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Etude électrochimique de dépôts de tartre en présence d'inhibiteurs de corrosion et oxydants / GHEZALI, Khaoula
Titre : Etude électrochimique de dépôts de tartre en présence d'inhibiteurs de corrosion et oxydants Type de document : texte imprimé Auteurs : GHEZALI, Khaoula ; Sid Ahmed Amzert, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2013 Importance : 1 vol (35 f.) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Ingénierie des Matériaux
Tartre
316L
Réduction des permanganates
techniques électrochimiques
Oxyde de manganèse
MEB
DRXIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : MAPH/0015
Etude électrochimique de dépôts de tartre en présence d'inhibiteurs de corrosion et oxydants [texte imprimé] / GHEZALI, Khaoula ; Sid Ahmed Amzert, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2013 . - 1 vol (35 f.) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Ingénierie des Matériaux
Tartre
316L
Réduction des permanganates
techniques électrochimiques
Oxyde de manganèse
MEB
DRXIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : MAPH/0015
Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0015 MAPH/0015 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEtude de l’environnement radiatif sur les satellites:Comparaison de trois modeles pour simuler les upsets / Badis Keddad
Titre : Etude de l’environnement radiatif sur les satellites:Comparaison de trois modeles pour simuler les upsets Type de document : texte imprimé Auteurs : Badis Keddad ; Malek Benslama, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2021 Importance : 1 vol. (65 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Satellites de télécommunication
Radiations ionisantes :environnement spatial
Radiations
PROFIT
BGR
BANDELIndex. décimale : 530 Physique Note de contenu :
Table des matières
• Introduction………………………………………………………………………..-1-
1. Chapitre 1 : Les satellites de télécommunication……………………………………………-5-
1.1 Introduction…………………………………………………………………………..-5-
1.2 Description d’un système de télécommunication par
Satellites …………………………………………………………………………..-5-
1.2.1 Secteur terrien ………………………………………………………….-5-
1.2.2 Secteur spatial ………………………………………………………….-6-
1.3 Définition des satellites de télécommunication ……………………………………-6-
1.3.1 Les satellites astronomiques ……………………………………………..-6-
1.3.2 Les satellites de navigation …………………………………………….-6-
1.3.3 Les satellites météorologiques ………………………………………....-6-
1.3.4 Les satellites de télécommunication ……………………………………-7-
1.3.5 Les satellites militaires …………………………………………………-7-
1.4 Constitution du satellite …………………………………………………………….-7-
1.5 Services offerts par le satellite ……………………………………………………...-8-
1.6 Les orbites suivies par les satellites…………………………………………………-9-
1.6.1 Orbites elliptiques.....................................................................................-9-
1.6.2 Orbites circulaires ……………………………………………………..-9-
1.6.3 Orbites géostationnaire……………………………………………..…-10-
2. Chapitre II : Radiations ionisantes de l’environnement Spatial ………………………...-12-
2.1 Introduction ………………………………………………………………………-12-
2.2 Radiations ionisantes de l’environnement spatial ……………………………...-12-
2.2.1 Les ceintures de radiations……………………………………………...-13-
2.2.2 Les vent solaire………………………………………………………….-15-
2.2.3 Les éruptions solaires ………………………………………………….-15-
2.2.4 Le rayonnement cosmique…………………………………………….. -16-
2.3 Flux de protons et d’ions lourds en fonction de l’orbite…………………….. .-16-
2.4 Effet des radiations sur les circuits intègres…………………………………...-18-
2.4.1 Effet de dose…………………………………………………………...-19-
2.4.2 Les évènements singuliers …………………………………………...-19-
3. Chapitre III : Effet des radiations sur les composant Électroniques…………………-20-
3.1 Introduction ……………………………………………………………………...-20-
B
3.2 Effet des radiations sur les mémoires statiques et dynamiques……………….-20-
3.2.1 Les mémoires SRAM ………………………………………………………-20-
3.2.2 Les mémoires DRAM....................................................................................-23-
3.3 Description du phénomène de SEU dans un SRAM………………………………-24-
3.4 Condition nécessaires au déclenchement du SEU………………………………..-24-
3.5 Estimation de la section efficace d’upset ………………………………………...-26-
3.5.1 SEU induit par ions lourds…………………………………………………-26-
3.5.2 SEU induit par protons ……………………………………………………..-27-
4. Chapitre IV : les modèles pour simuler les upsets ………………………………………….-35-
4.1 Introduction ……………………………………………………………………….-35-
4.2 Logiciel …………………………………………………………………………….-35-
4.3 Section efficace d’upset induit par ions lourds………………………………….-36-
4.4 Section efficace d’upset induit par proton ……………………………………...-39-
4.4.1 Application de modèle de BANDEL ………………………………………...-39-
4.4.2 Application de PROFIT …………………………………………………….-44-
4.4.3 Application de modèle BGR…………………………………………………-46-
4.4.4 Résultats des différents modèles : discussion ……………………………….-48-
• Conclusion ……………………………………………………………………..-50-
• Bibliographie……………………………………………………………………..-52-
• Annexe …………………………………………………………………………...-56-Côte titre : MAPH/0497 En ligne : https://drive.google.com/file/d/124PsdgK2abvTzjPu1o38TbHsN3KPh26_/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude de l’environnement radiatif sur les satellites:Comparaison de trois modeles pour simuler les upsets [texte imprimé] / Badis Keddad ; Malek Benslama, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2021 . - 1 vol. (65 f.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Satellites de télécommunication
Radiations ionisantes :environnement spatial
Radiations
PROFIT
BGR
BANDELIndex. décimale : 530 Physique Note de contenu :
Table des matières
• Introduction………………………………………………………………………..-1-
1. Chapitre 1 : Les satellites de télécommunication……………………………………………-5-
1.1 Introduction…………………………………………………………………………..-5-
1.2 Description d’un système de télécommunication par
Satellites …………………………………………………………………………..-5-
1.2.1 Secteur terrien ………………………………………………………….-5-
1.2.2 Secteur spatial ………………………………………………………….-6-
1.3 Définition des satellites de télécommunication ……………………………………-6-
1.3.1 Les satellites astronomiques ……………………………………………..-6-
1.3.2 Les satellites de navigation …………………………………………….-6-
1.3.3 Les satellites météorologiques ………………………………………....-6-
1.3.4 Les satellites de télécommunication ……………………………………-7-
1.3.5 Les satellites militaires …………………………………………………-7-
1.4 Constitution du satellite …………………………………………………………….-7-
1.5 Services offerts par le satellite ……………………………………………………...-8-
1.6 Les orbites suivies par les satellites…………………………………………………-9-
1.6.1 Orbites elliptiques.....................................................................................-9-
1.6.2 Orbites circulaires ……………………………………………………..-9-
1.6.3 Orbites géostationnaire……………………………………………..…-10-
2. Chapitre II : Radiations ionisantes de l’environnement Spatial ………………………...-12-
2.1 Introduction ………………………………………………………………………-12-
2.2 Radiations ionisantes de l’environnement spatial ……………………………...-12-
2.2.1 Les ceintures de radiations……………………………………………...-13-
2.2.2 Les vent solaire………………………………………………………….-15-
2.2.3 Les éruptions solaires ………………………………………………….-15-
2.2.4 Le rayonnement cosmique…………………………………………….. -16-
2.3 Flux de protons et d’ions lourds en fonction de l’orbite…………………….. .-16-
2.4 Effet des radiations sur les circuits intègres…………………………………...-18-
2.4.1 Effet de dose…………………………………………………………...-19-
2.4.2 Les évènements singuliers …………………………………………...-19-
3. Chapitre III : Effet des radiations sur les composant Électroniques…………………-20-
3.1 Introduction ……………………………………………………………………...-20-
B
3.2 Effet des radiations sur les mémoires statiques et dynamiques……………….-20-
3.2.1 Les mémoires SRAM ………………………………………………………-20-
3.2.2 Les mémoires DRAM....................................................................................-23-
3.3 Description du phénomène de SEU dans un SRAM………………………………-24-
3.4 Condition nécessaires au déclenchement du SEU………………………………..-24-
3.5 Estimation de la section efficace d’upset ………………………………………...-26-
3.5.1 SEU induit par ions lourds…………………………………………………-26-
3.5.2 SEU induit par protons ……………………………………………………..-27-
4. Chapitre IV : les modèles pour simuler les upsets ………………………………………….-35-
4.1 Introduction ……………………………………………………………………….-35-
4.2 Logiciel …………………………………………………………………………….-35-
4.3 Section efficace d’upset induit par ions lourds………………………………….-36-
4.4 Section efficace d’upset induit par proton ……………………………………...-39-
4.4.1 Application de modèle de BANDEL ………………………………………...-39-
4.4.2 Application de PROFIT …………………………………………………….-44-
4.4.3 Application de modèle BGR…………………………………………………-46-
4.4.4 Résultats des différents modèles : discussion ……………………………….-48-
• Conclusion ……………………………………………………………………..-50-
• Bibliographie……………………………………………………………………..-52-
• Annexe …………………………………………………………………………...-56-Côte titre : MAPH/0497 En ligne : https://drive.google.com/file/d/124PsdgK2abvTzjPu1o38TbHsN3KPh26_/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0497 MAPH/0497 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEtude expérimentale des invariances Cr et Cp dans les collisions proton-antiproton a très courte distance, auprès des anneaux de stockage (ISR) du CERN / Abdelhamid Ziane
Titre : Etude expérimentale des invariances Cr et Cp dans les collisions proton-antiproton a très courte distance, auprès des anneaux de stockage (ISR) du CERN Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdelhamid Ziane Editeur : université de clermont-ferrand 2 Année de publication : 1986 Importance : 1 vol (164 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique nucléaire
Proton-proton
ISR
Proton-ANTIPROTON
Inclusif
Pion
Kaon
Amplitudes relatives de voilationIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : DPH/0111 Etude expérimentale des invariances Cr et Cp dans les collisions proton-antiproton a très courte distance, auprès des anneaux de stockage (ISR) du CERN [texte imprimé] / Abdelhamid Ziane . - [S.l.] : université de clermont-ferrand 2, 1986 . - 1 vol (164 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique nucléaire
Proton-proton
ISR
Proton-ANTIPROTON
Inclusif
Pion
Kaon
Amplitudes relatives de voilationIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : DPH/0111 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0111 DPH/0111 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEtude Expérimentale du traitement thermique et thermochimique de quelques nuances d’acier / Yousra Zaaboubi
Titre : Etude Expérimentale du traitement thermique et thermochimique de quelques nuances d’acier Type de document : texte imprimé Auteurs : Yousra Zaaboubi ; T. CHIHI, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2021 Importance : 1 vol. (57 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Aciers Index. décimale : 530 Physique Résumé : Les expériences de notre projet ont été faites aux laboratoires de l'Entreprise nationale des tracteurs agricoles (ETRAG) de l'usine sise à Oued Hamimine dans la wilaya de Constantine.
Les essais ont été effectués sur des pièces de nuances 20MnCr5, 9SMn28 avec vérification de la composition chimique. Ces essais ont été complétés par des mesures de dureté VICKERS et des examens de la microstructure sur coupe de la zone traitée des pièces. On a montré par l’examen micrographique (microscope optique et MEB) que la microstructure des échantillons à l’état brute et à l’état nitruré est différente.
La structure après nitruration est constituée de deux zones distinctes .En surface on observe une couche de combinaison appelé couche blanche (par sa couleur après attaque au nittal), qui peut varier de 0 à 30 μm de profondeur. Elle est formée essentiellement de nitrures. Sous cette couche on trouve la couche de diffusion dont l’épaisseur peut évoluer suivant le temps de traitement (0.05 à 1 mm). Finalement nous avons vérifié les structures cristallines à l’aide de la diffraction des rayons X (DRX).Côte titre : MAPH/0471 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1VB2u4tN5K_9zZhOuN-ch5g3x12Go9alG/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude Expérimentale du traitement thermique et thermochimique de quelques nuances d’acier [texte imprimé] / Yousra Zaaboubi ; T. CHIHI, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2021 . - 1 vol. (57 f.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Aciers Index. décimale : 530 Physique Résumé : Les expériences de notre projet ont été faites aux laboratoires de l'Entreprise nationale des tracteurs agricoles (ETRAG) de l'usine sise à Oued Hamimine dans la wilaya de Constantine.
Les essais ont été effectués sur des pièces de nuances 20MnCr5, 9SMn28 avec vérification de la composition chimique. Ces essais ont été complétés par des mesures de dureté VICKERS et des examens de la microstructure sur coupe de la zone traitée des pièces. On a montré par l’examen micrographique (microscope optique et MEB) que la microstructure des échantillons à l’état brute et à l’état nitruré est différente.
La structure après nitruration est constituée de deux zones distinctes .En surface on observe une couche de combinaison appelé couche blanche (par sa couleur après attaque au nittal), qui peut varier de 0 à 30 μm de profondeur. Elle est formée essentiellement de nitrures. Sous cette couche on trouve la couche de diffusion dont l’épaisseur peut évoluer suivant le temps de traitement (0.05 à 1 mm). Finalement nous avons vérifié les structures cristallines à l’aide de la diffraction des rayons X (DRX).Côte titre : MAPH/0471 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1VB2u4tN5K_9zZhOuN-ch5g3x12Go9alG/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0471 MAPH/0471 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Etude de formation des siliciures de l’alliage Pd-Ge Type de document : texte imprimé Auteurs : Kadri, Khalissa, Auteur ; A Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2019 Importance : 1 vol (32 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans ce travaille, nous avons étudié la nature des phases qui se forment lors de la réaction du film métallique de Pd10nm/PdGe40nm avec un substrat de silicium subi à un recuit thermique rapide (RTP) déposées par pulvérisation cathodique. Cette étude a été réalisé principalement en utilisant les techniques de caractérisation suivantes : la diffraction des rayons X (DRX), microscopie à force atomique (AFM), microscopie électronique à balayage (MEB), analyse dispersion d’énergie des rayons X (EDX).
Les résultats obtenus par DRX montrent que le traitement thermique à 400°C conduit à la formation des phases Pd2Si et Pd2Ge. Ce qui indique qu’une réaction a consommé totalement le PdGe et a engendré la formation d’autres siliciures plus stables.Note de contenu : Sommaire
Introduction générale .............................................................................................................. 1
Chapitre I : Généralités sur les réactions métal/ silicium
I.1. Introduction ...................................................................................................................... 2
I.2. Formation des siliciures ................................................................................................... 2
I.2.1 La germination ................................................................................................................... 4
I.2.2. Rappel sur la diffusion ...................................................................................................... 5
I.2.3 Cinétique de croissance des siliciures ................................................................................ 5
I.3. Propriétés des siliciures de palladium .............................................................................. 6
I.3.1. Diagramme de phase Pd-Si ............................................................................................... 6
I.3.2. Formation des siliciures de palladium en filme minces .................................................... 7
I.4. Application de PdSi dans l’industrie ................................................................................ 8
I.4.1. Constitution d’un MOSFET .............................................................................................. 8
I.4.2. principe de fonctionnement ............................................................................................... 9
I.4.3. Différents type de construction ....................................................................................... 11
I.4.4. Le procédé SALICIDE : autoalignement du siliciure ..................................................... 11
I.5. Effet des éléments d’alliages sur la siliciuration ............................................................ 13
Chapitre II : Techniques expérimentale utilisées
II.1. Introduction ................................................................................................................... 14
II.2. Techniques d’élaboration des couches minces ............................................................. 14
II.2.1. Nettoyage du substrat .................................................................................................... 14
II.2.2. Pulvérisation cathodique ................................................................................................ 14
II.2.2.1. Principe de pulvérisation cathodique .......................................................................... 14
II.2.2.2. Dispositif expérimental ............................................................................................... 15
II.2.3. Recuit thermique rapide ................................................................................................. 16
II.3. Caractérisation structurale ............................................................................................ 17
II.3.1. Diffraction des rayons X (DRX) ................................................................................... 17
II.3.2. Dispositif de diffraction ................................................................................................. 18
II.4. Caractérisation morphologique ..................................................................................... 20
II.4.1. Microscope à force atomique (AFM) ............................................................................ 20
II.4.2. Microscope électronique à balayage (MEB) ................................................................. 21
II.4.3. Analyse EDX (Energy dispersives (x-ray) spectrometry) ............................................. 22
Chapitre III : Résultats expérimentaux et interprétation
III.1.Introduction .................................................................................................................. 23
III.2 Analyse structurale par diffraction des rayons X (DRX) ............................................. 23
III.2.1. Systèmes Pd10nm/PdGe40nm/Si(100) avant recuit thermique ................................... 23
III.2.2. Systèmes Pd10nm/PdGe40nm/Si(100) après recuit thermique ................................... 25
III.2.3. Paramètres de maille et taille des grains ...................................................................... 27
III.3. Caractérisation morphologique .................................................................................... 29
III.3.1. Microscope à force atomique (AFM) .......................................................................... 29
III.3.2. étude morphologie par MEB et analyse par EDX ........................................................ 30
Conclusion générale ................................................................................................................. 32
Annexes……………………….…………………………………………………………………………………………………………..…….33
Références ................................................................................................................................ 41Côte titre : MAPH/0304 En ligne : https://drive.google.com/file/d/10kawMaRVjI0mrtFl_n9hyjX1u1sQVDbh/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude de formation des siliciures de l’alliage Pd-Ge [texte imprimé] / Kadri, Khalissa, Auteur ; A Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (32 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans ce travaille, nous avons étudié la nature des phases qui se forment lors de la réaction du film métallique de Pd10nm/PdGe40nm avec un substrat de silicium subi à un recuit thermique rapide (RTP) déposées par pulvérisation cathodique. Cette étude a été réalisé principalement en utilisant les techniques de caractérisation suivantes : la diffraction des rayons X (DRX), microscopie à force atomique (AFM), microscopie électronique à balayage (MEB), analyse dispersion d’énergie des rayons X (EDX).
Les résultats obtenus par DRX montrent que le traitement thermique à 400°C conduit à la formation des phases Pd2Si et Pd2Ge. Ce qui indique qu’une réaction a consommé totalement le PdGe et a engendré la formation d’autres siliciures plus stables.Note de contenu : Sommaire
Introduction générale .............................................................................................................. 1
Chapitre I : Généralités sur les réactions métal/ silicium
I.1. Introduction ...................................................................................................................... 2
I.2. Formation des siliciures ................................................................................................... 2
I.2.1 La germination ................................................................................................................... 4
I.2.2. Rappel sur la diffusion ...................................................................................................... 5
I.2.3 Cinétique de croissance des siliciures ................................................................................ 5
I.3. Propriétés des siliciures de palladium .............................................................................. 6
I.3.1. Diagramme de phase Pd-Si ............................................................................................... 6
I.3.2. Formation des siliciures de palladium en filme minces .................................................... 7
I.4. Application de PdSi dans l’industrie ................................................................................ 8
I.4.1. Constitution d’un MOSFET .............................................................................................. 8
I.4.2. principe de fonctionnement ............................................................................................... 9
I.4.3. Différents type de construction ....................................................................................... 11
I.4.4. Le procédé SALICIDE : autoalignement du siliciure ..................................................... 11
I.5. Effet des éléments d’alliages sur la siliciuration ............................................................ 13
Chapitre II : Techniques expérimentale utilisées
II.1. Introduction ................................................................................................................... 14
II.2. Techniques d’élaboration des couches minces ............................................................. 14
II.2.1. Nettoyage du substrat .................................................................................................... 14
II.2.2. Pulvérisation cathodique ................................................................................................ 14
II.2.2.1. Principe de pulvérisation cathodique .......................................................................... 14
II.2.2.2. Dispositif expérimental ............................................................................................... 15
II.2.3. Recuit thermique rapide ................................................................................................. 16
II.3. Caractérisation structurale ............................................................................................ 17
II.3.1. Diffraction des rayons X (DRX) ................................................................................... 17
II.3.2. Dispositif de diffraction ................................................................................................. 18
II.4. Caractérisation morphologique ..................................................................................... 20
II.4.1. Microscope à force atomique (AFM) ............................................................................ 20
II.4.2. Microscope électronique à balayage (MEB) ................................................................. 21
II.4.3. Analyse EDX (Energy dispersives (x-ray) spectrometry) ............................................. 22
Chapitre III : Résultats expérimentaux et interprétation
III.1.Introduction .................................................................................................................. 23
III.2 Analyse structurale par diffraction des rayons X (DRX) ............................................. 23
III.2.1. Systèmes Pd10nm/PdGe40nm/Si(100) avant recuit thermique ................................... 23
III.2.2. Systèmes Pd10nm/PdGe40nm/Si(100) après recuit thermique ................................... 25
III.2.3. Paramètres de maille et taille des grains ...................................................................... 27
III.3. Caractérisation morphologique .................................................................................... 29
III.3.1. Microscope à force atomique (AFM) .......................................................................... 29
III.3.2. étude morphologie par MEB et analyse par EDX ........................................................ 30
Conclusion générale ................................................................................................................. 32
Annexes……………………….…………………………………………………………………………………………………………..…….33
Références ................................................................................................................................ 41Côte titre : MAPH/0304 En ligne : https://drive.google.com/file/d/10kawMaRVjI0mrtFl_n9hyjX1u1sQVDbh/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0304 MAPH/0304 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
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