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Titre : Etude des domaines de stabilité des phases à l’état solide du système Ni Mo Si Type de document : texte imprimé Auteurs : Mokrani ,Nadjet, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2020 Importance : 1 vol (39 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique des Matériaux Index. décimale : 530 - Physique Résumé :
Dans ce travail, l'effet du Mo comme troisième élément sur la séquence et la formation du siliciure de Ni dans le système Ni (Mo) / Si (100) sont étudiés. La diffraction des rayons X, et résistivité quatre pointes ont été utilisées pour étudier la séquence des phases, la cinétique, la stabilité des intervalles des siliciures et la résistivité à basse température. Les mesures DRX montrent que la présence de l'élément Mo dans la formation de siliciure de Ni entraîne la formation de -Ni2Si et NiSi, et indiquent un changement de séquence de phase. La phase NiSi apparaît en fin de consommation de Ni en même temps que la formation de la phase δ-Ni2Si. La température de formation de la phase NiSi2 est retardée à haute température dans le cas d'une couche intermédiaire jusqu'à 2nm Mo ou jusqu'à 5% d'alliage Mo. Les mesures Rs confirment la formation d'une phase faiblement résistive. Cependant, l'ajout de 5nm Mo, comme couche intermédiaire, conduit à la suppression de toute la phase riche en Ni. À haute température, la DRX montre que la formation de phases MoSi2 a une structure hexagonale dans tous les échantillons d'intercalaire Mo ou d'alliage Mo.Côte titre : MAPH/0366 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1dL8zCSiHKHGOEroCLxgcr1yZEZLyjD17/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude des domaines de stabilité des phases à l’état solide du système Ni Mo Si [texte imprimé] / Mokrani ,Nadjet, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2020 . - 1 vol (39 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique des Matériaux Index. décimale : 530 - Physique Résumé :
Dans ce travail, l'effet du Mo comme troisième élément sur la séquence et la formation du siliciure de Ni dans le système Ni (Mo) / Si (100) sont étudiés. La diffraction des rayons X, et résistivité quatre pointes ont été utilisées pour étudier la séquence des phases, la cinétique, la stabilité des intervalles des siliciures et la résistivité à basse température. Les mesures DRX montrent que la présence de l'élément Mo dans la formation de siliciure de Ni entraîne la formation de -Ni2Si et NiSi, et indiquent un changement de séquence de phase. La phase NiSi apparaît en fin de consommation de Ni en même temps que la formation de la phase δ-Ni2Si. La température de formation de la phase NiSi2 est retardée à haute température dans le cas d'une couche intermédiaire jusqu'à 2nm Mo ou jusqu'à 5% d'alliage Mo. Les mesures Rs confirment la formation d'une phase faiblement résistive. Cependant, l'ajout de 5nm Mo, comme couche intermédiaire, conduit à la suppression de toute la phase riche en Ni. À haute température, la DRX montre que la formation de phases MoSi2 a une structure hexagonale dans tous les échantillons d'intercalaire Mo ou d'alliage Mo.Côte titre : MAPH/0366 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1dL8zCSiHKHGOEroCLxgcr1yZEZLyjD17/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0366 MAPH/0366 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEtude de dopage électrochimique des nanostructures de Cu2O par les ions Chlorures / Bouriche, r.khalil
Titre : Etude de dopage électrochimique des nanostructures de Cu2O par les ions Chlorures Type de document : texte imprimé Auteurs : Bouriche, r.khalil ; A Azizi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2017 Importance : 1vol. (49f.) Format : 30cm. Catégories : Thèses & Mémoires:Chimie Mots-clés : etude,dopage,electrochimique,nanostructures,Cu2O,ions,chlorures Résumé : L’objectif principal de ce stage est d’utiliser la technique d’électrodéposition pour élaborer des nanostructures de Cu2O type-n par dopage aux ions Cl- à partir d’un bain de sulfate de cuivre. Les mesures de Mott-Schottky montrent une conductivité de type p pour le Cu2O non dopé et dopé avec 0.01 M en Cl-, et une conduction de type n pour le Cu2O dopé avec 0.01-0.02-0.03-0.04 M de KCl. On a utilisé les mesures de photo-courant pour confirmer les résultats de M-S. L’analyse par la diffraction des rayons X (DRX) a montré que tous les échantillons ont une structure cubique et présentent une orientation préférentielle selon l’axe (111). La caractérisation morphologique des échantillons par la microscopie à force atomique (AFM) montre une modification notable de la topographie avec une augmentation de la rugosité lors du dopage. La spectroscopie UV-Vis a été utilisée pour mesurer la transmittance dans une gamme spectrale de 300 à 1100 nm et par la suite les gaps optiques sont déduits. Note de contenu : Sommaire
Liste des figures ....................................................................................................................II
Liste des tableaux .................................................................................................................. V
Introduction générale ........................................................................................................... 1
Chapitre I : Revue bibliographique
I.1 Électrodéposition ....................................................................................................4
I.1.1 Notions sur l'électrodéposition ...........................................................................4
I.1.2 Mécanisme de l’électrodéposition ......................................................................5
I.1.3 Nucléation et croissance des dépôts électrochimiques ........................................5
I.2 Les Oxydes Transparents Conducteurs (TCO) .....................................................6
I.3 Présentation de L'oxyde cuivreux Cu2O ................................................................7
I.3.1 Présentation générale .........................................................................................7
I.3.2 Cu2O type p .......................................................................................................8
I.3.3 Cu2O type n .......................................................................................................9
I.4 Techniques d'élaboration de Cu2O ........................................................................9
I.5 Dopage du Cu2O ................................................................................................... 10
Références bibliographiques ............................................................................................. 11
Chapitre II : Techniques expérimentales
II.1 Montage électrochimique ..................................................................................... 13
II.1.1 Cellule électrochimique ................................................................................... 13
II.1.2 Electrodes ....................................................................................................... 13
II.1.3 Nettoyage des substrats ................................................................................... 14
II.1.4 Préparation des solutions ................................................................................. 14
II.2 Techniques de caractérisation .............................................................................. 14
II.2.1 Voltammétrie cyclique .................................................................................... 14
II.2.2 Chronoampérométrie ....................................................................................... 15
II.2.3 Mesure de Mott-Schottky (M-S) ...................................................................... 16
II.2.4 Mesure du photo-courant ................................................................................. 17
II.2.5 Diffraction de rayons X (DRX) ....................................................................... 19
II.2.6 Microscope à force atomique (AFM) ............................................................... 20
II.2.7 Spectroscopie de l’absorption optique dans le domaine UV-Visible ................. 21
Références bibliographiques ............................................................................................. 24
Chapitre III : Résultats et Discussions
III.1 Mécanisme de l’électrodéposition de Cu2O ......................................................... 25
III.2 Caractérisation électrochimique .......................................................................... 25
III.2.1 Voltammétrie cyclique (VC) ........................................................................... 25
III.2.1.1 Stabilité du substrat .................................................................................. 25
III.2.1.2 Comportement du substrat en présence des ions Cu2+ : ............................. 26
III.2.1.3 Effet de la borne cathodique ..................................................................... 27
III.2.1.4 Influence de la vitesse de balayage ........................................................... 28
III.2.1.5 Effet de la concentration des ions de Cl- sur la cinétique de Cu2O ............. 30
III.2.2 Chronoampérométrie ....................................................................................... 30
III.2.3 Mesure de Mott-Schottky (M-S) ...................................................................... 34
III.2.4 Mesure du photo-courant ................................................................................. 37
III.3 Etude structurale par diffraction des rayons X .................................................. 38
III.4 Caractérisations morphologique par microscopie à force atomique .................. 40
III.5 Caractérisations optiques par spectrophotomètre UV-Visible ........................... 43
Références bibliographiques ............................................................................................. 49
Conclusion .......................................................................................................................... 49Côte titre : MACH/0059 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1u3NETKlVT7nEj8EZ-VO7AHgCFaMPHALM/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude de dopage électrochimique des nanostructures de Cu2O par les ions Chlorures [texte imprimé] / Bouriche, r.khalil ; A Azizi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2017 . - 1vol. (49f.) ; 30cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Chimie Mots-clés : etude,dopage,electrochimique,nanostructures,Cu2O,ions,chlorures Résumé : L’objectif principal de ce stage est d’utiliser la technique d’électrodéposition pour élaborer des nanostructures de Cu2O type-n par dopage aux ions Cl- à partir d’un bain de sulfate de cuivre. Les mesures de Mott-Schottky montrent une conductivité de type p pour le Cu2O non dopé et dopé avec 0.01 M en Cl-, et une conduction de type n pour le Cu2O dopé avec 0.01-0.02-0.03-0.04 M de KCl. On a utilisé les mesures de photo-courant pour confirmer les résultats de M-S. L’analyse par la diffraction des rayons X (DRX) a montré que tous les échantillons ont une structure cubique et présentent une orientation préférentielle selon l’axe (111). La caractérisation morphologique des échantillons par la microscopie à force atomique (AFM) montre une modification notable de la topographie avec une augmentation de la rugosité lors du dopage. La spectroscopie UV-Vis a été utilisée pour mesurer la transmittance dans une gamme spectrale de 300 à 1100 nm et par la suite les gaps optiques sont déduits. Note de contenu : Sommaire
Liste des figures ....................................................................................................................II
Liste des tableaux .................................................................................................................. V
Introduction générale ........................................................................................................... 1
Chapitre I : Revue bibliographique
I.1 Électrodéposition ....................................................................................................4
I.1.1 Notions sur l'électrodéposition ...........................................................................4
I.1.2 Mécanisme de l’électrodéposition ......................................................................5
I.1.3 Nucléation et croissance des dépôts électrochimiques ........................................5
I.2 Les Oxydes Transparents Conducteurs (TCO) .....................................................6
I.3 Présentation de L'oxyde cuivreux Cu2O ................................................................7
I.3.1 Présentation générale .........................................................................................7
I.3.2 Cu2O type p .......................................................................................................8
I.3.3 Cu2O type n .......................................................................................................9
I.4 Techniques d'élaboration de Cu2O ........................................................................9
I.5 Dopage du Cu2O ................................................................................................... 10
Références bibliographiques ............................................................................................. 11
Chapitre II : Techniques expérimentales
II.1 Montage électrochimique ..................................................................................... 13
II.1.1 Cellule électrochimique ................................................................................... 13
II.1.2 Electrodes ....................................................................................................... 13
II.1.3 Nettoyage des substrats ................................................................................... 14
II.1.4 Préparation des solutions ................................................................................. 14
II.2 Techniques de caractérisation .............................................................................. 14
II.2.1 Voltammétrie cyclique .................................................................................... 14
II.2.2 Chronoampérométrie ....................................................................................... 15
II.2.3 Mesure de Mott-Schottky (M-S) ...................................................................... 16
II.2.4 Mesure du photo-courant ................................................................................. 17
II.2.5 Diffraction de rayons X (DRX) ....................................................................... 19
II.2.6 Microscope à force atomique (AFM) ............................................................... 20
II.2.7 Spectroscopie de l’absorption optique dans le domaine UV-Visible ................. 21
Références bibliographiques ............................................................................................. 24
Chapitre III : Résultats et Discussions
III.1 Mécanisme de l’électrodéposition de Cu2O ......................................................... 25
III.2 Caractérisation électrochimique .......................................................................... 25
III.2.1 Voltammétrie cyclique (VC) ........................................................................... 25
III.2.1.1 Stabilité du substrat .................................................................................. 25
III.2.1.2 Comportement du substrat en présence des ions Cu2+ : ............................. 26
III.2.1.3 Effet de la borne cathodique ..................................................................... 27
III.2.1.4 Influence de la vitesse de balayage ........................................................... 28
III.2.1.5 Effet de la concentration des ions de Cl- sur la cinétique de Cu2O ............. 30
III.2.2 Chronoampérométrie ....................................................................................... 30
III.2.3 Mesure de Mott-Schottky (M-S) ...................................................................... 34
III.2.4 Mesure du photo-courant ................................................................................. 37
III.3 Etude structurale par diffraction des rayons X .................................................. 38
III.4 Caractérisations morphologique par microscopie à force atomique .................. 40
III.5 Caractérisations optiques par spectrophotomètre UV-Visible ........................... 43
Références bibliographiques ............................................................................................. 49
Conclusion .......................................................................................................................... 49Côte titre : MACH/0059 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1u3NETKlVT7nEj8EZ-VO7AHgCFaMPHALM/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MACH/0059 MACH/0059 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleETUDE DU DOPAGE DU SILICIUM PAR TRANSMUTATION NEUTRONIQUE DANS DES REACTEURS DE RECHERCHE / Barket, Khadidja
Titre : ETUDE DU DOPAGE DU SILICIUM PAR TRANSMUTATION NEUTRONIQUE DANS DES REACTEURS DE RECHERCHE Type de document : texte imprimé Auteurs : Barket, Khadidja, Auteur ; M. Houas, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2018 Importance : 1 vol (48 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Le dopage du Silicium par transmutation neutronique est une technique nucléaire très
intéressante pour la fabrication des composants électroniques. Il est réalisé dans un réacteur
nucléaire expérimental. Un atome dopant de Phosphore 31P est obtenu par réaction de capture de
l'isotope 30Si suivie par désintégration β-. Le dopant diminue la résistivité intrinsèque du semiconducteur
en augmentant la densité des porteurs libres à l'intérieur du matériau.
Ce travail s'inscrit dans l'étude de la transmutation des échantillons du Silicium naturel au sein de
trois réacteurs de recherche : BR2, HANARO et FRM-II à l’aide du code ChainSolver. Les
résultats obtenus nous ont permis d’interpréter et d’estimer les pe rformances du dopage dans ces
réacteurs.Note de contenu : Dédicaces Remerciements Table des
matières …………………………………………………………………………...
1 Introduction …………………………………………………………………………………
.4 Chapitre I : Le semi-conducteur « Silicium »
1.Présentation du Silicium.…………...……………………………………...…….…….
5 1.1.Atome ………………………….………………………………………………..
5 1.2.Isotopes …………………………………………….……………………………
6 1.3. Structure diamant ………………………………….……………………………
. 6 1.4. Bandes d’énergie ……………………………….……………………..................
7 2. Différents types du Silicium ………………………………………................................
8 2.1. Le Silicium monocristallin ……….…………..………….……………………….
8 2.2. Le Silicium poly-cristallin ……………….…….………….……………………..
9 2.3. Le Silicium amorphe ……………….…….……………….…………………….
10 3. Propriétés du Silicium ……….…………………….....................................................
11 3.1. Etat naturel ……..………………………….….…………………………………
11 3.2. Propriétés physiques ….……….………………………………...........................
11 a. Largeur de la bande interdite ……………………………………………………
12 b. La conductivité thermique ……………………………………………………….
13 c. La conductivité électrique………………………………………………………..
13 3.3. Propriétés chimiques.....………………………………………………………..
14 4.Le Silicium dans la nature ………….………………………………………………..
14 4.1.Silicium minéral ……………………………………………………………......
14 4.2. Silicium organique …………………………………………………………….
14 5. Utilisations et applications ……………………………………………........................
15 5.1. Les cellules solaires ……….…………………………………………………..
15
Table des matières
- 2 -
5. 2. Composants mécaniques …………………………………………….................. 15
5.3.Alliages Aluminium-Silicium.……………………………………………….... 15
5.4. Micro et nanostructure.………………………………………………………… 15
5.5. Composés.………………………………………………………………………16
Chapitre II : Dopage du Silicium par transmutation neutronique
1. Dopage des semi-conducteurs.………………………………………………………..17
1.1.Différents types de dopage ..…………………………………………………….17
a. Dopage de type N.……………………………………………………………….17
b. Dopage de type P ………………………………………………………………..18
1.2. Niveau donneur et niveau accepteur.…….……………………………………...19
2. Techniques de dopage.………………………………………………………………...19
2.1. Dopage par diffusion thermique ...……………………………………………….20
2.2. Dopage par implantation ionique ..………………………………………………20
2.3. Dopage par épitaxie ..….…………………………………………………………21
2.4. Dopage par technique laser ..…………………………………………………….21
2.5. Dopage par transmutation neutronique ...………………………………………..22
3. Technique de dopage du Silicium par transmutation neutronique……………………..22
3.1. Historique ..………………………………………………………………………22
3.2. Principe ..…………………………………………………………………………22
3.3. Limitations ………………....…………………………………………………….23
4. Détermination de la concentration du dopant.…………………………………………24
5. Relation entre la résistivité et la fluence…….………………………………………...24
6. Les avantages et les inconvénients de la technique ..…………………………………..25
Chapitre III : Simulation du dopage du Silicium dans trois réacteurs de recherche
1. Présentation des réacteurs de recherche étudiés……….………………………………26
1.1. Le réacteur « BR2 » ..…………………………………………………………….26
1.2. Le réacteur « HANARO » ..……………………………………………………...28
1.3. Le réacteur « FRM-II » ..………………………………………………………...29
Table des matières
- 3 -
2. L’outil de simulation.………………………………………………………………….30
2.1. Présentation du code de calcul ChainSolver ..…………………………………...30
2.2. Equation de Bateman ..………………………………….……………………….30
3. Les méthodes de simulation.…………………………………………………………..31
3.1. La construction de la chaîne de transmutation ..…………………………………31
3.2. Les caractéristiques initiales des échantillons du Si ..……………………………32
3.3. Les conditions d’irradiation…………………………………………………….32
3.4. Les procédures de calculs ..………………………………………………………33
4. Présentation des résultats de simulation.………………………………………………33
5. Détermination des résistivités finales du Si irradié.…………………………………...35
6. La relation entre le temps d’irradiation et la résistivité.……………………………….37
7. Le facteur de dopage du Si.……………………………………………………………39
8. Discussion des résultats.……………………………………………………………….40
Conclusion …………………………………………………………………………………..41
Liste des figures…………………………………………………………………………….42
Liste des tableaux……………………………………………………...…………………...43
Références ...……………………………………………………………………………….. 44
Résumé………………………………...……………………………………………………Côte titre : MAPH/0242 ETUDE DU DOPAGE DU SILICIUM PAR TRANSMUTATION NEUTRONIQUE DANS DES REACTEURS DE RECHERCHE [texte imprimé] / Barket, Khadidja, Auteur ; M. Houas, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2018 . - 1 vol (48 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Le dopage du Silicium par transmutation neutronique est une technique nucléaire très
intéressante pour la fabrication des composants électroniques. Il est réalisé dans un réacteur
nucléaire expérimental. Un atome dopant de Phosphore 31P est obtenu par réaction de capture de
l'isotope 30Si suivie par désintégration β-. Le dopant diminue la résistivité intrinsèque du semiconducteur
en augmentant la densité des porteurs libres à l'intérieur du matériau.
Ce travail s'inscrit dans l'étude de la transmutation des échantillons du Silicium naturel au sein de
trois réacteurs de recherche : BR2, HANARO et FRM-II à l’aide du code ChainSolver. Les
résultats obtenus nous ont permis d’interpréter et d’estimer les pe rformances du dopage dans ces
réacteurs.Note de contenu : Dédicaces Remerciements Table des
matières …………………………………………………………………………...
1 Introduction …………………………………………………………………………………
.4 Chapitre I : Le semi-conducteur « Silicium »
1.Présentation du Silicium.…………...……………………………………...…….…….
5 1.1.Atome ………………………….………………………………………………..
5 1.2.Isotopes …………………………………………….……………………………
6 1.3. Structure diamant ………………………………….……………………………
. 6 1.4. Bandes d’énergie ……………………………….……………………..................
7 2. Différents types du Silicium ………………………………………................................
8 2.1. Le Silicium monocristallin ……….…………..………….……………………….
8 2.2. Le Silicium poly-cristallin ……………….…….………….……………………..
9 2.3. Le Silicium amorphe ……………….…….……………….…………………….
10 3. Propriétés du Silicium ……….…………………….....................................................
11 3.1. Etat naturel ……..………………………….….…………………………………
11 3.2. Propriétés physiques ….……….………………………………...........................
11 a. Largeur de la bande interdite ……………………………………………………
12 b. La conductivité thermique ……………………………………………………….
13 c. La conductivité électrique………………………………………………………..
13 3.3. Propriétés chimiques.....………………………………………………………..
14 4.Le Silicium dans la nature ………….………………………………………………..
14 4.1.Silicium minéral ……………………………………………………………......
14 4.2. Silicium organique …………………………………………………………….
14 5. Utilisations et applications ……………………………………………........................
15 5.1. Les cellules solaires ……….…………………………………………………..
15
Table des matières
- 2 -
5. 2. Composants mécaniques …………………………………………….................. 15
5.3.Alliages Aluminium-Silicium.……………………………………………….... 15
5.4. Micro et nanostructure.………………………………………………………… 15
5.5. Composés.………………………………………………………………………16
Chapitre II : Dopage du Silicium par transmutation neutronique
1. Dopage des semi-conducteurs.………………………………………………………..17
1.1.Différents types de dopage ..…………………………………………………….17
a. Dopage de type N.……………………………………………………………….17
b. Dopage de type P ………………………………………………………………..18
1.2. Niveau donneur et niveau accepteur.…….……………………………………...19
2. Techniques de dopage.………………………………………………………………...19
2.1. Dopage par diffusion thermique ...……………………………………………….20
2.2. Dopage par implantation ionique ..………………………………………………20
2.3. Dopage par épitaxie ..….…………………………………………………………21
2.4. Dopage par technique laser ..…………………………………………………….21
2.5. Dopage par transmutation neutronique ...………………………………………..22
3. Technique de dopage du Silicium par transmutation neutronique……………………..22
3.1. Historique ..………………………………………………………………………22
3.2. Principe ..…………………………………………………………………………22
3.3. Limitations ………………....…………………………………………………….23
4. Détermination de la concentration du dopant.…………………………………………24
5. Relation entre la résistivité et la fluence…….………………………………………...24
6. Les avantages et les inconvénients de la technique ..…………………………………..25
Chapitre III : Simulation du dopage du Silicium dans trois réacteurs de recherche
1. Présentation des réacteurs de recherche étudiés……….………………………………26
1.1. Le réacteur « BR2 » ..…………………………………………………………….26
1.2. Le réacteur « HANARO » ..……………………………………………………...28
1.3. Le réacteur « FRM-II » ..………………………………………………………...29
Table des matières
- 3 -
2. L’outil de simulation.………………………………………………………………….30
2.1. Présentation du code de calcul ChainSolver ..…………………………………...30
2.2. Equation de Bateman ..………………………………….……………………….30
3. Les méthodes de simulation.…………………………………………………………..31
3.1. La construction de la chaîne de transmutation ..…………………………………31
3.2. Les caractéristiques initiales des échantillons du Si ..……………………………32
3.3. Les conditions d’irradiation…………………………………………………….32
3.4. Les procédures de calculs ..………………………………………………………33
4. Présentation des résultats de simulation.………………………………………………33
5. Détermination des résistivités finales du Si irradié.…………………………………...35
6. La relation entre le temps d’irradiation et la résistivité.……………………………….37
7. Le facteur de dopage du Si.……………………………………………………………39
8. Discussion des résultats.……………………………………………………………….40
Conclusion …………………………………………………………………………………..41
Liste des figures…………………………………………………………………………….42
Liste des tableaux……………………………………………………...…………………...43
Références ...……………………………………………………………………………….. 44
Résumé………………………………...……………………………………………………Côte titre : MAPH/0242 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0242 MAPH/0242 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Sorti jusqu'au 28/02/2024Etude du dosage des différents types de sol par activation neutronique / Raouf Benaziz
Titre : Etude du dosage des différents types de sol par activation neutronique Type de document : texte imprimé Auteurs : Raouf Benaziz ; Boukhenfouf,Wassila, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2013 Importance : 1 vol (39 f.) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Génie Subatomique Côte titre : MAPH/0125 Etude du dosage des différents types de sol par activation neutronique [texte imprimé] / Raouf Benaziz ; Boukhenfouf,Wassila, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2013 . - 1 vol (39 f.).
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Génie Subatomique Côte titre : MAPH/0125 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0125 MAPH/0125 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Etude de la double ionisation des bases de L’ADN par impact d’électrons Type de document : texte imprimé Auteurs : Khelladi mohamed fadil ; Abdelaziz Mansouri, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2018 Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Section efficace
Double ionisation
Impact d’électrons
Bases de l’ADNRésumé :
L’étude d'ionisation des molécules biologiques par impact d'électrons est une étape essentielle pour comprendre les dommages d'irradiation dans ces molécules et précisément dans les bases de l'ADN et l'ARN. Notre travail a consisté à calculer les sections efficaces quintuplement différentielles de double ionisation des bases de l’ADN par impact électronique. Ces calculs sont effectués en utilisant la première approximation de Born1 et les conditions expérimentales du groupe d'Orsay pour deux types d'énergie d’impact : haute énergie 5500 eV et énergie intermédiaire 500 eV. Les fonctions d’ondes des bases de l'ADN sont construites en utilisant les fonctions d'onde multicentriques obtenues à partir du programme gaussien 03. Ces fonctions d'onde multi-centres sont convertis en une expansion de fonctions de type Slater d’un seul centre. Pour l'état final, les deux électrons éjectés sont décrits par deux fonctions d'onde coulombiennes et la répulsion électron-électron est prise en compte. Les mécanismes de la double ionisation sont discutés pour chaque cas et les meilleurs choix des paramètres cinématiques et angulaires sont déterminés pour les futures expériences des autres molécules biologiques. Nous nous rappelons que les données expérimentales sur l'ionisation des systèmes biologiques sont nécessaires, par exemple dans le traitement du cancer par des ions lourds. Mots clés : section efficace, double ionisation, impact d’électrons, bases de l’ADN.Côte titre : DPH/0204 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1y22Rzr7L7J1AgXj-t5KVxEBbt3NDxtYn/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude de la double ionisation des bases de L’ADN par impact d’électrons [texte imprimé] / Khelladi mohamed fadil ; Abdelaziz Mansouri, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2018 . - ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Section efficace
Double ionisation
Impact d’électrons
Bases de l’ADNRésumé :
L’étude d'ionisation des molécules biologiques par impact d'électrons est une étape essentielle pour comprendre les dommages d'irradiation dans ces molécules et précisément dans les bases de l'ADN et l'ARN. Notre travail a consisté à calculer les sections efficaces quintuplement différentielles de double ionisation des bases de l’ADN par impact électronique. Ces calculs sont effectués en utilisant la première approximation de Born1 et les conditions expérimentales du groupe d'Orsay pour deux types d'énergie d’impact : haute énergie 5500 eV et énergie intermédiaire 500 eV. Les fonctions d’ondes des bases de l'ADN sont construites en utilisant les fonctions d'onde multicentriques obtenues à partir du programme gaussien 03. Ces fonctions d'onde multi-centres sont convertis en une expansion de fonctions de type Slater d’un seul centre. Pour l'état final, les deux électrons éjectés sont décrits par deux fonctions d'onde coulombiennes et la répulsion électron-électron est prise en compte. Les mécanismes de la double ionisation sont discutés pour chaque cas et les meilleurs choix des paramètres cinématiques et angulaires sont déterminés pour les futures expériences des autres molécules biologiques. Nous nous rappelons que les données expérimentales sur l'ionisation des systèmes biologiques sont nécessaires, par exemple dans le traitement du cancer par des ions lourds. Mots clés : section efficace, double ionisation, impact d’électrons, bases de l’ADN.Côte titre : DPH/0204 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1y22Rzr7L7J1AgXj-t5KVxEBbt3NDxtYn/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0204 DPH/0204 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
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