2019 Importance : 1 vol (72 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Silicium
Défauts
fluences neutronique
traitement thermique
propriétés électrique
propriétés optiqueIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
La majorité des composants électroniques dans le marché mondial sont à base du silicium. Il
est très utilisé dans la fabrication des composants électroniques de puissance (Diodes, Thyristors) ainsi
que dans les applications photovoltaïques.
La technique du dopage par transmutation neutronique (NTD) est la plus sollicitée pour le
dopage du silicium. Lors de son irradiation par les neutrons plusieurs types de défauts sont créés. Ces
défauts introduisent, dans le gap, des centres profonds et peu profonds, et influent sur les propriétés
électriques et optiques du semi-conducteur. Ils entraînent la dégradation des performances des
dispositifs associés.
L’amélioration de ces performances nécessite une étude approfondie des défauts, à savoir les
mécanismes de leurs générations et d’annulations, leurs structures électroniques, et leurs
caractérisations (leurs concentrations, leurs sections efficaces de capture des porteurs de charge, la
température d’annulation, …). Malgré le nombre important des travaux de recherche menés dans ce
cadre, l’étude des défauts dans les semi-conducteurs reste toujours un sujet d’intérêt scientifique et
technologique.
Ce travail concerne plus particulièrement l’étude de l’effet des défauts d’irradiation
neutronique sur les propriétés optoélectriques des échantillons de silicium dopés par transmutation
neutronique. Pour réaliser cette étude nous avons irradié deux types d’échantillons de silicium, un de
type n et l'autre de type p à différentes fluences.
La caractérisation des échantillons irradiés, que nous avons réalisé, est basée sur
l’identification des défauts d’irradiation neutronique leur évolution avec la fluence d’irradiation, la
température d’irradiation, la température de recuit et le temps de recuit. Les techniques utilisées sont :
la Diffraction des rayons X, la FTIR (Fourier Transforme Infrared spectroscopy), la mesure de la
conductivité électrique et la Photoluminescence (PL).Note de contenu :
Sommaire
Introduction générale ……………………………………………………………………1
Chapitre I : Synthèse Bibliographique
I Etat de l’art …………………………………………………………………………..4
I. Aperçus sur la physique des semi-conducteurs…………………………………………4
I.2. Définition phénoménologique des matériaux (sc)………………………..…..............4
I.2.1. Conductivité électrique………………………………………………………...4
I.2.2 Effet de la température sur la conductivité électrique………………………….5
I.3 Le silicium…………………………………………………………………………….6
I.4. Le monocristal de silicium……………………………………………………………8
I.5. Dopage des semi –conducteurs……………………………………………………….9
I.6. Dopage par Transmutation Neutronique du Silicium (DTN)………………………..10
I.6.1 Principe de la technique DTN …………………………………………………11
I.6.2 Avantages et Inconvénients de la technique DTN -Si…………………………12
I.7 Calcul théorique……………………………………………………………………….12
I.7.1 Détermination de la concentration du phosphore 31P…………………………..13
I.7.2 Détermination de la relation entre la résistivité et la fluence…………………...13
I.7.3 Estimation du temps d’irradiation……………………………………………....14
I.8. Créations des défauts par DTN dans le silicium…………………………………15
I.8.1 Génération des défauts lors de l’irradiation…………………………………….16
I.8.2. Les différents types de défauts ponctuels……………………………………...16
a. Lacune ponctuelle……………………………………………….………….16
b. L’atome interstitiel…………………………………………………………17
c. L’atome de substitution……………………………………………………18
d. Bi-lacune…………………………………………………………………..18
I.9 Mécanisme d’interaction des défauts…………………………………………………19
I.9.1 Interaction lacune V- défauts…………………………………………………….20
I.9.2 Interaction Silicium Interstitiel SiI- Défauts………………………………….......21
I.10 Les Caractéristiques et les bandes d’absorption de quelques défauts d’irradiation..22
Références ………………….…………………………………………………………23
Chapitre II : Techniques Expérimentales
II Introduction ...…………………………………………………………………………25
II.1. Procédure expérimentale………………………………………………………….....25
II.1.1 Description du réacteur ES-SALAM……………………………………………...25
II.1.2 Description des plaquettes de silicium…………………………………………......25
II.1.3 Procédure de nettoyage des pastilles de silicium…………………………………..26
II.1.4 Introduction des pastilles dans le coeur du réacteur………………………………..26
II. 2 Traitement thermique……………………………………………………………….28
II. 3 Moyens de caractérisation mis en oeuvre…………………………………………..29
II.3.1 La diffraction des rayons X (DRX)………………………………………………..29
II. 3.1.1 Principe de la loi de Bragg ………………………………………………30
II. 3. 2 La spectroscopie Raman…………………..………………………………………32
II. 3.2.1 Principales informations extraits d’un spectre Raman…………………….33
II. 3.3 Microscopie à Force Atomique (AFM) ……..……………………………………34
II. 3.4 Spectrophotométrie UV-Visibles………………………………………………….35
II. 3.5 La spectrométrie infrarouge par transformée de Fourier (FTIR)………………….37
II. 3. 6 Caractérisation électriques ……………………………………………………….38
II.3.6.1 Méthode des quatre pointes………………………………………………38
II.3.7 Méthode des spectres d’émission et d’excitation de la luminescence………….…..39
Références ………………….….………………………………………………………...41
Chapitre III : Résultats et Discussions des propriétés structurales et topographiques
des échantillons du silicium dopés par transmutation neutronique
III. Introduction…………………… ……………………………………………………43
III.1 Analyse structurale………………………………………………………………….43
III.1.1.1 Analyse par diffraction des rayons X(XRD)…………………………..43
III.1.1.2 Le paramètre de maille…………………………………………………47
III.1.2. Analyse par spectroscopie Raman………………………………………49
III.2. Analyse topographique…………………………………………………………….51
III.2.1Analyse par Microscope à Force Atomique(AFM)…… ………………...51
Références ………………….…………………………………………………………..54
Chapitre IV : Résultats et Discussions des propriétés électriques et optiques des
échantillons du silicium dopés par transmutation neutronique
IV. I Introduction ………………………………………………………………………. 56
IV.1 Caractérisation électriques………………………………………………………….56
IV.1.2 Mesure de la résistivité (Effet du temps d’irradiation)…………………..56
IV.1.3 Evolution de la résistivité en fonction de la fluence neutronique………..57
IV.1.4 Evolution de la résistivité en fonction de la température de recuit……...58
IV. 2 Caractérisation par la spectroscopie (FTIR)………………………………………..61
IV.2.1 Défauts introduits par irradiation neutronique…………………………..61
IV.2.2 Identification du centre VO (829cm-1)………………………………….62
IV.2.3 Identification du centre VO2 …………………………………………..63
IV. .3 Spectroscopie d’absorption UV-Visible…………………………………………..65
IV.3.1 Bi-lacune et le bord d’absorption……………………….…………………65
IV.4 Analyse par Photoluminescence……………………………………………...……..67
IV.4.1 L’effet de la fluence neutronique et de la température de recuit....…….67
Références ………………….…………………………………………………...……..70
Conclusion générale et perspectives…………………………………………………..Côte titre : DPH/0222 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/handle/123456789/3128 Effet des irradiations neutroniques sur les propriétés structurales, électriques et optiques du silicium [texte imprimé] / Osmani,Nadjet, Auteur ; Boucenna ,A, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (72 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Silicium
Défauts
fluences neutronique
traitement thermique
propriétés électrique
propriétés optiqueIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
La majorité des composants électroniques dans le marché mondial sont à base du silicium. Il
est très utilisé dans la fabrication des composants électroniques de puissance (Diodes, Thyristors) ainsi
que dans les applications photovoltaïques.
La technique du dopage par transmutation neutronique (NTD) est la plus sollicitée pour le
dopage du silicium. Lors de son irradiation par les neutrons plusieurs types de défauts sont créés. Ces
défauts introduisent, dans le gap, des centres profonds et peu profonds, et influent sur les propriétés
électriques et optiques du semi-conducteur. Ils entraînent la dégradation des performances des
dispositifs associés.
L’amélioration de ces performances nécessite une étude approfondie des défauts, à savoir les
mécanismes de leurs générations et d’annulations, leurs structures électroniques, et leurs
caractérisations (leurs concentrations, leurs sections efficaces de capture des porteurs de charge, la
température d’annulation, …). Malgré le nombre important des travaux de recherche menés dans ce
cadre, l’étude des défauts dans les semi-conducteurs reste toujours un sujet d’intérêt scientifique et
technologique.
Ce travail concerne plus particulièrement l’étude de l’effet des défauts d’irradiation
neutronique sur les propriétés optoélectriques des échantillons de silicium dopés par transmutation
neutronique. Pour réaliser cette étude nous avons irradié deux types d’échantillons de silicium, un de
type n et l'autre de type p à différentes fluences.
La caractérisation des échantillons irradiés, que nous avons réalisé, est basée sur
l’identification des défauts d’irradiation neutronique leur évolution avec la fluence d’irradiation, la
température d’irradiation, la température de recuit et le temps de recuit. Les techniques utilisées sont :
la Diffraction des rayons X, la FTIR (Fourier Transforme Infrared spectroscopy), la mesure de la
conductivité électrique et la Photoluminescence (PL).Note de contenu :
Sommaire
Introduction générale ……………………………………………………………………1
Chapitre I : Synthèse Bibliographique
I Etat de l’art …………………………………………………………………………..4
I. Aperçus sur la physique des semi-conducteurs…………………………………………4
I.2. Définition phénoménologique des matériaux (sc)………………………..…..............4
I.2.1. Conductivité électrique………………………………………………………...4
I.2.2 Effet de la température sur la conductivité électrique………………………….5
I.3 Le silicium…………………………………………………………………………….6
I.4. Le monocristal de silicium……………………………………………………………8
I.5. Dopage des semi –conducteurs……………………………………………………….9
I.6. Dopage par Transmutation Neutronique du Silicium (DTN)………………………..10
I.6.1 Principe de la technique DTN …………………………………………………11
I.6.2 Avantages et Inconvénients de la technique DTN -Si…………………………12
I.7 Calcul théorique……………………………………………………………………….12
I.7.1 Détermination de la concentration du phosphore 31P…………………………..13
I.7.2 Détermination de la relation entre la résistivité et la fluence…………………...13
I.7.3 Estimation du temps d’irradiation……………………………………………....14
I.8. Créations des défauts par DTN dans le silicium…………………………………15
I.8.1 Génération des défauts lors de l’irradiation…………………………………….16
I.8.2. Les différents types de défauts ponctuels……………………………………...16
a. Lacune ponctuelle……………………………………………….………….16
b. L’atome interstitiel…………………………………………………………17
c. L’atome de substitution……………………………………………………18
d. Bi-lacune…………………………………………………………………..18
I.9 Mécanisme d’interaction des défauts…………………………………………………19
I.9.1 Interaction lacune V- défauts…………………………………………………….20
I.9.2 Interaction Silicium Interstitiel SiI- Défauts………………………………….......21
I.10 Les Caractéristiques et les bandes d’absorption de quelques défauts d’irradiation..22
Références ………………….…………………………………………………………23
Chapitre II : Techniques Expérimentales
II Introduction ...…………………………………………………………………………25
II.1. Procédure expérimentale………………………………………………………….....25
II.1.1 Description du réacteur ES-SALAM……………………………………………...25
II.1.2 Description des plaquettes de silicium…………………………………………......25
II.1.3 Procédure de nettoyage des pastilles de silicium…………………………………..26
II.1.4 Introduction des pastilles dans le coeur du réacteur………………………………..26
II. 2 Traitement thermique……………………………………………………………….28
II. 3 Moyens de caractérisation mis en oeuvre…………………………………………..29
II.3.1 La diffraction des rayons X (DRX)………………………………………………..29
II. 3.1.1 Principe de la loi de Bragg ………………………………………………30
II. 3. 2 La spectroscopie Raman…………………..………………………………………32
II. 3.2.1 Principales informations extraits d’un spectre Raman…………………….33
II. 3.3 Microscopie à Force Atomique (AFM) ……..……………………………………34
II. 3.4 Spectrophotométrie UV-Visibles………………………………………………….35
II. 3.5 La spectrométrie infrarouge par transformée de Fourier (FTIR)………………….37
II. 3. 6 Caractérisation électriques ……………………………………………………….38
II.3.6.1 Méthode des quatre pointes………………………………………………38
II.3.7 Méthode des spectres d’émission et d’excitation de la luminescence………….…..39
Références ………………….….………………………………………………………...41
Chapitre III : Résultats et Discussions des propriétés structurales et topographiques
des échantillons du silicium dopés par transmutation neutronique
III. Introduction…………………… ……………………………………………………43
III.1 Analyse structurale………………………………………………………………….43
III.1.1.1 Analyse par diffraction des rayons X(XRD)…………………………..43
III.1.1.2 Le paramètre de maille…………………………………………………47
III.1.2. Analyse par spectroscopie Raman………………………………………49
III.2. Analyse topographique…………………………………………………………….51
III.2.1Analyse par Microscope à Force Atomique(AFM)…… ………………...51
Références ………………….…………………………………………………………..54
Chapitre IV : Résultats et Discussions des propriétés électriques et optiques des
échantillons du silicium dopés par transmutation neutronique
IV. I Introduction ………………………………………………………………………. 56
IV.1 Caractérisation électriques………………………………………………………….56
IV.1.2 Mesure de la résistivité (Effet du temps d’irradiation)…………………..56
IV.1.3 Evolution de la résistivité en fonction de la fluence neutronique………..57
IV.1.4 Evolution de la résistivité en fonction de la température de recuit……...58
IV. 2 Caractérisation par la spectroscopie (FTIR)………………………………………..61
IV.2.1 Défauts introduits par irradiation neutronique…………………………..61
IV.2.2 Identification du centre VO (829cm-1)………………………………….62
IV.2.3 Identification du centre VO2 …………………………………………..63
IV. .3 Spectroscopie d’absorption UV-Visible…………………………………………..65
IV.3.1 Bi-lacune et le bord d’absorption……………………….…………………65
IV.4 Analyse par Photoluminescence……………………………………………...……..67
IV.4.1 L’effet de la fluence neutronique et de la température de recuit....…….67
Références ………………….…………………………………………………...……..70
Conclusion générale et perspectives…………………………………………………..Côte titre : DPH/0222 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/handle/123456789/3128 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0222 DPH/0222 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEtats isométriques de forme et de fission à haut manient angulaire (A<100) / MEDJBAR, Salim
Titre : Etats isométriques de forme et de fission à haut manient angulaire (A<100) Type de document : texte imprimé Auteurs : MEDJBAR, Salim ; Boucenna ,A, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 1995 Importance : 1 vol (101 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Goute liquide
Surface nucléaire
Fission à haut manient angulaire (A<100)Index. décimale : 530 Physique Côte titre : MPH/0270 Etats isométriques de forme et de fission à haut manient angulaire (A<100) [texte imprimé] / MEDJBAR, Salim ; Boucenna ,A, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 1995 . - 1 vol (101 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Goute liquide
Surface nucléaire
Fission à haut manient angulaire (A<100)Index. décimale : 530 Physique Côte titre : MPH/0270 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MPH/0270 MPH/0270 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEtude par A-E-S de la regrattions du Li et du Be a la surface des alliages Ai-li et Cu-Be / Saad Belkhiat
PermalinkInspection des matériaux, reconstruction 3D et traitement humique d'images en tomographie neutronique / Fayçal Kharfi
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