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Création des particules scalaire par un champ électrique dan une espace de suyder-sitter / Belhaouchet,Hichem
Titre : Création des particules scalaire par un champ électrique dan une espace de suyder-sitter Type de document : texte imprimé Auteurs : Belhaouchet,Hichem, Auteur ; Haouat,Salah, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2019 Importance : 1 vol (43 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Note de contenu : Sommaire
Introduction générale 3
2 Champs quantiques en présence dun champ électrique 8
2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.2 Champs quantiques libres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.3 Champs quantiques en présence dun champ électrique . . . . . . . . . 11
2.3.1 Interprétation en termes de particules . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.3.2 Création de particules à partir du vide . . . . . . . . . . . . . . 14
2.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
3 Création de particules scalaires par un champ électrique constant et
homogène 16
3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
3.2 La jauge dépendant du temps . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
3.2.1 Solutions exactes de léquation de Klein Gordon . . . . . . . . . 18
3.2.2 Equation dHamilton-Jacobi et états "in" et "out" . . . . . . . . 18
3.2.3 Création de particules . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.3 La jauge dépendant de la position . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.3.1 Solutions exactes de léquation de Klein Gordon . . . . . . . . . 22
3.3.2 Création des particules . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
4 Création de particules dans un espace de de sitter 25
4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
4.2 Mécanique quantique avec un GUP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
4.3 Création de paires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
4.3.1 Léquatoin de Klein Gordon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
1
4.4 Le choix des étates "in" et "out" . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
4.5 Création des particules . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
5 Conclusion générale 39
2Côte titre : MAPH/0353 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1gJRpkWcHTSVx625bFhjLmThQC4wMcW-2/view?usp=shari [...] Création des particules scalaire par un champ électrique dan une espace de suyder-sitter [texte imprimé] / Belhaouchet,Hichem, Auteur ; Haouat,Salah, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (43 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Note de contenu : Sommaire
Introduction générale 3
2 Champs quantiques en présence dun champ électrique 8
2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.2 Champs quantiques libres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.3 Champs quantiques en présence dun champ électrique . . . . . . . . . 11
2.3.1 Interprétation en termes de particules . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.3.2 Création de particules à partir du vide . . . . . . . . . . . . . . 14
2.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
3 Création de particules scalaires par un champ électrique constant et
homogène 16
3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
3.2 La jauge dépendant du temps . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
3.2.1 Solutions exactes de léquation de Klein Gordon . . . . . . . . . 18
3.2.2 Equation dHamilton-Jacobi et états "in" et "out" . . . . . . . . 18
3.2.3 Création de particules . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.3 La jauge dépendant de la position . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.3.1 Solutions exactes de léquation de Klein Gordon . . . . . . . . . 22
3.3.2 Création des particules . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
4 Création de particules dans un espace de de sitter 25
4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
4.2 Mécanique quantique avec un GUP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
4.3 Création de paires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
4.3.1 Léquatoin de Klein Gordon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
1
4.4 Le choix des étates "in" et "out" . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
4.5 Création des particules . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
5 Conclusion générale 39
2Côte titre : MAPH/0353 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1gJRpkWcHTSVx625bFhjLmThQC4wMcW-2/view?usp=shari [...] Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0353 MAPH/0353 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleCristallisation de silicium amorphe non hydrogéné par la méthode cristallisation induite par aluminium(CIA) / Mouna Ghomid
Titre : Cristallisation de silicium amorphe non hydrogéné par la méthode cristallisation induite par aluminium(CIA) Type de document : texte imprimé Auteurs : Mouna Ghomid ; Fouzia Kezzoula, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2015/2016 Importance : 1 vol (37 f.) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Ingénierie des Matériaux
Silicium amorphe
Cristallisation Induite par Aluminium (CIA)
Spectroscopie
Raman
Silicium polycristallin.Résumé : Résumé
Ce travail est consacré à l’étude de l’effet de température de recuite sur la
cristallisation d’une couche mince de silicium amorphe non hydrogéné par la méthode de
Cristallisation Induite par Aluminium (CIA). A cet effet, nous avons déposé des couches
minces d’a-Si non hydrogéné par pulvérisation cathodique magnétron DC sur deux types de
substrats Corning (verre) et silicium cristallin (c-Si type N). Une couche d’aluminium a été
par la suite déposée sur la couche d’a-Si par la technique d’évaporation thermique. Les
échantillons ainsi préparés, sont soumis à des recuits thermiques aux différentes températures
pendant trois heures. Des caractérisations de ces échantillons ont été effectuées par
spectroscopie Raman, DRX, MEB, microscope optique, spectrophotomètre et Effet Hall.
Les résultats ont montrés que la couche de silicium amorphe non hydrogéné recuite à
une température de 550°C a présenté une meilleure cristallisation. Nous avons montrés aussi,
que l’augmentation de la température de recuit, favorise l’amélioration de la qualité optique et
électrique des couches poly-Si formé.Côte titre : MAPH/0153 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1XLXx3Dxn_2ZkgUbLEP2bqaoKkRWs2OaM/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Cristallisation de silicium amorphe non hydrogéné par la méthode cristallisation induite par aluminium(CIA) [texte imprimé] / Mouna Ghomid ; Fouzia Kezzoula, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2015/2016 . - 1 vol (37 f.).
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Ingénierie des Matériaux
Silicium amorphe
Cristallisation Induite par Aluminium (CIA)
Spectroscopie
Raman
Silicium polycristallin.Résumé : Résumé
Ce travail est consacré à l’étude de l’effet de température de recuite sur la
cristallisation d’une couche mince de silicium amorphe non hydrogéné par la méthode de
Cristallisation Induite par Aluminium (CIA). A cet effet, nous avons déposé des couches
minces d’a-Si non hydrogéné par pulvérisation cathodique magnétron DC sur deux types de
substrats Corning (verre) et silicium cristallin (c-Si type N). Une couche d’aluminium a été
par la suite déposée sur la couche d’a-Si par la technique d’évaporation thermique. Les
échantillons ainsi préparés, sont soumis à des recuits thermiques aux différentes températures
pendant trois heures. Des caractérisations de ces échantillons ont été effectuées par
spectroscopie Raman, DRX, MEB, microscope optique, spectrophotomètre et Effet Hall.
Les résultats ont montrés que la couche de silicium amorphe non hydrogéné recuite à
une température de 550°C a présenté une meilleure cristallisation. Nous avons montrés aussi,
que l’augmentation de la température de recuit, favorise l’amélioration de la qualité optique et
électrique des couches poly-Si formé.Côte titre : MAPH/0153 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1XLXx3Dxn_2ZkgUbLEP2bqaoKkRWs2OaM/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0153 MAPH/0153 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleCroissance et caractérisations structurale et optique des couches minces SnO₂ élaborées par sol-gel / BELDJEBLI, Widad
Titre : Croissance et caractérisations structurale et optique des couches minces SnO₂ élaborées par sol-gel Type de document : texte imprimé Auteurs : BELDJEBLI, Widad ; Laid Kerkache, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2013 Importance : 1 vol (34 F.) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Ingénierie des Matériaux
couches minces SnO₂
sol-gelIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : MAPH/0003 Croissance et caractérisations structurale et optique des couches minces SnO₂ élaborées par sol-gel [texte imprimé] / BELDJEBLI, Widad ; Laid Kerkache, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2013 . - 1 vol (34 F.) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Ingénierie des Matériaux
couches minces SnO₂
sol-gelIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : MAPH/0003 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0003 MAPH/0003 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Croissance des nanostructures de TiO2 : Synthèse et morphologie Type de document : texte imprimé Auteurs : Far ,Houda, Auteur ; Hamici,M, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2018 Importance : 1 vol (50 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Oxyde de titane
Nanotubes
Sol-gel
Spray ultrasoniqueIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Dans cette étude, nous avons élaboré des nanotubes de l’oxyde de titane (TiO2) en couches minces par sol-gel, par spray ultrasonique et en utilisant les deux. L’effet de la méthode de dépôt, de l’épaisseur et de recuit sur les couches minces est étudié. Ces couches sont
caractérisées par la DRX, l’AFM, la spectrométrie UV- visible et IR et la technique des quatre pointes.
La phase obtenue par dépôt sol-gel est l’anatase, par contre elle est formée par un mélange de l’anatase et la brookite par le dépôt par spray. Nous avons éliminé la phase brookite par une augmentation de l’épaisseur ou par un recuit. Ces couches présentent des transmissions élevées. Les valeurs du gap sont dépendantes de l’épaisseur, la température, et la voie de synthèse. La morphologie présente une faible rugosité de surface avec une résistivité électrique très élevée. Les couches élaborées en utilisant les deux techniques montrent une structure anatase. La transmission est très élevée avec des valeurs constantes de gap optique. La morphologie montre des structures nanotubulaires.Note de contenu : Sommaire
Introduction générale.................................................................................................................. 1
Chapitre I : Dioxyde de titane
I.1. Généralités ........................................................................................................................... 3
I.1.1. Les oxydes métalliques ................................................................................................. 3
I.2. Le dioxyde de titane TiO2 .................................................................................................... 3
I.3. Propriétés de l’oxyde de titane ............................................................................................. 3
I.3.1. Propriétés structurales ................................................................................................... 3
I.3.2. Propriétés physiques ...................................................................................................... 5
I.3.3. Propriétés électroniques ................................................................................................ 5
I.3.4. Propriétés optiques ........................................................................................................ 6
I.4. Applications de l’oxyde de titane ........................................................................................ 6
Chapitre II : Techniques d'élaboration
II.1. Procédé sol gel .................................................................................................................... 7
II.1.1. Présentation .................................................................................................................. 7
II.1.2. Principe ........................................................................................................................ 7
II.1.3. Mécanismes réactionnels ............................................................................................. 8
II.1.4. Transition sol -gel ........................................................................................................ 8
II.1.5. Paramètres influençant la cinétique des réactions chimiques ...................................... 9
II.1.6. Procédés de dépôt par voie sol-gel ............................................................................... 9
II.1.7. Densification des couches minces ............................................................................. 12
II.1.8. Avantages et inconvénients ........................................................................................ 12
II.2. Procédé Spray Pyrolyse .................................................................................................... 13
II.2.1. Présentation ................................................................................................................ 13
II.2.2. Principe ...................................................................................................................... 13
II.2.3. Processus du dépôt par spray pyrolyse ...................................................................... 14
II.2.3.1. Atomisation de la solution ................................................................................... 14
II.2.3.2. Décomposition chimique ..................................................................................... 15
II.2.4. Avantages ................................................................................................................... 15
Chapitre III : Techniques de caractérisation
III.1. Caractérisation structurale ............................................................................................... 16
III.1.1. Diffraction des rayons X (DRX) .............................................................................. 16
III.2. Caractérisation morphologique ....................................................................................... 17
III.2.1. Microscope à force atomique (AFM) ....................................................................... 17
III.2. Caractérisation optique .................................................................................................... 17
III.2.1. Spectroscopie UV-Visible ........................................................................................ 17
III.2.2. Spectroscopie infrarouge .......................................................................................... 18
III.3. Caractérisation électrique ................................................................................................ 19
III.3.1. Méthode des quatre pointes ...................................................................................... 19
Chapitre IV : Elaborations et caractérisations
IV.1. Elaboration des échantillons ........................................................................................... 21
IV.1.1. Préparation des solutions .......................................................................................... 21
IV.1.1.1. Solution préparée par sol gel ............................................................................. 21
IV.1.1.2. Solution déposée par spray ................................................................................ 21
IV.1.2. Préparation des substrats .......................................................................................... 21
IV.1.3. Dépôt des couches minces ........................................................................................ 22
IV.2. Caractérisations des échantillons .................................................................................... 24
Partie 1
IV.2.1.1. Caractérisations structurales .................................................................................. 24
IV.2.1.1.1 Diffraction des rayons X .................................................................................. 24
IV.2.1.1.2. Taille des cristallites ....................................................................................... 27
IV.2.1.2. Caractérisations morphologiques .......................................................................... 29
IV.2.1.3. Caractérisations optiques ....................................................................................... 30
IV.2.1.3.1. Spectres de transmission ................................................................................. 30
IV.2.1.3.2. Epaisseur et indice de réfraction ..................................................................... 3
IV.2.1.3.3. Largeur de la bande interdite .......................................................................... 33
IV.2.1.3.4. Spectres Infrarouges ....................................................................................... 37
Partie 2
IV.2.2.1. Caractérisations structurales .................................................................................. 39
IV.2.2.1.1. Diffraction des rayons X ................................................................................. 39
IV.2.2.2 Caractérisations morphologiques ........................................................................... 40
IV.2.2.3. Caractérisations optiques ....................................................................................... 43
IV.2.2.3.1. Spectres de transmission ................................................................................. 43
IV.2.2.3.2. Largeur de la bande interdite .......................................................................... 43
IV.2.2.3.3. Spectres Infrarouges ....................................................................................... 44
Conclusion ....................................................................................................................Côte titre : MAPH/0264 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1kbJGWfnEw6BAyoz0SEMPlSHH_bzsOTL0/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Croissance des nanostructures de TiO2 : Synthèse et morphologie [texte imprimé] / Far ,Houda, Auteur ; Hamici,M, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2018 . - 1 vol (50 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Oxyde de titane
Nanotubes
Sol-gel
Spray ultrasoniqueIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Dans cette étude, nous avons élaboré des nanotubes de l’oxyde de titane (TiO2) en couches minces par sol-gel, par spray ultrasonique et en utilisant les deux. L’effet de la méthode de dépôt, de l’épaisseur et de recuit sur les couches minces est étudié. Ces couches sont
caractérisées par la DRX, l’AFM, la spectrométrie UV- visible et IR et la technique des quatre pointes.
La phase obtenue par dépôt sol-gel est l’anatase, par contre elle est formée par un mélange de l’anatase et la brookite par le dépôt par spray. Nous avons éliminé la phase brookite par une augmentation de l’épaisseur ou par un recuit. Ces couches présentent des transmissions élevées. Les valeurs du gap sont dépendantes de l’épaisseur, la température, et la voie de synthèse. La morphologie présente une faible rugosité de surface avec une résistivité électrique très élevée. Les couches élaborées en utilisant les deux techniques montrent une structure anatase. La transmission est très élevée avec des valeurs constantes de gap optique. La morphologie montre des structures nanotubulaires.Note de contenu : Sommaire
Introduction générale.................................................................................................................. 1
Chapitre I : Dioxyde de titane
I.1. Généralités ........................................................................................................................... 3
I.1.1. Les oxydes métalliques ................................................................................................. 3
I.2. Le dioxyde de titane TiO2 .................................................................................................... 3
I.3. Propriétés de l’oxyde de titane ............................................................................................. 3
I.3.1. Propriétés structurales ................................................................................................... 3
I.3.2. Propriétés physiques ...................................................................................................... 5
I.3.3. Propriétés électroniques ................................................................................................ 5
I.3.4. Propriétés optiques ........................................................................................................ 6
I.4. Applications de l’oxyde de titane ........................................................................................ 6
Chapitre II : Techniques d'élaboration
II.1. Procédé sol gel .................................................................................................................... 7
II.1.1. Présentation .................................................................................................................. 7
II.1.2. Principe ........................................................................................................................ 7
II.1.3. Mécanismes réactionnels ............................................................................................. 8
II.1.4. Transition sol -gel ........................................................................................................ 8
II.1.5. Paramètres influençant la cinétique des réactions chimiques ...................................... 9
II.1.6. Procédés de dépôt par voie sol-gel ............................................................................... 9
II.1.7. Densification des couches minces ............................................................................. 12
II.1.8. Avantages et inconvénients ........................................................................................ 12
II.2. Procédé Spray Pyrolyse .................................................................................................... 13
II.2.1. Présentation ................................................................................................................ 13
II.2.2. Principe ...................................................................................................................... 13
II.2.3. Processus du dépôt par spray pyrolyse ...................................................................... 14
II.2.3.1. Atomisation de la solution ................................................................................... 14
II.2.3.2. Décomposition chimique ..................................................................................... 15
II.2.4. Avantages ................................................................................................................... 15
Chapitre III : Techniques de caractérisation
III.1. Caractérisation structurale ............................................................................................... 16
III.1.1. Diffraction des rayons X (DRX) .............................................................................. 16
III.2. Caractérisation morphologique ....................................................................................... 17
III.2.1. Microscope à force atomique (AFM) ....................................................................... 17
III.2. Caractérisation optique .................................................................................................... 17
III.2.1. Spectroscopie UV-Visible ........................................................................................ 17
III.2.2. Spectroscopie infrarouge .......................................................................................... 18
III.3. Caractérisation électrique ................................................................................................ 19
III.3.1. Méthode des quatre pointes ...................................................................................... 19
Chapitre IV : Elaborations et caractérisations
IV.1. Elaboration des échantillons ........................................................................................... 21
IV.1.1. Préparation des solutions .......................................................................................... 21
IV.1.1.1. Solution préparée par sol gel ............................................................................. 21
IV.1.1.2. Solution déposée par spray ................................................................................ 21
IV.1.2. Préparation des substrats .......................................................................................... 21
IV.1.3. Dépôt des couches minces ........................................................................................ 22
IV.2. Caractérisations des échantillons .................................................................................... 24
Partie 1
IV.2.1.1. Caractérisations structurales .................................................................................. 24
IV.2.1.1.1 Diffraction des rayons X .................................................................................. 24
IV.2.1.1.2. Taille des cristallites ....................................................................................... 27
IV.2.1.2. Caractérisations morphologiques .......................................................................... 29
IV.2.1.3. Caractérisations optiques ....................................................................................... 30
IV.2.1.3.1. Spectres de transmission ................................................................................. 30
IV.2.1.3.2. Epaisseur et indice de réfraction ..................................................................... 3
IV.2.1.3.3. Largeur de la bande interdite .......................................................................... 33
IV.2.1.3.4. Spectres Infrarouges ....................................................................................... 37
Partie 2
IV.2.2.1. Caractérisations structurales .................................................................................. 39
IV.2.2.1.1. Diffraction des rayons X ................................................................................. 39
IV.2.2.2 Caractérisations morphologiques ........................................................................... 40
IV.2.2.3. Caractérisations optiques ....................................................................................... 43
IV.2.2.3.1. Spectres de transmission ................................................................................. 43
IV.2.2.3.2. Largeur de la bande interdite .......................................................................... 43
IV.2.2.3.3. Spectres Infrarouges ....................................................................................... 44
Conclusion ....................................................................................................................Côte titre : MAPH/0264 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1kbJGWfnEw6BAyoz0SEMPlSHH_bzsOTL0/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0264 MAPH/0264 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Sorti jusqu'au 05/03/2024
Titre : La croissance des phases non-stoechiométriques Type de document : texte imprimé Auteurs : Benabid ,Nadjet, Auteur ; Tellouche,G, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2020 Importance : 1 vol (35 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique des Matériaux Index. décimale : 530 - Physique Résumé :
L’objectif de ce travail est d’étudier les mécanismes de formation des phases riches en Ni, notamment la phase non-stoechiométrique -Ni2Si formée par réaction à l’état solide entre différentes épaisseurs de films de nickel déposés par pulvérisation cathodique sur Si (100). Les caractérisations en Diffraction des Rayons X (DRX) en temps réel (in situ) mettent en évidence une formation simultanée des phases riches en Ni (-Ni2Si et -Ni2Si) où le -Ni2Si est le premier siliciure qui se forme indépendamment de l’épaisseur du film déposé. Alors que la séquence de formation des phases change avec l’épaisseur du film. La formation de la phase non stoechiométrique -Ni2Si est observée à la même température indépendamment de l’épaisseur du film de Ni. Cela nous permettait de déduire que la formation de -Ni2Si est contrôlée par la germination. Nos résultats montraient que des champs de déformations importants se développent lors de la croissance de -Ni2Si à l’interface de réaction Ni/Si et qui se relaxent après la consommation totale de Ni. Le -Ni2Si continue sa croissance au dépend de -Ni2Si dans un état relaxé. L’évolution de la distance réticulaire de la phase non stoechiométrique -Ni2Si lors des recuits (isochrones et isothermes) est compliquée. Un scénario basé sur les propriétés des solutions solides de substitution était proposé nous a permis de dégager les mécanismes de croissance de la phase non stoechiométrique -Ni2Si.Côte titre : MAPH/0374 En ligne : https://drive.google.com/file/d/12YwgT0hhFXjm4UHCbY2lTbXWxX0cwAEe/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : La croissance des phases non-stoechiométriques [texte imprimé] / Benabid ,Nadjet, Auteur ; Tellouche,G, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2020 . - 1 vol (35 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique des Matériaux Index. décimale : 530 - Physique Résumé :
L’objectif de ce travail est d’étudier les mécanismes de formation des phases riches en Ni, notamment la phase non-stoechiométrique -Ni2Si formée par réaction à l’état solide entre différentes épaisseurs de films de nickel déposés par pulvérisation cathodique sur Si (100). Les caractérisations en Diffraction des Rayons X (DRX) en temps réel (in situ) mettent en évidence une formation simultanée des phases riches en Ni (-Ni2Si et -Ni2Si) où le -Ni2Si est le premier siliciure qui se forme indépendamment de l’épaisseur du film déposé. Alors que la séquence de formation des phases change avec l’épaisseur du film. La formation de la phase non stoechiométrique -Ni2Si est observée à la même température indépendamment de l’épaisseur du film de Ni. Cela nous permettait de déduire que la formation de -Ni2Si est contrôlée par la germination. Nos résultats montraient que des champs de déformations importants se développent lors de la croissance de -Ni2Si à l’interface de réaction Ni/Si et qui se relaxent après la consommation totale de Ni. Le -Ni2Si continue sa croissance au dépend de -Ni2Si dans un état relaxé. L’évolution de la distance réticulaire de la phase non stoechiométrique -Ni2Si lors des recuits (isochrones et isothermes) est compliquée. Un scénario basé sur les propriétés des solutions solides de substitution était proposé nous a permis de dégager les mécanismes de croissance de la phase non stoechiométrique -Ni2Si.Côte titre : MAPH/0374 En ligne : https://drive.google.com/file/d/12YwgT0hhFXjm4UHCbY2lTbXWxX0cwAEe/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0374 MAPH/0374 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
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