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Titre : L'Effet du pourcentage d'Al sur la fonction de la phase CuAlO2 Type de document : texte imprimé Auteurs : Zaoui,Fella, Auteur ; Hamici ,M, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2018 Importance : 1 vol (45 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Sol-Gel
Dip coating
Oxyde d'Aluminium Al2O3
Oxyde de
cuivre(II) CuO
l'oxyde de cuivre-Aluminium CuAlO2Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans cette étude, nous avons élaboré des couches minces de CuAlO2 et les poudres
par voie sol-gel. En utilise L'acetate de cuivre et chlorure d'Aluminium comme des
précurseurs de base.En étudiée L’effet de pourcentages d'Aluminium sur les couches
minces et les poudres . Ces couches ont été caractérisées par la DRX , L’AFM, la
spectrophotométrie UV-visible et la méthode des quatre pointes. Les résultats ont
montré que les spectres des toute les poudres préparée présentent une structure
monocliniqueÀ noter c'est que l'effet du pourcentage n'a fait changer que les intensités
des pics par diminution etnéanmoins la phase CuAlO2 répond avec un pic avec un
plan de diffraction pour x =100% ,ce pic a été observé aussi pour x=75%.et remarque
que le spectre de Al2O3 montre une mauvaise cristallinité.pour les couches minces
l'effet du pourcentages apparaitre dans la couche préparée pour x=0.75 diffracte selon
un seul pic qui est associe la phase CuAlO2avec une surface assez rugueuseLes
spectres detransmissions optiqueset le gap et les épaisseur des couches minces
desdéférents pourcentages d'Aluminium augmentent en fonction du pourcentage
d'Aluminium.Note de contenu : Sommaire
Généralités sur les Oxides métalliques
Technique Sol-Gel
Techniques deCaractérisa
Résultats et discussions
Côte titre : MAPH/0295 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1wDll2p5Ch_OjoIUhg_k5w-_zZ_zbecf4/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : L'Effet du pourcentage d'Al sur la fonction de la phase CuAlO2 [texte imprimé] / Zaoui,Fella, Auteur ; Hamici ,M, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2018 . - 1 vol (45 f.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Sol-Gel
Dip coating
Oxyde d'Aluminium Al2O3
Oxyde de
cuivre(II) CuO
l'oxyde de cuivre-Aluminium CuAlO2Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans cette étude, nous avons élaboré des couches minces de CuAlO2 et les poudres
par voie sol-gel. En utilise L'acetate de cuivre et chlorure d'Aluminium comme des
précurseurs de base.En étudiée L’effet de pourcentages d'Aluminium sur les couches
minces et les poudres . Ces couches ont été caractérisées par la DRX , L’AFM, la
spectrophotométrie UV-visible et la méthode des quatre pointes. Les résultats ont
montré que les spectres des toute les poudres préparée présentent une structure
monocliniqueÀ noter c'est que l'effet du pourcentage n'a fait changer que les intensités
des pics par diminution etnéanmoins la phase CuAlO2 répond avec un pic avec un
plan de diffraction pour x =100% ,ce pic a été observé aussi pour x=75%.et remarque
que le spectre de Al2O3 montre une mauvaise cristallinité.pour les couches minces
l'effet du pourcentages apparaitre dans la couche préparée pour x=0.75 diffracte selon
un seul pic qui est associe la phase CuAlO2avec une surface assez rugueuseLes
spectres detransmissions optiqueset le gap et les épaisseur des couches minces
desdéférents pourcentages d'Aluminium augmentent en fonction du pourcentage
d'Aluminium.Note de contenu : Sommaire
Généralités sur les Oxides métalliques
Technique Sol-Gel
Techniques deCaractérisa
Résultats et discussions
Côte titre : MAPH/0295 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1wDll2p5Ch_OjoIUhg_k5w-_zZ_zbecf4/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0295 MAPH/0295 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Effet des sandwiches Ni/M/Ni/Si sur la formation des siliciures de nickel Type de document : texte imprimé Auteurs : Ahlem Kolli, ; A Derafa, Directeur de thèse Année de publication : 2017 Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Siliciure, sandwiche, fer, molybdène, NiSi, DRX , spectrocopie Raman, résistivité
surfacique, AFM .Ingénierie des MatériauxIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce travail est d’étudier l’effet de Fe et Mo en sandwiche avec le nickel sur
la séquence, la texture et la stabilité thermique de formation des siliciures de nickel. Nous
commençons d’abord par l’étude de système binaire Ni(50nm)/Si(100), lors des différents
traitements thermiques. Par la suite, nous avons étudiés le système
Ni(25nm)/Fe(2nm)/Ni(25nm)/Si(100) et Ni(25nm)/Mo(2nm)/Ni(25nm)/Si.
Nous avons utilisé quatre techniques de caractérisation, à savoir, la diffraction des
rayons X, La spectroscopie Raman, les mesures de résistivité par la méthode des 4 pointes et
la microscopie à force atomique (AFM).
Les résultats obtenus par DRX, spectroscopie Raman et les mesures de la résistivité
surfacique montrent la stabilité thermique de la phase NiSi par l’ajout de Fe et Mo.
Cependant l’analyse par le microscope à force atomique montre la formation de MoSi2 à la
surface.
Côte titre : MAPH/0194 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1UX3jT0NHVFfn2tlDf83pR22-26CXkK8O/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Effet des sandwiches Ni/M/Ni/Si sur la formation des siliciures de nickel [texte imprimé] / Ahlem Kolli, ; A Derafa, Directeur de thèse . - 2017.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Siliciure, sandwiche, fer, molybdène, NiSi, DRX , spectrocopie Raman, résistivité
surfacique, AFM .Ingénierie des MatériauxIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce travail est d’étudier l’effet de Fe et Mo en sandwiche avec le nickel sur
la séquence, la texture et la stabilité thermique de formation des siliciures de nickel. Nous
commençons d’abord par l’étude de système binaire Ni(50nm)/Si(100), lors des différents
traitements thermiques. Par la suite, nous avons étudiés le système
Ni(25nm)/Fe(2nm)/Ni(25nm)/Si(100) et Ni(25nm)/Mo(2nm)/Ni(25nm)/Si.
Nous avons utilisé quatre techniques de caractérisation, à savoir, la diffraction des
rayons X, La spectroscopie Raman, les mesures de résistivité par la méthode des 4 pointes et
la microscopie à force atomique (AFM).
Les résultats obtenus par DRX, spectroscopie Raman et les mesures de la résistivité
surfacique montrent la stabilité thermique de la phase NiSi par l’ajout de Fe et Mo.
Cependant l’analyse par le microscope à force atomique montre la formation de MoSi2 à la
surface.
Côte titre : MAPH/0194 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1UX3jT0NHVFfn2tlDf83pR22-26CXkK8O/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0194 MAPH/0194 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEffet du substrat sur les propriétés structurales, électriques et magnétiques des couches minces de Ni déposées par pulvérisation diode dc / Brahim Ghebouli
Titre : Effet du substrat sur les propriétés structurales, électriques et magnétiques des couches minces de Ni déposées par pulvérisation diode dc Type de document : texte imprimé Auteurs : Brahim Ghebouli, Auteur ; A. Layadi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 1997 Importance : 1 vol (80 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Couches minces de Ni
Pulvérisation diode dcIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : MPH/0262 Effet du substrat sur les propriétés structurales, électriques et magnétiques des couches minces de Ni déposées par pulvérisation diode dc [texte imprimé] / Brahim Ghebouli, Auteur ; A. Layadi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 1997 . - 1 vol (80 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Couches minces de Ni
Pulvérisation diode dcIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : MPH/0262 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MPH/0262 MPH/0262 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleL'effet du taux d'oxydation sur les propriétés d'in2S3 application pour une jonction PN / Amira Bahlouli,
Titre : L'effet du taux d'oxydation sur les propriétés d'in2S3 application pour une jonction PN Type de document : texte imprimé Auteurs : Amira Bahlouli, ; Hamici M., Directeur de thèse Année de publication : 2017 Importance : 1 vol (45 f.) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : bain chimique (CBD), cellule photovoltaïque, taux d’oxydation, La phase
transite
Ingénierie des MatériauxIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Le sulfure d’indium est un composé binaire de type n, est relativement non toxique,
avec une large bande interdite de 2,0 à 3,7 eV en fonction de la méthode de préparation, et
une transmission élevée dans le spectre visible. En général, In2S3 cristallise dans la structure
tétragonale, et existe en plusieurs phases cristallines telles que α, β et γ en fonction des
conditions de préparation. Parmi ces phases, la phase β-In2S3 est la forme la plus stable à la
température ambiante, Ces différentes propriétés font de lui un excellent choix pour être
utilisé comme fenêtre optique dans la cellule photovoltaïque, pour cela nous avons utilisée
pour l’élaboration de ce matériau le procédé de bain chimique (Chemical Bath Deposition
(CBD)), En utilisant des solutions comme des précurseurs dissous dans l’eau distillée. On a
utilisé, l’InCl3 comme source d’indium, la thioacétamide comme source de soufre, et l’acide
acétique comme agent complexant, Ce travail porte sur l’étude de l’influence du taux
d’oxydation en fonction de la température de recuit, et de trouvée la phase intermédiaire
(In2S3(1-x)O3x ) ou transite entre la phase In2S3 et le In2O3 phase limite de l’oxydationCôte titre : MAPH/0192 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1lfaFHgIv0HeiGG55fjAPGWTY44A8XztA/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : L'effet du taux d'oxydation sur les propriétés d'in2S3 application pour une jonction PN [texte imprimé] / Amira Bahlouli, ; Hamici M., Directeur de thèse . - 2017 . - 1 vol (45 f.).
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : bain chimique (CBD), cellule photovoltaïque, taux d’oxydation, La phase
transite
Ingénierie des MatériauxIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Le sulfure d’indium est un composé binaire de type n, est relativement non toxique,
avec une large bande interdite de 2,0 à 3,7 eV en fonction de la méthode de préparation, et
une transmission élevée dans le spectre visible. En général, In2S3 cristallise dans la structure
tétragonale, et existe en plusieurs phases cristallines telles que α, β et γ en fonction des
conditions de préparation. Parmi ces phases, la phase β-In2S3 est la forme la plus stable à la
température ambiante, Ces différentes propriétés font de lui un excellent choix pour être
utilisé comme fenêtre optique dans la cellule photovoltaïque, pour cela nous avons utilisée
pour l’élaboration de ce matériau le procédé de bain chimique (Chemical Bath Deposition
(CBD)), En utilisant des solutions comme des précurseurs dissous dans l’eau distillée. On a
utilisé, l’InCl3 comme source d’indium, la thioacétamide comme source de soufre, et l’acide
acétique comme agent complexant, Ce travail porte sur l’étude de l’influence du taux
d’oxydation en fonction de la température de recuit, et de trouvée la phase intermédiaire
(In2S3(1-x)O3x ) ou transite entre la phase In2S3 et le In2O3 phase limite de l’oxydationCôte titre : MAPH/0192 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1lfaFHgIv0HeiGG55fjAPGWTY44A8XztA/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0192 MAPH/0192 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEffet de la température et de la pression sur les propriétés du semi-conducteur quaternaire Ga1-x InxNyAs1-y / Mustapha Boucenna
Titre : Effet de la température et de la pression sur les propriétés du semi-conducteur quaternaire Ga1-x InxNyAs1-y Type de document : texte imprimé Auteurs : Mustapha Boucenna ; N. Bouarissa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2005 Importance : 1 vol (71 f .) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Semi-conducteur quaternaire Ga1-x InxNyAs1-y Index. décimale : 530 Physique Côte titre : DPH/0043-0048 Effet de la température et de la pression sur les propriétés du semi-conducteur quaternaire Ga1-x InxNyAs1-y [texte imprimé] / Mustapha Boucenna ; N. Bouarissa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2005 . - 1 vol (71 f .).
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Semi-conducteur quaternaire Ga1-x InxNyAs1-y Index. décimale : 530 Physique Côte titre : DPH/0043-0048 Exemplaires (6)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0043 DPH/0043-0048 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0044 DPH/0043-0048 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0045 DPH/0043-0048 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0046 DPH/0043-0048 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0047 DPH/0043-0048 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0048 DPH/0043-0048 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEffet de la température et de la pression sur les propriétés du semi-conducteur quaternaire Ga1-x InxNyAs1-y / Mustapha Boucenna
PermalinkEffet de la température sur les propriétés structurales et optiques des couches minces ZnO pur et dopées à l'indium déposées sur substrats de verre / REZIG, Ali
PermalinkEffets de la géométrie et du potentiel externe sur les propriétés électroniques des puits quantiques a base d'arséniure de gallium / Manel Bouzid,
PermalinkEffets d'irradiation neutronique et ions lords sur les propriétés optiques et dimensionnelles du Y3 Ai5 O12et de la zircone stabiles / Mahmoud Izerrouken
PermalinkEffets de la nonparabolicité sur la structure électronique et les taux de diffusion des électrons par les phonons / Loubna Djenane
PermalinkPermalinkEffets de la voie d'entrée sur collision des ions lourds / Nabila Grar
PermalinkEinstein aujourd'hui
PermalinkEinstein, Newton, Poincaré / Françoise Balibar
PermalinkPermalink