University Sétif 1 FERHAT ABBAS Faculty of Sciences
Catégories
Ajouter le résultat dans votre panier Affiner la recherche
Elaboration et caractérisation des nanostructures de Co-Cu obtenues par électrodéposition / NEMLA, Fatima
Titre : Elaboration et caractérisation des nanostructures de Co-Cu obtenues par électrodéposition Type de document : texte imprimé Auteurs : NEMLA, Fatima ; A Azizi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2011 Importance : 1 vol (30 F.) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Ingénierie des Matériaux
Nanostructures de Co-Cu obtenues
ElectrodépositionIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : MAPH/0008-0009 Elaboration et caractérisation des nanostructures de Co-Cu obtenues par électrodéposition [texte imprimé] / NEMLA, Fatima ; A Azizi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2011 . - 1 vol (30 F.) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Ingénierie des Matériaux
Nanostructures de Co-Cu obtenues
ElectrodépositionIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : MAPH/0008-0009 Exemplaires (2)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0009 MAPH/0008-0009 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleMAPH/0008 MAPH/0008-0009 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleElaboration et caractérisation des nanostructures de Co-Cu obtenues par électrodéposition / Fatima Nemla
Titre : Elaboration et caractérisation des nanostructures de Co-Cu obtenues par électrodéposition Type de document : texte imprimé Auteurs : Fatima Nemla Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2010/2011 Importance : 1 vol (30 f.) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Théorique Côte titre : MAPH/0121 Elaboration et caractérisation des nanostructures de Co-Cu obtenues par électrodéposition [texte imprimé] / Fatima Nemla . - [S.l.] : Setif:UFA, 2010/2011 . - 1 vol (30 f.).
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Théorique Côte titre : MAPH/0121 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0121 MAPH/121 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleElaboration et caractérisation optique des couches minces de ZnO dopé ou Co-dopé obtenues par méthode sol-gel / Maache,Ahmed
Titre : Elaboration et caractérisation optique des couches minces de ZnO dopé ou Co-dopé obtenues par méthode sol-gel Type de document : texte imprimé Auteurs : Maache,Ahmed, Auteur ; A Chergui, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2020 Importance : 1 vol (112 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : ZnO
Dopage
ImmersionIndex. décimale : 530 - Physique Résumé :
Le but de ce travail est l’élaboration des couches minces du ZnO purs et dopées ( 1-5) % au Lanthane (La) sur des substrats en verre, par la technique d’immersion (dip coating) d’une part, et l’étude de l’effet de nombre d’immersions ainsi que l’effet de dopage sur les propriétés : structurales, morphologiques, électriques et optiques des couches élaborées. D’abord, la caractérisation (DRX) des couches pures montre qu’ils sont poly cristallines, de structure wurtzite Hexagonale, dont les couches épaisses montrent les meilleures textures suivant l’axe (002). Ensuite, les spectres Raman ont confirmé les bons résultats de DRX, tandis que les spectres UV-visible montrent une bonne transparence (85% - 95%) dans le visible avec un gap optique entre 3.233 eV et 3.259 eV. Mais pour les couches dopées, les diffractogrammes (DRX) ont montrés une structure hexagonale, des grains orientés préférentiellement suivant la direction (002), et soumises à des contraintes considérables de compression (jusqu’à -3.65 GPa) sert à réduire leurs tailles cristallines (de 15.47 nm à 9.01 nm). Cependant, les images (MEB) révèlent que les couches sont composées d’un réseau de rides dues aux contraintes résultantes, sous forme des micro-tiges reparties sur leurs surfaces. Leurs densités augmentent mais leurs diamètres diminuent. Les images (AFM) ont confirment les résultats de DRX, elles montrent une croissance verticale et préférentielle des grains suivant la direction (002), aussi que les couches de ZnO pure sont constituées des grains répartis dans une structure mixte ondulée, contenant des vallées et des crêtes, avec une valeur RMS entre 6.37 nm et 0.539 nm. Mais l’analyse (UV-visible) des couches préparées, montre une grande transparence (85%-98%) dans le visible avec un gap optique altéré (de 3.212 eV a 3.246 eV).les mesures électriques exorbitent un caractère résistif, due de la collision des électrons dans les joints de grains. A cause des excellentes propriétés des films synthétisées : la mono-orientation (002), taille réduite des cristallites et la haute transparence, elles peuvent utilisées comme : fenêtre optique dans les cellules voltaïques, des substrats polarisateurs pour applications photo-catalytiques, capteur de gaz, extraction des métaux lourds (dépollution des eaux) ou dans des applications antibactériennesCôte titre : DPH/0239 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1jEfRrY4iobQS1CFpXvzDrUdSzIl7WerR/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Elaboration et caractérisation optique des couches minces de ZnO dopé ou Co-dopé obtenues par méthode sol-gel [texte imprimé] / Maache,Ahmed, Auteur ; A Chergui, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2020 . - 1 vol (112 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : ZnO
Dopage
ImmersionIndex. décimale : 530 - Physique Résumé :
Le but de ce travail est l’élaboration des couches minces du ZnO purs et dopées ( 1-5) % au Lanthane (La) sur des substrats en verre, par la technique d’immersion (dip coating) d’une part, et l’étude de l’effet de nombre d’immersions ainsi que l’effet de dopage sur les propriétés : structurales, morphologiques, électriques et optiques des couches élaborées. D’abord, la caractérisation (DRX) des couches pures montre qu’ils sont poly cristallines, de structure wurtzite Hexagonale, dont les couches épaisses montrent les meilleures textures suivant l’axe (002). Ensuite, les spectres Raman ont confirmé les bons résultats de DRX, tandis que les spectres UV-visible montrent une bonne transparence (85% - 95%) dans le visible avec un gap optique entre 3.233 eV et 3.259 eV. Mais pour les couches dopées, les diffractogrammes (DRX) ont montrés une structure hexagonale, des grains orientés préférentiellement suivant la direction (002), et soumises à des contraintes considérables de compression (jusqu’à -3.65 GPa) sert à réduire leurs tailles cristallines (de 15.47 nm à 9.01 nm). Cependant, les images (MEB) révèlent que les couches sont composées d’un réseau de rides dues aux contraintes résultantes, sous forme des micro-tiges reparties sur leurs surfaces. Leurs densités augmentent mais leurs diamètres diminuent. Les images (AFM) ont confirment les résultats de DRX, elles montrent une croissance verticale et préférentielle des grains suivant la direction (002), aussi que les couches de ZnO pure sont constituées des grains répartis dans une structure mixte ondulée, contenant des vallées et des crêtes, avec une valeur RMS entre 6.37 nm et 0.539 nm. Mais l’analyse (UV-visible) des couches préparées, montre une grande transparence (85%-98%) dans le visible avec un gap optique altéré (de 3.212 eV a 3.246 eV).les mesures électriques exorbitent un caractère résistif, due de la collision des électrons dans les joints de grains. A cause des excellentes propriétés des films synthétisées : la mono-orientation (002), taille réduite des cristallites et la haute transparence, elles peuvent utilisées comme : fenêtre optique dans les cellules voltaïques, des substrats polarisateurs pour applications photo-catalytiques, capteur de gaz, extraction des métaux lourds (dépollution des eaux) ou dans des applications antibactériennesCôte titre : DPH/0239 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1jEfRrY4iobQS1CFpXvzDrUdSzIl7WerR/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0239 DPH/0239 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleÉlaboration et caractérisation physique des films oxydes ITO, ZnO et ZnO : Al / Lebbad,Ahlem
Titre : Élaboration et caractérisation physique des films oxydes ITO, ZnO et ZnO : Al Type de document : texte imprimé Auteurs : Lebbad,Ahlem, Auteur ; Kerkache,l, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2019 Importance : 1 vol (112 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : pulvérisation cathodique RF
RecuitIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés physiques des films oxydes : ITO/Si, ZnO/Verre, AZO/Verre
et AZO/Si préparés à différentes épaisseurs. Les films ITO ont été déposés sur un substrat de Si (100) par
pulvérisation cathodique RF pour des épaisseurs allant de 61 et 768 nm. Ces films sont polycristallins avec la
texture <100>, et ont subi une compression qui décroît avec la croissance de l’épaisseur e. Les images MEB et
AFM montre une surface lisse avec des grains de forme pyramidale et une rugosité RMS qui augmente lorsque e
augmente. La résistivité ρ et la mobilité μ de ces films augmentent quand e croît, tandis que la concentration n
diminue. Le recuit à l’air libre à T=400°C pendant 60 mn améliore les propriétés structurales et donne des films
plus rugueux. Il conduit à une diminution de ρ et de μ où la plus faible valeur de ρ égale à 5,52x10-4 Ω.cm et à une
augmentation de la concentration n. Les films ZnO/verre, ZnO:Al/verre et ZnO:Al/Si(111), ont été déposées par
la méthode sol gel en utilisant la technique dip-coating à différentes épaisseurs (523 nm à 1180 nm). Les films
sont polycristallins présentant une orientation préférentielle en générale suivant l'axe c. Les films ZnO non dopés
présentent une surface compacte, dense et granulaire, une bonne transmission et une résistivité de l’ordre de 10+2
Ω.cm. Le dopage à l’Al (1,5%) conduit à des films moins rugueux avec une forte amélioration des propriétés
optiques et électriques. Le dépôt des films AZO sur Si (111) présente une structure polycristalline avec une forte
intensité du plan (002) et une rugosité RMS en général plus grande. Les films déposés sur Si sont plus résistifs et
présentant une concentration n plus faible. La résistivité de ces films diminue lorsque e croît de 523 à 1042 nm et
atteint une valeur minimale pour le film d’épaisseur 1042nm.Note de contenu :
Sommaire
Introduction générale……………………………………………………………………..….1
Chapitre I : Revue bibliographique
Introduction………………………………………………………………………………...…6
I-1-Rappels sur les TCO……………………………………………………………................6
I-2-L’oxyde d’indium dopé étain (ITO)………………………………………………….….7
I-2-1-Définition………………………………………………………………………………...7
I-2-2-Propriétés structurales………………………………………………………………...….7
I-2-3-Propriétés électriques………………………………………………………………….....9
I-2-4-Propriétés optiques…………………………………………………………………….…9
I-2-5-Les applications des films ITO………………………………………………………..….9
I-2-6-Techniques d’élaboration des films ITO………………………………………………....9
I-3-L’oxyde de zinc (ZnO)…………………………………………………………………...11
I-3-1-Définition…………………………………………………………………………...…..11
I-3-2-Propriétés structurales………………………………………………………………......11
I-3-3-Propriétés électriques………………………………………………………………...…13
I-3-4-Propriétés optiques………………………………………………………………...……13
I-3-5-Applications des films ZnO……………………………………………………………..13
I-3-6-Dopage du ZnO………………………………………………………………...……….14
I-3-7-Techniques d’élaboration des films ZnO………………………………………………..15
I-4-Les techniques d’élaboration utilisées……………………………………………...…..15
I-4-1-La pulvérisation cathodique………………...………………………………………...16
I-4-1-1-Pulvérisation cathodique diode……………………………………………………….17
a) Pulvérisation cathodique diode DC……………………………………...………...….18
b) Pulvérisation cathodique diode RF…………………………………………………....18
I-4-1-2-Pulvérisation cathodique triode……………………...………………………………..18
I-4-1-3-Pulvérisation cathodique magnétron……………………………………………...…..19
I-4-1-4-Pulvérisation réactive……………………………………………………………...….20
I-4-2-La méthode sol-gel……………………...…………………………………………..…20
I-4-2-1-Principe…………………………………………………………………………...…..21
I-4-2-1-1-Mécanisme réactionnel……...………………………………………………......21
Table de matières
v
I-4-2-1-1-1-L’hydrolyse……………………………………………………...…...……22
I-4-2-1-1-2-La condensation……………………………………………………...…....22
I-4-2-1-3-La transition sol-gel……………………….……..…………………...……...22
I-4-2-2-Paramètres influençant la cinétique des réactions……………….……………………23
I-4-2-3-Dépôt des couches minces par voie sol-gel………...………………………..……......24
I-4-2-3-1-Techniques de dépôt par la méthode sol-gel……………..………..…………....24
a) Centrifugation « Spin-Coating » ………………....…..…………...…….......……......24
b) Trempage- tirage « Dip-Coating » ………….…………………………...….......…....25
I-4-2-3-2- Densification des couches minces…...……………………………….…..….…27
a) Séchage……………………………….…….……………….…………………...……27
b) Recuit……………………………………………………….…………………..……28
I-4-2-4- Avantages et inconvénients du procédé……………………….…………………..…28
Conclusion…………………………………………………………………………………....29
Références bibliographiques…………………………………………………………....….. 30
Chapitre II : Techniques expérimentales
Introduction………………………………………………………...………...…………….. 34
II-1-Techniques d’élaboration et de recuit des films…………………………………….... 34
II-1-1-Elaboration des films ITO………………………………………………………...… 34
II-1-1-1-Préparation des substrats……………………………………………………………. 34
II-1-1-2-Réalisation des échantillons……………………………………………………..…...35
II-1-2-Recuit des films ITO……………………………………………………………….…36
II-1-3-Elaboration des films ZnO pur et dopé………………………………………….…..37
II-1-3-1-Discription de la manipulation sol gel montée au laboratoire…………..……….....…37
II-1-3-2-Protocole d’élaboration des films ZnO et ZnO : Al…………………………...…..….39
II-1-3-2-1-Préparation des solutions……………………………………………………...…...39
II-1-3-2-2-Préparation des substrats……………………………………………………...…...40
II-1-3-2-3- Dépôt des films ZnO et ZnO : Al……………………………………………...…..41
II-2-Téchniques de caractérisation……………………………………………………..…..42
II-2-1-La diffraction des Rayon X (DRX)………………………………………………….....42
II-2-2- Le microscope électronique à balayage (MEB)……………………………….……….44
II-2-3- Le microscope à force atomique (AFM)……………………………………………….46
Table de matières
vi
II-2-4-La spectrophotométrie UV-Visible………………………………………………...…..48
II-2-5-Les mesures Effet Hall………………………………………………………………....49
Conclusion……………………………………………………………………………………51
Références bibliographiques……………………………………………………...………... 52
Chapitre III : Etude des propriétés physiques des films ITO
Introduction………………………………………………………………………………… 54
III-1-Caractérisation structurale………………………………………………………..… 54
III-1-1-Structure cristalline……………………….………………………………………...…54
III-1-2-Texture……………………………………….……………………………………..... 57
III-1-3-Paramétre de maille………………………………………………………………..….57
III-1-4-Taille des grains………………………………….………………….……………...…59
III-2- Morphologie de la surface………………………………………………………...…..60
III-3- Caractérisation électrique………………………………………………………..…..66
Conclusion………………………………………………………………………………...… 69
Références bibliographiques…………………………………………………………..…… 71
Chapitre IV : Etude des propriétés physiques des films ZnO/Verre, AZO/Verre
et AZO/Si (111)
Introduction………………………………………………………………………..……….. 73
IV-1-Propriétés physiques des films ZnO/Verre………………………………………...…73
IV-1-1-Caractérisation structurale……………………………………………………........73
IV-1-1-1-Structure cristalline………………………………………………………......73
IV-1-1-2-Texture…………………………………………………………………….....74
IV-1-1-3-Paramétres de maille ……………………………………………………..….75
IV-1-1-4-Taille des grains………………………………………………………..…….76
IV-1-2- Morphologie de la surface……………………………………………………...…...76
IV-1-3-Caractérisation optique…………………………………………………………..... 78
IV-1-4-Caractérisation électrique………………………………………………………..... 82
IV-2-Propriétés physiques des films AZO/Verre………………………………………..... 83
Table de matières
1-Caractérisation structurale……………………………………………………..…. 83
IV-2-1-1-Structure cristalline……………………………………………………….... 83
IV-2-1-2-Texture…………………………………………………………………..…. 85
IV-2-1-3-Paramétres de maille…………………………………………………...…… 86
IV-2-1-4-Taille des grains………………………………………………………...…... 88
IV-2-2- Morphologie de la surface…………………………………………………...……. 89
IV-2-3-Caractérisation optique……………………………………………………..…….. 91
IV-2-4-Caractérisation électrique……………………………………………………...…. 95
IV-3-Propriétés physiques des films AZO/Si…………………………………………….…97
IV-3-1-Caractérisation structurale……………………………………………...…...97
IV-3-1-1-Structure cristalline……………………………………………………...….. 97
IV-3-1-2-Texture………………………………………………………………...…..... 99
IV-3-1-3-Paramétres de maille…………………………………………………...….. 100
IV-3-1-4-Taille des grains………………………………………………………….... 101
IV-1-2- Morphologie de la surface………………………………………………………... 102
IV-1-4-Caractérisation électrique…………………………………………………...…… 106
Conclusion…………………………………………………………………………...…….Côte titre : DPH/0229 Élaboration et caractérisation physique des films oxydes ITO, ZnO et ZnO : Al [texte imprimé] / Lebbad,Ahlem, Auteur ; Kerkache,l, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (112 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : pulvérisation cathodique RF
RecuitIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés physiques des films oxydes : ITO/Si, ZnO/Verre, AZO/Verre
et AZO/Si préparés à différentes épaisseurs. Les films ITO ont été déposés sur un substrat de Si (100) par
pulvérisation cathodique RF pour des épaisseurs allant de 61 et 768 nm. Ces films sont polycristallins avec la
texture <100>, et ont subi une compression qui décroît avec la croissance de l’épaisseur e. Les images MEB et
AFM montre une surface lisse avec des grains de forme pyramidale et une rugosité RMS qui augmente lorsque e
augmente. La résistivité ρ et la mobilité μ de ces films augmentent quand e croît, tandis que la concentration n
diminue. Le recuit à l’air libre à T=400°C pendant 60 mn améliore les propriétés structurales et donne des films
plus rugueux. Il conduit à une diminution de ρ et de μ où la plus faible valeur de ρ égale à 5,52x10-4 Ω.cm et à une
augmentation de la concentration n. Les films ZnO/verre, ZnO:Al/verre et ZnO:Al/Si(111), ont été déposées par
la méthode sol gel en utilisant la technique dip-coating à différentes épaisseurs (523 nm à 1180 nm). Les films
sont polycristallins présentant une orientation préférentielle en générale suivant l'axe c. Les films ZnO non dopés
présentent une surface compacte, dense et granulaire, une bonne transmission et une résistivité de l’ordre de 10+2
Ω.cm. Le dopage à l’Al (1,5%) conduit à des films moins rugueux avec une forte amélioration des propriétés
optiques et électriques. Le dépôt des films AZO sur Si (111) présente une structure polycristalline avec une forte
intensité du plan (002) et une rugosité RMS en général plus grande. Les films déposés sur Si sont plus résistifs et
présentant une concentration n plus faible. La résistivité de ces films diminue lorsque e croît de 523 à 1042 nm et
atteint une valeur minimale pour le film d’épaisseur 1042nm.Note de contenu :
Sommaire
Introduction générale……………………………………………………………………..….1
Chapitre I : Revue bibliographique
Introduction………………………………………………………………………………...…6
I-1-Rappels sur les TCO……………………………………………………………................6
I-2-L’oxyde d’indium dopé étain (ITO)………………………………………………….….7
I-2-1-Définition………………………………………………………………………………...7
I-2-2-Propriétés structurales………………………………………………………………...….7
I-2-3-Propriétés électriques………………………………………………………………….....9
I-2-4-Propriétés optiques…………………………………………………………………….…9
I-2-5-Les applications des films ITO………………………………………………………..….9
I-2-6-Techniques d’élaboration des films ITO………………………………………………....9
I-3-L’oxyde de zinc (ZnO)…………………………………………………………………...11
I-3-1-Définition…………………………………………………………………………...…..11
I-3-2-Propriétés structurales………………………………………………………………......11
I-3-3-Propriétés électriques………………………………………………………………...…13
I-3-4-Propriétés optiques………………………………………………………………...……13
I-3-5-Applications des films ZnO……………………………………………………………..13
I-3-6-Dopage du ZnO………………………………………………………………...……….14
I-3-7-Techniques d’élaboration des films ZnO………………………………………………..15
I-4-Les techniques d’élaboration utilisées……………………………………………...…..15
I-4-1-La pulvérisation cathodique………………...………………………………………...16
I-4-1-1-Pulvérisation cathodique diode……………………………………………………….17
a) Pulvérisation cathodique diode DC……………………………………...………...….18
b) Pulvérisation cathodique diode RF…………………………………………………....18
I-4-1-2-Pulvérisation cathodique triode……………………...………………………………..18
I-4-1-3-Pulvérisation cathodique magnétron……………………………………………...…..19
I-4-1-4-Pulvérisation réactive……………………………………………………………...….20
I-4-2-La méthode sol-gel……………………...…………………………………………..…20
I-4-2-1-Principe…………………………………………………………………………...…..21
I-4-2-1-1-Mécanisme réactionnel……...………………………………………………......21
Table de matières
v
I-4-2-1-1-1-L’hydrolyse……………………………………………………...…...……22
I-4-2-1-1-2-La condensation……………………………………………………...…....22
I-4-2-1-3-La transition sol-gel……………………….……..…………………...……...22
I-4-2-2-Paramètres influençant la cinétique des réactions……………….……………………23
I-4-2-3-Dépôt des couches minces par voie sol-gel………...………………………..……......24
I-4-2-3-1-Techniques de dépôt par la méthode sol-gel……………..………..…………....24
a) Centrifugation « Spin-Coating » ………………....…..…………...…….......……......24
b) Trempage- tirage « Dip-Coating » ………….…………………………...….......…....25
I-4-2-3-2- Densification des couches minces…...……………………………….…..….…27
a) Séchage……………………………….…….……………….…………………...……27
b) Recuit……………………………………………………….…………………..……28
I-4-2-4- Avantages et inconvénients du procédé……………………….…………………..…28
Conclusion…………………………………………………………………………………....29
Références bibliographiques…………………………………………………………....….. 30
Chapitre II : Techniques expérimentales
Introduction………………………………………………………...………...…………….. 34
II-1-Techniques d’élaboration et de recuit des films…………………………………….... 34
II-1-1-Elaboration des films ITO………………………………………………………...… 34
II-1-1-1-Préparation des substrats……………………………………………………………. 34
II-1-1-2-Réalisation des échantillons……………………………………………………..…...35
II-1-2-Recuit des films ITO……………………………………………………………….…36
II-1-3-Elaboration des films ZnO pur et dopé………………………………………….…..37
II-1-3-1-Discription de la manipulation sol gel montée au laboratoire…………..……….....…37
II-1-3-2-Protocole d’élaboration des films ZnO et ZnO : Al…………………………...…..….39
II-1-3-2-1-Préparation des solutions……………………………………………………...…...39
II-1-3-2-2-Préparation des substrats……………………………………………………...…...40
II-1-3-2-3- Dépôt des films ZnO et ZnO : Al……………………………………………...…..41
II-2-Téchniques de caractérisation……………………………………………………..…..42
II-2-1-La diffraction des Rayon X (DRX)………………………………………………….....42
II-2-2- Le microscope électronique à balayage (MEB)……………………………….……….44
II-2-3- Le microscope à force atomique (AFM)……………………………………………….46
Table de matières
vi
II-2-4-La spectrophotométrie UV-Visible………………………………………………...…..48
II-2-5-Les mesures Effet Hall………………………………………………………………....49
Conclusion……………………………………………………………………………………51
Références bibliographiques……………………………………………………...………... 52
Chapitre III : Etude des propriétés physiques des films ITO
Introduction………………………………………………………………………………… 54
III-1-Caractérisation structurale………………………………………………………..… 54
III-1-1-Structure cristalline……………………….………………………………………...…54
III-1-2-Texture……………………………………….……………………………………..... 57
III-1-3-Paramétre de maille………………………………………………………………..….57
III-1-4-Taille des grains………………………………….………………….……………...…59
III-2- Morphologie de la surface………………………………………………………...…..60
III-3- Caractérisation électrique………………………………………………………..…..66
Conclusion………………………………………………………………………………...… 69
Références bibliographiques…………………………………………………………..…… 71
Chapitre IV : Etude des propriétés physiques des films ZnO/Verre, AZO/Verre
et AZO/Si (111)
Introduction………………………………………………………………………..……….. 73
IV-1-Propriétés physiques des films ZnO/Verre………………………………………...…73
IV-1-1-Caractérisation structurale……………………………………………………........73
IV-1-1-1-Structure cristalline………………………………………………………......73
IV-1-1-2-Texture…………………………………………………………………….....74
IV-1-1-3-Paramétres de maille ……………………………………………………..….75
IV-1-1-4-Taille des grains………………………………………………………..…….76
IV-1-2- Morphologie de la surface……………………………………………………...…...76
IV-1-3-Caractérisation optique…………………………………………………………..... 78
IV-1-4-Caractérisation électrique………………………………………………………..... 82
IV-2-Propriétés physiques des films AZO/Verre………………………………………..... 83
Table de matières
1-Caractérisation structurale……………………………………………………..…. 83
IV-2-1-1-Structure cristalline……………………………………………………….... 83
IV-2-1-2-Texture…………………………………………………………………..…. 85
IV-2-1-3-Paramétres de maille…………………………………………………...…… 86
IV-2-1-4-Taille des grains………………………………………………………...…... 88
IV-2-2- Morphologie de la surface…………………………………………………...……. 89
IV-2-3-Caractérisation optique……………………………………………………..…….. 91
IV-2-4-Caractérisation électrique……………………………………………………...…. 95
IV-3-Propriétés physiques des films AZO/Si…………………………………………….…97
IV-3-1-Caractérisation structurale……………………………………………...…...97
IV-3-1-1-Structure cristalline……………………………………………………...….. 97
IV-3-1-2-Texture………………………………………………………………...…..... 99
IV-3-1-3-Paramétres de maille…………………………………………………...….. 100
IV-3-1-4-Taille des grains………………………………………………………….... 101
IV-1-2- Morphologie de la surface………………………………………………………... 102
IV-1-4-Caractérisation électrique…………………………………………………...…… 106
Conclusion…………………………………………………………………………...…….Côte titre : DPH/0229 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0229 DPH/0229 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleElaboration et caractérisation structurale optique et électrique des films ITO déposés par pulvérisation cathodiques DC et RF effet du recuit et application / Laid Kerkache
Titre : Elaboration et caractérisation structurale optique et électrique des films ITO déposés par pulvérisation cathodiques DC et RF effet du recuit et application Type de document : texte imprimé Auteurs : Laid Kerkache ; A. Layadi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2006 Importance : 1 vol (118 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Couches minces de l'ITO
Films ITO
Cathodiques DC
Cathodiques RFIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : DPH/0016-0019 Elaboration et caractérisation structurale optique et électrique des films ITO déposés par pulvérisation cathodiques DC et RF effet du recuit et application [texte imprimé] / Laid Kerkache ; A. Layadi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2006 . - 1 vol (118 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Couches minces de l'ITO
Films ITO
Cathodiques DC
Cathodiques RFIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : DPH/0016-0019 Exemplaires (4)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0016 DPH/0016-0019 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0017 DPH/0016-0019 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0018 DPH/0016-0019 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0019 DPH/0016-0019 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleElaboration et caractérisation structurale optique et électrique des films ITO déposés par pulvérisation cathodiques DC et RF effet du recuit et application / Laid Kerkache
PermalinkElaboration et caractérisation du ZnO déposé par électrodéposition : Etude comparative de la radioactivité avec du Z No commercialisé / Chahira Mehamli
PermalinkPermalinkElaboration et caractérisations structurale, optique et électrique des films ZnO déposés par voie sol-gel / Hadda Lemiz,
PermalinkElaboration des couches minces de Fer, cobalt, et leurs alliages FexCo1-x par évaporation sous vide / Benhamoud,Ahlam
PermalinkÉlaboration de couches minces ferromagnétiques de CoxFe100-x et investigations de leurs propriétés physiques / AHLEM MELLOUL
PermalinkÉlaboration de couches minces ferromagnétiques de CoxFe100-x et investigations de leurs propriétés physiques / Melloul,Ahlem
PermalinkElaboration des couches minces magnétique par le procédé sol-gel / BEDOUI, Nabila
PermalinkElaboration de couches minces magnétiques par le procédé / Kenza Azizi
PermalinkPermalinkElaboration de couches minces TCO (ZnO, SnO?) et leurs mélanges par la technique sol-gel / Dallel Khellaf,
PermalinkElaboration des couches minces de ZnO par bain chimique (CBD),par centrifugation(Spin Coating)et par évaporation thermique, caractérisation. / Djaber , Naima
PermalinkElaboration des couches minces de ZnO par la méthode spray pyrolyse et caractérisation / Mekhelfi, hamida
PermalinkElaboration des couches minces de ZnO pur et dopé au lanthane par la technique Sol-Gel / Khlissa Bennesser,
PermalinkElaboration et étude des nanostructures de Cu2O obtenus par électrodéposition : effet d'un tensioactif / Tarek Khatir,
PermalinkElaboration et étude des propriétés des couches minces de SnO2 déposées par dip coating et spray ultrasonique / Blilita, Sofiane
PermalinkElaboration et étude des propriétés structural et électriques des couches mince de Ni/Cu et Ni/Verre / Chemseddine Nacereddine
PermalinkElaboration des films minces de TiO? pur et dopés au cuivre et étude de leurs propriétés / , Sarra Safiddine
PermalinkPermalinkElaboration d’une formule empirique de la section efficace pour la réaction (n, a) à 14.5 Me V / Loubaba Lahmar
PermalinkElaboration d’une formule empirique de la section efficace pour la réaction (n, 2n) à14.5Mev / Lynda Mestari
PermalinkÉlaboration et investigations de propriétés physiques de couches minces ferromagnétiques de Fe100-xPdx / Benhamoud,Ahlam
PermalinkÉlaboration et investigations de propriétés strucurales, électriques et magnétiques de couches minces ferromagnétques de FexNi100-x / Lamine Taberkani
PermalinkElaboration des jonctions nanométriques à base d’une pérovskite et étude optique des polarisations électriques p-n et n-p pour l’environnement / Anfal Djelloul
PermalinkÉlaboration de nanofils de silicium par gravure chimique assistée par un métal : caractérisation etapplication en photocatalyse hétérogène de l’oxyde de graphène, du chrome (VI) et de la rhodamine B / Ouarda Fellahi
PermalinkElaboration des nanopoudres de ZnO par des méthodes bottom-up / Abdel Ghafour Said Messalti
PermalinkElaboration par électrodéposition et caractérisation de couches minces de l'alliage Fe-Co / BEDOUI, Abdelaziz
PermalinkElaboration par Procédé Sol-Gel et caractérisation des couches minces Ferrites Fe2O3:Discussion de la possibilité de la transition de phase Ferrite Fe2O3 au Magnétite Fe3O4 / Sabrina Abdelli
PermalinkElaboration par le procédé sol-gel et caractérisation des ferrites dopées au nickel et au cobalt Cox Ni1-x Fe2 O4 / Yahia Djoual,
PermalinkElaboration et simulation DFT d’une hétérojonction à base d’une structure pérovskite semi-conductrice magnétique SCM et de graphène / Ferdi,Nassima
PermalinkÉlaboration sous vide et investigations de propriétés physiques de films minces ferromagnétiques de Permalloy / Ounissa Cherrad
PermalinkElectrodéposition des couches minces de TiO2 et étude de leurs propriétés physiques et photoélectrochimiques / Bouguettoucha ,Imene
PermalinkElectrodéposition des couches minces de ZnO pures et dopées par des ions bismuth et étude de leurs propriétées physiques, optiques et électriques. / Benkolli, Abdelmalek
PermalinkElectrodéposition des couches minces de ZnO pures et dopées par des ions étain et étude de leurs propriétées physiques, optiques et électriques / Herbaji Mohamed ,Amine
PermalinkPermalinkEstimation de dose et du risque radiologique autour d’une usine de cimenterie. (Cas cimenterie Ain Kebira) / Bekioua ,Saber
PermalinkPermalinkEstimation par moindre carrées de l’angle du Strike d’une structure 3d/2d à partir des données magnétotelluriques. / Djelloul,Khadidja
PermalinkEstimation de rapport signal sur bruit en imagerie parallèle / Souheib Zekraoui
PermalinkPermalinkEstimation du taux de radon dans des échantillons de marbre à l'aide de la spectrométrie gamma avec un détecteur à scintillation NaI(Tl) / Abdelmoumene Bouaziz
PermalinkPermalinkPermalinkPermalinkEtats d’interface polarisés en spin dans des films de phénanthroline sur une surface ferromagnétique de Co(001) / Mendil ,Afifa
Permalink