Physique à l’échelle atomique des couches minces / Ahmed Chikouche

Public ISBD Titre : Physique à l’échelle atomique des couches minces : Matériaux Energétiques -Nano Cellules Solaires -Micro et Nanotechnologies -Intégration des Systèmes -Nano Fabrication Type de document : texte imprimé Auteurs : Ahmed Chikouche, Auteur ; Anissa Ali Messaoud Editeur : Editions universitaires europeennes Année de publication : 2013 Importance : 196 P ISBN/ISSN/EAN : 978-613-1-54753-9 Langues : Français Catégories : Mécanique de précision : Matériaux Résumé : e travail porte sur l’optimisation des couches ultra minces pour micro & nanotechnologies par un outil de simulation Monte Carlo cinétique. Les limites et les faiblesses de la modélisation continue ont été mis en évidence d’où la nécessité de la simulation à l’échelle atomique pour comprendre la formation des ces couches aux premiers instants de leurs croissances. Différents mécanismes ont été introduits pour simuler les configurations choisies afin d'effectuer cette étude dans un système à un grand nombre d’atomes.La validation de notre simulation s’est effectuée sur la base des données expérimentales obtenues à l’aide des techniques RHEED, XPS et STM.Le couplage de notre simulateur aux logiciels de visualisation graphique a montré que l’ajustement des paramètres physico-chimiques telles que le coefficient de transfert de charges en O, la température d’oxydation et la pression du flux incident O2, conditionnent les résultats obtenus: composition chimique des oxydes à l’interface SiO2/Si,structure cristalline de l’oxyde natif sur le silicium,la rugosité,la distribution des défauts en surface et les contraintes à l’interface SiO2/Si. Physique à l’échelle atomique des couches minces : Matériaux Energétiques -Nano Cellules Solaires -Micro et Nanotechnologies -Intégration des Systèmes -Nano Fabrication [texte imprimé] / Ahmed Chikouche, Auteur ; Anissa Ali Messaoud . - [S.l.] : Editions universitaires europeennes, 2013 . - 196 P. ISBN : 978-613-1-54753-9 Langues : Français Catégories : Mécanique de précision : Matériaux Résumé : e travail porte sur l’optimisation des couches ultra minces pour micro & nanotechnologies par un outil de simulation Monte Carlo cinétique. Les limites et les faiblesses de la modélisation continue ont été mis en évidence d’où la nécessité de la simulation à l’échelle atomique pour comprendre la formation des ces couches aux premiers instants de leurs croissances. Différents mécanismes ont été introduits pour simuler les configurations choisies afin d'effectuer cette étude dans un système à un grand nombre d’atomes.La validation de notre simulation s’est effectuée sur la base des données expérimentales obtenues à l’aide des techniques RHEED, XPS et STM.Le couplage de notre simulateur aux logiciels de visualisation graphique a montré que l’ajustement des paramètres physico-chimiques telles que le coefficient de transfert de charges en O, la température d’oxydation et la pression du flux incident O2, conditionnent les résultats obtenus: composition chimique des oxydes à l’interface SiO2/Si,structure cristalline de l’oxyde natif sur le silicium,la rugosité,la distribution des défauts en surface et les contraintes à l’interface SiO2/Si.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
IOMP/3952	COL	Livre	Bibliothèque IOMP	600 Technologie (sciences appliquées, techniques)	Disponible
IOMP/3953	COL	Livre	Bibliothèque IOMP	600 Technologie (sciences appliquées, techniques)	Disponible
IOMP/3954	COL	Livre	Bibliothèque IOMP	600 Technologie (sciences appliquées, techniques)	Disponible

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