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Auteur Samira Saadoun |
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Effet de l’implantation ionique de silicium sur la diffusion des atomes de Nickel / Samira Saadoun
Titre : Effet de l’implantation ionique de silicium sur la diffusion des atomes de Nickel Type de document : texte imprimé Auteurs : Samira Saadoun ; Achour Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2021 Importance : 1 vol. (35 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Nickel
Implantation ionique
Rayons XIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Le présent travail porte sur l'effet de la présence de l'yttrium, implanter dans le substrat de silicium par implantation ionique avec une dose de 2x1017 Y+/cm2 et une énergie égale à 195 kev, sur la formation des siliciure de nickel. Nous commençons d'abord par l’étude de système binaire Ni(50nm)/Si(100) lors des différents traitement thermiques. par la suite nous avons étudies le système Ni(50nm)/SiY(2x1017Y+/cm2)/(111)
Nous avons utilisé la diffraction des rayons X in situ pour la caractérisation structurales et à l’étude de croissance et consommation de Ni dans le Si.
Les résultats obtenus par DRX montrent que l'implantation de l'yttrium dans le substrat de silicium a une infuence sur la formation des siliciures de nickel.Côte titre : MAPH/0468 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1GIkavqzO7wqEo17MOfCBDwpPgyL8m3nH/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Effet de l’implantation ionique de silicium sur la diffusion des atomes de Nickel [texte imprimé] / Samira Saadoun ; Achour Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2021 . - 1 vol. (35 f.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Nickel
Implantation ionique
Rayons XIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Le présent travail porte sur l'effet de la présence de l'yttrium, implanter dans le substrat de silicium par implantation ionique avec une dose de 2x1017 Y+/cm2 et une énergie égale à 195 kev, sur la formation des siliciure de nickel. Nous commençons d'abord par l’étude de système binaire Ni(50nm)/Si(100) lors des différents traitement thermiques. par la suite nous avons étudies le système Ni(50nm)/SiY(2x1017Y+/cm2)/(111)
Nous avons utilisé la diffraction des rayons X in situ pour la caractérisation structurales et à l’étude de croissance et consommation de Ni dans le Si.
Les résultats obtenus par DRX montrent que l'implantation de l'yttrium dans le substrat de silicium a une infuence sur la formation des siliciures de nickel.Côte titre : MAPH/0468 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1GIkavqzO7wqEo17MOfCBDwpPgyL8m3nH/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0468 MAPH/0468 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
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