University Sétif 1 FERHAT ABBAS Faculty of Sciences
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Titre : Influence de la concentration du Sn sur la phase CZTS Type de document : texte imprimé Auteurs : Ferhat,Zeyneb, Auteur ; Boudissa,M, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2018 Importance : 1 vol (40 f) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Kesterite
CZTS
couches minces
absorbeur,
spray pyrolyse
DRX
phases secondaires
cellule solaire,Index. décimale : 530 Physique Résumé : La kesterite Cu2ZnSnS4 (CZTS) est un semi-conducteur de type p composé d'éléments
abondants et non toxiques. Utilisé comme absorbeur dans CS. dotés de bonnes propriétés
physiques (énergie de bande interdite 1.4-1.6 eV )
le travail présente le dépôt de couches minces de Cu2ZnSnS4 (CZTS) et
Cu2Zn1+xSn1xS4 par spray pyrolyse et d’investiguer l’influence de la concentration du Sn sur la
phase CZTS.Ces couches sont analysées par diverses techniques de caractérisations, Les
diverses analyses des films CZTS déposés ont montré que les propriétés fondamentales
dépendent des conditions opératoires. les spectres de DRX ont montré que les films obtenus
présentent une coexistence d’une phase cristalline de CZTS d’orientation préférentielle
suivant la direction (112) et des phases secondaires . La valeur du gap optique varie de 1.94 Ã
1.99 eV. Ces matériaux sont des bon candidats d’etre utilisé autant que couche absorbante
dans les cellules solaire.Note de contenu :
Sommaire
Introduction générale 1
CHAPITRE I Généralités sur la Kesterite CZTS
I.1 les semi-conducteurs 3
I.1.1 Semi-conducteur intrinsèque 3
I.1.2 semi-conducteur extrinsèque 4
I.1.2.a. Semi-conducteurs de type n 4
I.1.2.b. Semi-conducteurs de type p 4
I.2 La Kesterite (Cu2ZnSnS4) 5
I.3 Les propriétés du (Cu2ZnSnS4) 5
I.3.1 Propriétés structurales 5
I.3.2 Propriétés optiques 7
I3.3 Propriétés électriques 7
CHAPITRE II Techniques d’élaboration
II.1 Notion de couche mince 9
II.2 Mécanismes de dépôt des couches minces 9
II.3 Procédé physique 9
II.3.1 La pulvérisation cathodique 10
II.4 procédé chimique 10
II.4.1 Spray Pyrolyse 10
II.4.1.1 Réaction Chimique sur le substrat (dépôt) 12
II.4.2 Sol-gel 13
II.4.2.1.Réactions mises en jeu 14
II.4.2.2Dépôt des couches minces par dip coating 14
CHAPITRE III les Techniques De Caractérisations
III.1.Diffraction des rayons X (DRX) 15
III.1.1.Principe 15
III.1.2.Détermination de la taille des grains 17
III.2.Microscope à Force Atomique (AFM) 17
III.3.La spectroscopie Raman 18
III.4.Spectrophotomètre UV-VIS 19
III.5.Spectroscopie d’absorption infrarouge 19
III.6. Spectrométrie de fluorescence X 20
III.7.Méthodes des quatre pointes 20
CHAPITRE IV Résultats Et Discussions
IV.1.Préparation de la solution CZTS 22
IV.2.Préparation de la solution Cu2Zn1+xSn1+xS4 22
IV.3.Nettoyage des substrats 23
IV.4.Dépôt des couches 24
IV.5.Analyses compositionnelles 24
IV.5.1 Analyse par Spectrométrie de fluorescence X (XRF) 24
IV. 6 Analyses structurales 25
IV.6.1 Analyses pat diffraction des rayons X (DRX) 25
IV.6.2 Paramètre de maille el la taille des grains 28
IV.6.3 Analyse par spectroscopie Raman 29
IV.6 .4 Analyse de la morphologique 30
IV.7 Caractérisations optiques 31
IV.7.1 Gap optique 33
IV.7.2 Spectroscopie infrarouge 34
IV.8 Propriétés électriques 35
Conclusion générale 36
Références 38Côte titre : MAPH/0267 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1OQ6AbcoLeIR5oTF20I9AgikwduU_ok1K/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Influence de la concentration du Sn sur la phase CZTS [texte imprimé] / Ferhat,Zeyneb, Auteur ; Boudissa,M, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2018 . - 1 vol (40 f) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Kesterite
CZTS
couches minces
absorbeur,
spray pyrolyse
DRX
phases secondaires
cellule solaire,Index. décimale : 530 Physique Résumé : La kesterite Cu2ZnSnS4 (CZTS) est un semi-conducteur de type p composé d'éléments
abondants et non toxiques. Utilisé comme absorbeur dans CS. dotés de bonnes propriétés
physiques (énergie de bande interdite 1.4-1.6 eV )
le travail présente le dépôt de couches minces de Cu2ZnSnS4 (CZTS) et
Cu2Zn1+xSn1xS4 par spray pyrolyse et d’investiguer l’influence de la concentration du Sn sur la
phase CZTS.Ces couches sont analysées par diverses techniques de caractérisations, Les
diverses analyses des films CZTS déposés ont montré que les propriétés fondamentales
dépendent des conditions opératoires. les spectres de DRX ont montré que les films obtenus
présentent une coexistence d’une phase cristalline de CZTS d’orientation préférentielle
suivant la direction (112) et des phases secondaires . La valeur du gap optique varie de 1.94 Ã
1.99 eV. Ces matériaux sont des bon candidats d’etre utilisé autant que couche absorbante
dans les cellules solaire.Note de contenu :
Sommaire
Introduction générale 1
CHAPITRE I Généralités sur la Kesterite CZTS
I.1 les semi-conducteurs 3
I.1.1 Semi-conducteur intrinsèque 3
I.1.2 semi-conducteur extrinsèque 4
I.1.2.a. Semi-conducteurs de type n 4
I.1.2.b. Semi-conducteurs de type p 4
I.2 La Kesterite (Cu2ZnSnS4) 5
I.3 Les propriétés du (Cu2ZnSnS4) 5
I.3.1 Propriétés structurales 5
I.3.2 Propriétés optiques 7
I3.3 Propriétés électriques 7
CHAPITRE II Techniques d’élaboration
II.1 Notion de couche mince 9
II.2 Mécanismes de dépôt des couches minces 9
II.3 Procédé physique 9
II.3.1 La pulvérisation cathodique 10
II.4 procédé chimique 10
II.4.1 Spray Pyrolyse 10
II.4.1.1 Réaction Chimique sur le substrat (dépôt) 12
II.4.2 Sol-gel 13
II.4.2.1.Réactions mises en jeu 14
II.4.2.2Dépôt des couches minces par dip coating 14
CHAPITRE III les Techniques De Caractérisations
III.1.Diffraction des rayons X (DRX) 15
III.1.1.Principe 15
III.1.2.Détermination de la taille des grains 17
III.2.Microscope à Force Atomique (AFM) 17
III.3.La spectroscopie Raman 18
III.4.Spectrophotomètre UV-VIS 19
III.5.Spectroscopie d’absorption infrarouge 19
III.6. Spectrométrie de fluorescence X 20
III.7.Méthodes des quatre pointes 20
CHAPITRE IV Résultats Et Discussions
IV.1.Préparation de la solution CZTS 22
IV.2.Préparation de la solution Cu2Zn1+xSn1+xS4 22
IV.3.Nettoyage des substrats 23
IV.4.Dépôt des couches 24
IV.5.Analyses compositionnelles 24
IV.5.1 Analyse par Spectrométrie de fluorescence X (XRF) 24
IV. 6 Analyses structurales 25
IV.6.1 Analyses pat diffraction des rayons X (DRX) 25
IV.6.2 Paramètre de maille el la taille des grains 28
IV.6.3 Analyse par spectroscopie Raman 29
IV.6 .4 Analyse de la morphologique 30
IV.7 Caractérisations optiques 31
IV.7.1 Gap optique 33
IV.7.2 Spectroscopie infrarouge 34
IV.8 Propriétés électriques 35
Conclusion générale 36
Références 38Côte titre : MAPH/0267 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1OQ6AbcoLeIR5oTF20I9AgikwduU_ok1K/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0267 MAPH/0267 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleInfluence de la densité de puissance sur les propriétés physique des couches minces de ZnO dopé / Mohamed Bouzidi
Titre : Influence de la densité de puissance sur les propriétés physique des couches minces de ZnO dopé Type de document : texte imprimé Auteurs : Mohamed Bouzidi, Auteur ; Ammar Mosbah, Auteur Année de publication : 2022 Importance : 1 vol (35 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Oxyde transparent conducteur Index. décimale : 530 Physique Résumé :
L'oxyde de zinc dopé en aluminium (ZnO:Al) a connu une attention particulière comme étant
un très bon oxyde transparent conducteur pour des applications photovoltaïques. Dans ce
travail, des films ZnO:Al ont été déposés sur des substrats en verre et en Si par pulvérisation
magnétron en courant continu. L’influence de la densité de puissance sur les propriétés
structurales, optiques, électriques, et morphologiques des films ZnO:Al a été étudiée. Les
résultats obtenus indiquent que tous les films ZnO:Al présentent une structure hexagonale
avec une orientation préférentielle suivant l'axe c. Les caractérisations optiques, électriques et
morphologiques ont révélé que la densité de puissance a une forte influence sur les propriétés
optiques, électriques et la microstructure des films ZnO:Al. Les films ZnO:Al sont fortement
transparents dans la gamme du visible avec une transparence moyenne supérieure à 80%. La
résistivité minimale atteinte est de 0,1262 Ω.cmNote de contenu :
Sommaire
Introduction générale .............................................................................................................. 1
Chapitre I. Recherche bibliographique ................................................................................. 3
I .1. C’est quoi ZnO .............................................................................................................. 3
I.2. Techniques d’élaborations des couches minces .......................................................... 4
I.2.1 Processus chimique .................................................................................................... 5
I.2.2 Processus physique .................................................................................................... 7
I.3. Dopage du ZnO .............................................................................................................. 9
I.3.1. Dopage type n du ZnO .............................................................................................. 9
I.3.2. Dopage type p du ZnO : ............................................................................................ 9
I.4. Quelques applications des couches minces de ZnO .................................................. 10
I.4.1. Application aux cellules solaires : .......................................................................... 10
I.4.2. Applications optoélectroniques : ............................................................................ 11
I.4.3. Capteur de gaz : ...................................................................................................... 11
Chapitre II. Elaboration et Caractérisations ...................................................................... 12
II.1. Préparation des substrats .......................................................................................... 12
II.2. Dépôt par pulvérisation cathodique ......................................................................... 13
II.3. Techniques de caractérisation : ................................................................................ 13
II.3.1. Caractérisations structurales .................................................................................. 13
II.3.2. Caractérisation morphologique ............................................................................. 16
II.3.3. Caractérisation optique .......................................................................................... 18
II.3.4. Caractérisation électrique ...................................................................................... 20
Chapitre III. Résultats expérimentaux et discussions ........................................................ 22
III.1. Propriétés structurales ............................................................................................. 22
III.2. Propriétés morphologiques ..................................................................................
III.3. Propriétés optiques ................................................................................................... 27
III.3.1 Transmittance ........................................................................................................ 27
III.3.2 Gap optique ........................................................................................................... 28
III.4. Propriétés électriques ............................................................................................... 30
Conclusion générale ......................................................................... Erreur ! Signet non défini.
Liste des références ................................................................................................................ 33Côte titre : MAPH/0529 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1ANWPn_0Uq5T5liT1Fx7CTC8khXeNBRzJ/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Influence de la densité de puissance sur les propriétés physique des couches minces de ZnO dopé [texte imprimé] / Mohamed Bouzidi, Auteur ; Ammar Mosbah, Auteur . - 2022 . - 1 vol (35 f.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique Mots-clés : Oxyde transparent conducteur Index. décimale : 530 Physique Résumé :
L'oxyde de zinc dopé en aluminium (ZnO:Al) a connu une attention particulière comme étant
un très bon oxyde transparent conducteur pour des applications photovoltaïques. Dans ce
travail, des films ZnO:Al ont été déposés sur des substrats en verre et en Si par pulvérisation
magnétron en courant continu. L’influence de la densité de puissance sur les propriétés
structurales, optiques, électriques, et morphologiques des films ZnO:Al a été étudiée. Les
résultats obtenus indiquent que tous les films ZnO:Al présentent une structure hexagonale
avec une orientation préférentielle suivant l'axe c. Les caractérisations optiques, électriques et
morphologiques ont révélé que la densité de puissance a une forte influence sur les propriétés
optiques, électriques et la microstructure des films ZnO:Al. Les films ZnO:Al sont fortement
transparents dans la gamme du visible avec une transparence moyenne supérieure à 80%. La
résistivité minimale atteinte est de 0,1262 Ω.cmNote de contenu :
Sommaire
Introduction générale .............................................................................................................. 1
Chapitre I. Recherche bibliographique ................................................................................. 3
I .1. C’est quoi ZnO .............................................................................................................. 3
I.2. Techniques d’élaborations des couches minces .......................................................... 4
I.2.1 Processus chimique .................................................................................................... 5
I.2.2 Processus physique .................................................................................................... 7
I.3. Dopage du ZnO .............................................................................................................. 9
I.3.1. Dopage type n du ZnO .............................................................................................. 9
I.3.2. Dopage type p du ZnO : ............................................................................................ 9
I.4. Quelques applications des couches minces de ZnO .................................................. 10
I.4.1. Application aux cellules solaires : .......................................................................... 10
I.4.2. Applications optoélectroniques : ............................................................................ 11
I.4.3. Capteur de gaz : ...................................................................................................... 11
Chapitre II. Elaboration et Caractérisations ...................................................................... 12
II.1. Préparation des substrats .......................................................................................... 12
II.2. Dépôt par pulvérisation cathodique ......................................................................... 13
II.3. Techniques de caractérisation : ................................................................................ 13
II.3.1. Caractérisations structurales .................................................................................. 13
II.3.2. Caractérisation morphologique ............................................................................. 16
II.3.3. Caractérisation optique .......................................................................................... 18
II.3.4. Caractérisation électrique ...................................................................................... 20
Chapitre III. Résultats expérimentaux et discussions ........................................................ 22
III.1. Propriétés structurales ............................................................................................. 22
III.2. Propriétés morphologiques ..................................................................................
III.3. Propriétés optiques ................................................................................................... 27
III.3.1 Transmittance ........................................................................................................ 27
III.3.2 Gap optique ........................................................................................................... 28
III.4. Propriétés électriques ............................................................................................... 30
Conclusion générale ......................................................................... Erreur ! Signet non défini.
Liste des références ................................................................................................................ 33Côte titre : MAPH/0529 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1ANWPn_0Uq5T5liT1Fx7CTC8khXeNBRzJ/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0529 MAPH/0529 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleInfluence des paramètres de dépôt sur les propriétés physiques de couches minces ZnO dopé Al / Nisrine Bedroune
Titre : Influence des paramètres de dépôt sur les propriétés physiques de couches minces ZnO dopé Al Type de document : texte imprimé Auteurs : Nisrine Bedroune ; Ammar Mosbah, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2021 Importance : 1 vol. (45 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Couches minces
Oxydes transparents conducteurs (TCO)
Oxyde de zinc
ZnOIndex. décimale : 530 Physique Note de contenu :
Tables des matières
Introduction générale : ........................................................................................................... 1
Chapitre I: Les oxydes transparents conducteurs (TCO) et L’oxyde de zinc.
I.1.Les oxydes transparents conducteurs (TCO) : ................................................................... 3
I.1.1.Aperçu historique des OTC : .......................................................................................3
I.1.2.Définition de TCO : ....................................................................................................3
I.1.3.Application TCO :.....................................................................................................3
I.2.L’oxyde de zinc : .............................................................................................................. 4
I.2.2.Quelque application des couches minces de ZnO : ....................................................5
I.2.2.1.Application aux cellules solaires : .........................................................................5
I.2.2.2. Applications optoélectroniques : ..........................................................................5
I.2.2.3.Capteur de gaz : ....................................................................................................6
I.2.3.Les principaux avantages du ZnO ...............................................................................6
I.3.Propriétés de Zn O :.......................................................................................................... 7
I.3.1.Propriétés structurales : ...............................................................................................7
I.3.2.Structure de bandes électronique de ZnO : ..................................................................8
I.3.3.Propriétés électriques de ZnO :. ..................................................................................9
I.3.4.Propriétés optiques : ....................................................................................................9
Chapitre II: Méthodes d’élaborations et Techniques de Caractérisation couches minces de ZnO dopé Al.
II.1. Méthodes d’élaborations des couches minces : ............................................................ 10
II.1.1. Méthodes physiques :.............................................................................................. 11
II.1.1.1. Dépôt physique en phase vapeur(PVD) : .......................................................... 11
II.1.2. Méthodes chimique : ............................................................................................... 13
II.1.2.1. Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) :......................................................... 13
II.2. Préparation des échantillons : ....................................................................................... 16
II.2.1.Couches de ZnO dopées Al déposées par pulvérisation magnétron:.......................... 16
II.2.2.Substrats utilisés :Les couches minces de ZnO : ...................................................... 17
II.3.Conditions de dépôts des couches minces de ZnO: Al : ................................................. 18
II.4. Techniques de Caractérisation couches minces de ZnO: Al : ........................................ 18
II.4.1.Caractérisation structurale :...................................................................................... 18
II.4.1.1.Difractions des rayons X : ................................................................................. 18
II.4.1.2.Principe de fonctionnement du diffractomètre : ................................................. 19
II.4.2. Caractérisation morphologique : ............................................................................. 23
II.4.2.1. Microscopie à force atomique : ......................................................................... 23
II.4.3.Caractérisation Optique : ......................................................................................... 24
II.4.3.1.spectrophotométrie UV Visible : ....................................................................... 24
II.4.3.2.Les spectres de transmission : ............................................................................ 25
II.4.4.Caractérisation électrique par la méthode de quatre points : ..................................... 26
II.4.4.1. Mesure de la résistivité par la technique quatre points : ................................... 26
Chapitre III : Résultats et discussions.
III.1. Vitesse de Croissance : ............................................................................................... 29
III.2. Propriétés structurelles : .............................................................................................. 30
III.3. Propriétés morphologiques : ........................................................................................ 33
III.4. Propriétés optiques des couches minces de ZnO:Al : ................................................... 36
III.4.a. Détermination d’énergie de Gap optique Eg : ......................................................... 37
III.4.b. Energie d’Urbach (désordre) :................................................................................ 37
III.5. Propriétés électriques : ............................................................................................. 39
Conclusion générale : .......................................................................................................... 40
Bibliographie ....................................................................................................................... 42
Côte titre : MAPH/0484 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1ZsSxEwf2ae5c_SwQCyiApnD1T6KHTB_e/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Influence des paramètres de dépôt sur les propriétés physiques de couches minces ZnO dopé Al [texte imprimé] / Nisrine Bedroune ; Ammar Mosbah, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2021 . - 1 vol. (45 f.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Couches minces
Oxydes transparents conducteurs (TCO)
Oxyde de zinc
ZnOIndex. décimale : 530 Physique Note de contenu :
Tables des matières
Introduction générale : ........................................................................................................... 1
Chapitre I: Les oxydes transparents conducteurs (TCO) et L’oxyde de zinc.
I.1.Les oxydes transparents conducteurs (TCO) : ................................................................... 3
I.1.1.Aperçu historique des OTC : .......................................................................................3
I.1.2.Définition de TCO : ....................................................................................................3
I.1.3.Application TCO :.....................................................................................................3
I.2.L’oxyde de zinc : .............................................................................................................. 4
I.2.2.Quelque application des couches minces de ZnO : ....................................................5
I.2.2.1.Application aux cellules solaires : .........................................................................5
I.2.2.2. Applications optoélectroniques : ..........................................................................5
I.2.2.3.Capteur de gaz : ....................................................................................................6
I.2.3.Les principaux avantages du ZnO ...............................................................................6
I.3.Propriétés de Zn O :.......................................................................................................... 7
I.3.1.Propriétés structurales : ...............................................................................................7
I.3.2.Structure de bandes électronique de ZnO : ..................................................................8
I.3.3.Propriétés électriques de ZnO :. ..................................................................................9
I.3.4.Propriétés optiques : ....................................................................................................9
Chapitre II: Méthodes d’élaborations et Techniques de Caractérisation couches minces de ZnO dopé Al.
II.1. Méthodes d’élaborations des couches minces : ............................................................ 10
II.1.1. Méthodes physiques :.............................................................................................. 11
II.1.1.1. Dépôt physique en phase vapeur(PVD) : .......................................................... 11
II.1.2. Méthodes chimique : ............................................................................................... 13
II.1.2.1. Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) :......................................................... 13
II.2. Préparation des échantillons : ....................................................................................... 16
II.2.1.Couches de ZnO dopées Al déposées par pulvérisation magnétron:.......................... 16
II.2.2.Substrats utilisés :Les couches minces de ZnO : ...................................................... 17
II.3.Conditions de dépôts des couches minces de ZnO: Al : ................................................. 18
II.4. Techniques de Caractérisation couches minces de ZnO: Al : ........................................ 18
II.4.1.Caractérisation structurale :...................................................................................... 18
II.4.1.1.Difractions des rayons X : ................................................................................. 18
II.4.1.2.Principe de fonctionnement du diffractomètre : ................................................. 19
II.4.2. Caractérisation morphologique : ............................................................................. 23
II.4.2.1. Microscopie à force atomique : ......................................................................... 23
II.4.3.Caractérisation Optique : ......................................................................................... 24
II.4.3.1.spectrophotométrie UV Visible : ....................................................................... 24
II.4.3.2.Les spectres de transmission : ............................................................................ 25
II.4.4.Caractérisation électrique par la méthode de quatre points : ..................................... 26
II.4.4.1. Mesure de la résistivité par la technique quatre points : ................................... 26
Chapitre III : Résultats et discussions.
III.1. Vitesse de Croissance : ............................................................................................... 29
III.2. Propriétés structurelles : .............................................................................................. 30
III.3. Propriétés morphologiques : ........................................................................................ 33
III.4. Propriétés optiques des couches minces de ZnO:Al : ................................................... 36
III.4.a. Détermination d’énergie de Gap optique Eg : ......................................................... 37
III.4.b. Energie d’Urbach (désordre) :................................................................................ 37
III.5. Propriétés électriques : ............................................................................................. 39
Conclusion générale : .......................................................................................................... 40
Bibliographie ....................................................................................................................... 42
Côte titre : MAPH/0484 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1ZsSxEwf2ae5c_SwQCyiApnD1T6KHTB_e/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0484 MAPH/0484 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleInfluence de la résistance série Rs et de la conductance d'oxyde Gox sur les caractéristiques capacité-tension et conductance -tension d'une structure MIS tunnel / Noureddine Adjeroud
Titre : Influence de la résistance série Rs et de la conductance d'oxyde Gox sur les caractéristiques capacité-tension et conductance -tension d'une structure MIS tunnel Type de document : texte imprimé Auteurs : Noureddine Adjeroud ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2001 Importance : 1 vol (71 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Structure MIS tunnel
Extraction des états d'interface
Isolant inhomogèneIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Les états d'interface jouent un rô1e capital, le plus souvent néfaste' dans le
fonctionnement des dispositifs à semi-conducteur. Aussi s'éfforce-t-on en général de
réduire leur densité le plus possible. Pour cela, il faut pouvoir évaluer leur densité' leur
répartition dans la bande interdite et, si possible, leurs caractéristiques (section efficace'
constante de temps etc.).
Cette thèse peut être résumée sous trois chapitres:Dans le premier chapitre,nous
avons rappel6 quelques aspects th6oriques concernant les semi-conducteurs et en
particulier les structures MIS-MOS. Quelques méthodes de caractérisation électriques de
ces structures ont été également présentées'
Dans le deuxième chapitre, nous avons présenté un nouveau
développé,Pour la représentation de la structure Mls tunnel.Ce
considération toutes les grandeurs électriques utilisées séparément
antérieurs, en particulier la résistance série et la conductance d'oxyde'
Dans le troisième chapitre nous avons étudié les caractéristques capacité-tension
d,une structure MIS et f influence de la conductance d'oxyde et de la résistance série sur
ces caractéristiques. La dépendance en fréquence de la conductance due aux états
d'interface a été aussi étudiée. I1 a été montré que la densité d'états d'interface est
fortement influencée par la résistance s6rie. Finalement, nous avons étudié L’effet d'un
éventuel bruit dans les caractéristiques c-v et G-V sur la précision de calcul de la
densité d'états d'interface ainsi que la constante de temps.
Côte titre : MPH/0263 Influence de la résistance série Rs et de la conductance d'oxyde Gox sur les caractéristiques capacité-tension et conductance -tension d'une structure MIS tunnel [texte imprimé] / Noureddine Adjeroud ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2001 . - 1 vol (71 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Structure MIS tunnel
Extraction des états d'interface
Isolant inhomogèneIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Les états d'interface jouent un rô1e capital, le plus souvent néfaste' dans le
fonctionnement des dispositifs à semi-conducteur. Aussi s'éfforce-t-on en général de
réduire leur densité le plus possible. Pour cela, il faut pouvoir évaluer leur densité' leur
répartition dans la bande interdite et, si possible, leurs caractéristiques (section efficace'
constante de temps etc.).
Cette thèse peut être résumée sous trois chapitres:Dans le premier chapitre,nous
avons rappel6 quelques aspects th6oriques concernant les semi-conducteurs et en
particulier les structures MIS-MOS. Quelques méthodes de caractérisation électriques de
ces structures ont été également présentées'
Dans le deuxième chapitre, nous avons présenté un nouveau
développé,Pour la représentation de la structure Mls tunnel.Ce
considération toutes les grandeurs électriques utilisées séparément
antérieurs, en particulier la résistance série et la conductance d'oxyde'
Dans le troisième chapitre nous avons étudié les caractéristques capacité-tension
d,une structure MIS et f influence de la conductance d'oxyde et de la résistance série sur
ces caractéristiques. La dépendance en fréquence de la conductance due aux états
d'interface a été aussi étudiée. I1 a été montré que la densité d'états d'interface est
fortement influencée par la résistance s6rie. Finalement, nous avons étudié L’effet d'un
éventuel bruit dans les caractéristiques c-v et G-V sur la précision de calcul de la
densité d'états d'interface ainsi que la constante de temps.
Côte titre : MPH/0263 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MPH/0263 MPH/0263 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleInitiation à la microscopie électronique par transmission : Minéralogie sciences des matériaux / C Willaime
Titre : Initiation à la microscopie électronique par transmission : Minéralogie sciences des matériaux Type de document : texte imprimé Auteurs : C Willaime, Auteur Année de publication : 1987 Importance : 1 vol (437 p.) Format : 24 cm Langues : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Côte titre : Fs/24411 Initiation à la microscopie électronique par transmission : Minéralogie sciences des matériaux [texte imprimé] / C Willaime, Auteur . - 1987 . - 1 vol (437 p.) ; 24 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Côte titre : Fs/24411 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Fs/24411 Fs/24411 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleInspection des matériaux, reconstruction 3D et traitement humique d'images en tomographie neutronique / Fayçal Kharfi
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