University Sétif 1 FERHAT ABBAS Faculty of Sciences
Détail de l'auteur
Auteur Mounira Houas |
Documents disponibles écrits par cet auteur

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Dopage du Germanium par transmutation neutronique dans un réacteur nucléaire de recherche / Rim Dahel
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Titre : Dopage du Germanium par transmutation neutronique dans un réacteur nucléaire de recherche Type de document : texte imprimé Auteurs : Rim Dahel ; Mounira Houas, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2021 Importance : 1 vol. (53 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Semi-conducteur Germanium
Transmutation neutroniqueIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Le dopage du semi-conducteur Germanium par transmutation neutronique est la technique la
plus intéressante et applicable pour la fabrication des composants électroniques. Il est réalisé
dans un réacteur nucléaire expérimental. Lorsque les échantillons sont exposés à un flux de
neutrons thermiques, trois des cinq isotopes du Ge subissent des captures neutroniques et des
réactions de désintégrations β- et CE. Les produits résultants de la transmutation sont : le
gallium-71, l'arsenic-75 et le sélénium-77, des dopants de type (p) et (n). Ces derniers
diminuent la résistivité intrinsèque du Ge en augmentant la densité des porteurs de charge Ã
l’intérieur du matériau.
L’objectif de ce travail est l’étude de la transmutation des échantillons du Germanium naturel
au sien des trois sites d’irradiation du réacteur de recherche THOR : BNCT, VT-4, et VT-G, Ã
l’aide du code ChainSolver. Les résultats obtenus, concernant la résistivité finale du Ge, nous
ont permis d’estimer les performances du dopage du semi-conducteur Ge dans ce réacteur.Côte titre : MAPH/0455 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1-mPxN0aU7v8D6N6dVliVNvpcAtBVRcQ-/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Dopage du Germanium par transmutation neutronique dans un réacteur nucléaire de recherche [texte imprimé] / Rim Dahel ; Mounira Houas, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2021 . - 1 vol. (53 f.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Semi-conducteur Germanium
Transmutation neutroniqueIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Le dopage du semi-conducteur Germanium par transmutation neutronique est la technique la
plus intéressante et applicable pour la fabrication des composants électroniques. Il est réalisé
dans un réacteur nucléaire expérimental. Lorsque les échantillons sont exposés à un flux de
neutrons thermiques, trois des cinq isotopes du Ge subissent des captures neutroniques et des
réactions de désintégrations β- et CE. Les produits résultants de la transmutation sont : le
gallium-71, l'arsenic-75 et le sélénium-77, des dopants de type (p) et (n). Ces derniers
diminuent la résistivité intrinsèque du Ge en augmentant la densité des porteurs de charge Ã
l’intérieur du matériau.
L’objectif de ce travail est l’étude de la transmutation des échantillons du Germanium naturel
au sien des trois sites d’irradiation du réacteur de recherche THOR : BNCT, VT-4, et VT-G, Ã
l’aide du code ChainSolver. Les résultats obtenus, concernant la résistivité finale du Ge, nous
ont permis d’estimer les performances du dopage du semi-conducteur Ge dans ce réacteur.Côte titre : MAPH/0455 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1-mPxN0aU7v8D6N6dVliVNvpcAtBVRcQ-/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0455 MAPH/0455 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Etude de la transmutation et de l’incinération du Curium-244 Type de document : texte imprimé Auteurs : Khermache ,Khaoula, Auteur ; Berbache ,Roumaissa, Auteur ; Mounira Houas, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2020 Importance : 1 vol (62 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Le Curium est l’un des actinides mineurs qui contribuent le plus à la radiotoxicité des déchets nucléaires sur le long terme. Sa destruction se fait par des réactions de capture neutronique (transmutation) ou par des réactions de fission induite (incinération).
L’objectif de ce travail est d’étudier la faisabilité de la transmutation et de l‘incinération du Curium-244 et d’estimer leurs performances, dans deux réacteurs de recherche : réacteur chinois à neutrons thermiques CARR et réacteur russe à neutrons rapides BOR 60, à l’aide du code de calcul ChainSolver 2.34. Les résultats obtenus sont finalement discutés.Côte titre : MAPH/0392 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1y6eMCu5-ALKxuQH94ySyTDHHVG3rbl8I/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude de la transmutation et de l’incinération du Curium-244 [texte imprimé] / Khermache ,Khaoula, Auteur ; Berbache ,Roumaissa, Auteur ; Mounira Houas, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2020 . - 1 vol (62 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Le Curium est l’un des actinides mineurs qui contribuent le plus à la radiotoxicité des déchets nucléaires sur le long terme. Sa destruction se fait par des réactions de capture neutronique (transmutation) ou par des réactions de fission induite (incinération).
L’objectif de ce travail est d’étudier la faisabilité de la transmutation et de l‘incinération du Curium-244 et d’estimer leurs performances, dans deux réacteurs de recherche : réacteur chinois à neutrons thermiques CARR et réacteur russe à neutrons rapides BOR 60, à l’aide du code de calcul ChainSolver 2.34. Les résultats obtenus sont finalement discutés.Côte titre : MAPH/0392 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1y6eMCu5-ALKxuQH94ySyTDHHVG3rbl8I/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0392 MAPH/0392 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleMesure du temps mort d’un compteur Geiger Müller et correction des taux de comptage / Guerbas, Manel
Titre : Mesure du temps mort d’un compteur Geiger Müller et correction des taux de comptage Type de document : texte imprimé Auteurs : Guerbas, Manel, Auteur ; Mounira Houas, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2018 Importance : 1 vol (46 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Compter GM
Temps mort
Taux de comptageIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Ce travail a pour but l’étude d’un compteur de Geiger Müller et ses caractéristiques, en
particulier la détermination du temps mort. Ce dernier est le temps pendant lequel le détecteur
est insensible à toute nouvelle particule. Donc, les événements se présentant dans cet
intervalle de temps sont perdus.
Dans cette étude expérimentale, on évalue les corrections pour ces pertes sur les taux de
comptage mesurés. Pour cela, on mesure les taux de comptage de deux sources
individuellement et en combinaison afin de déterminer le temps mort. Les taux de comptage
corrigés (vrais) du détecteur de GM pour chaque source sont ensuite calculés.Note de contenu :
Sommaire
Table des matières ……………………………………………………………………………1
Liste des figures ………………………………………………………………………………4
Liste des tableaux …………………………………………………………………………….5
Introduction ……………………………..……………………………………………………6
A. Etude bibliographique
Chapitre I : Compteur Geiger-Müller et ses propriétés
1. Rappel sur la radioactivité ...................................................................................................7
2. Interaction rayonnement-matière …………………..............................................................7
3. Compteur Geiger Müller …………………………………………………………………...3
3.1. Historique ..…………………....................................................................................8
3.2. Présentation ..…………………………………………………….............................8
3.3. Principe de fonctionnement……………………………………………………….10
3.4. Régime de fonctionnement………………………………………………………..10
3.5. Mécanisme d’avalanche……...………………………………………………........11
4. Propriétés du compteur G-M……………………………………………………..............12
4.1. Temps mort………………………………………………………………………...12
4.2. Taux de comptage ………………………………………………………………....12
4.3. Le bruit de fond …………………………………………........................................13
4.4. L'efficacité du détecteur ………………………………………………………...…13
4.4.1. Efficacité absolue………...……………...................................................13
4.4.2. Efficacité intrinsèque …………...………………………………………14
4.5. Le rendement du détecteur…………………………………………………………14
5. Applications du compteur G-M………………....................................................................15
Chapitre II : Méthodes de mesure du temps mort et détermination du taux de
comptage vrai
1. Modèles pour comportement du temps mort………………………………………………16
1.1. Cas non-paralysable...…………………………………………………………........17
1.2. Cas paralysable……...………………………………………………………….......17
2. Relation entre les taux de comptage vrai « n » et enregistré « m »………………………18
3. Méthodes de mesure du temps mort .………………………..…………………………..19
3.1. Méthode de deux sources…………………………………………………………...19
3.2. Méthode de décroissance de la source ……………...……………………………..19
3.3. Méthode de coïncidences retardées…………………..…………………………….20
4. Détermination du temps mort et du taux vrai par la méthode de deux sources..................20
B. Etude expérimentale
Chapitre III : Calcul du temps mort et des taux de comptage réels
1. Partie expérimentale ……………………………………………………………………...23
1.1. But d’expérience……...……………………………………………………...............23
1.2. Dispositif expérimental……..………………………..................................................23
1.2.1. Le compteur Geiger Müller numérique……..……………………………..24
1.2.2. Le tube Geiger Müller…………………………….…………………….......25
1.2.3. Le chronomètre……………….…………………………………………….26
1.2.4. Les sources radioactives ……………………………………….……...……27
1.3. Les étapes de la manipulation……………...……………………………………...…28
2. Présentation des nombres et des taux de comptage mesurés……………………….......….29
a. La mesure 1……………………………………….…………………………………..30
b. La mesure 2…………………………………………………………………………...30
c. La mesure 3…………………………………………………………………………...30
3. Calcul des nombres moyens de comptage et leurs taux correspondants………………….31
4. Détermination du temps mort …………………………………………………………….31
4.1. À partir directement des mesures effectuées ………………………………………31
a. Le temps mort…………………………………………………………...............31
b. L’incertitude du temps mort…………………………………………..………...32
c. Les résultats de calcul du temps mort……………………..…………………….33
4.2. À partir de la moyenne des mesures effectuées……………………………………..33
5. Calcul des taux de comptage vrais……………………………………………...................33
6. Discussion des résultats .………………………………………………………………...36
Conclusion…………………………………………...………………………………………37
Annexe A…………………………………………………………………………………….38
Références……………………………………………………………………………………42
RésuméCôte titre : MAPH/0237 Mesure du temps mort d’un compteur Geiger Müller et correction des taux de comptage [texte imprimé] / Guerbas, Manel, Auteur ; Mounira Houas, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2018 . - 1 vol (46 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Compter GM
Temps mort
Taux de comptageIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Ce travail a pour but l’étude d’un compteur de Geiger Müller et ses caractéristiques, en
particulier la détermination du temps mort. Ce dernier est le temps pendant lequel le détecteur
est insensible à toute nouvelle particule. Donc, les événements se présentant dans cet
intervalle de temps sont perdus.
Dans cette étude expérimentale, on évalue les corrections pour ces pertes sur les taux de
comptage mesurés. Pour cela, on mesure les taux de comptage de deux sources
individuellement et en combinaison afin de déterminer le temps mort. Les taux de comptage
corrigés (vrais) du détecteur de GM pour chaque source sont ensuite calculés.Note de contenu :
Sommaire
Table des matières ……………………………………………………………………………1
Liste des figures ………………………………………………………………………………4
Liste des tableaux …………………………………………………………………………….5
Introduction ……………………………..……………………………………………………6
A. Etude bibliographique
Chapitre I : Compteur Geiger-Müller et ses propriétés
1. Rappel sur la radioactivité ...................................................................................................7
2. Interaction rayonnement-matière …………………..............................................................7
3. Compteur Geiger Müller …………………………………………………………………...3
3.1. Historique ..…………………....................................................................................8
3.2. Présentation ..…………………………………………………….............................8
3.3. Principe de fonctionnement……………………………………………………….10
3.4. Régime de fonctionnement………………………………………………………..10
3.5. Mécanisme d’avalanche……...………………………………………………........11
4. Propriétés du compteur G-M……………………………………………………..............12
4.1. Temps mort………………………………………………………………………...12
4.2. Taux de comptage ………………………………………………………………....12
4.3. Le bruit de fond …………………………………………........................................13
4.4. L'efficacité du détecteur ………………………………………………………...…13
4.4.1. Efficacité absolue………...……………...................................................13
4.4.2. Efficacité intrinsèque …………...………………………………………14
4.5. Le rendement du détecteur…………………………………………………………14
5. Applications du compteur G-M………………....................................................................15
Chapitre II : Méthodes de mesure du temps mort et détermination du taux de
comptage vrai
1. Modèles pour comportement du temps mort………………………………………………16
1.1. Cas non-paralysable...…………………………………………………………........17
1.2. Cas paralysable……...………………………………………………………….......17
2. Relation entre les taux de comptage vrai « n » et enregistré « m »………………………18
3. Méthodes de mesure du temps mort .………………………..…………………………..19
3.1. Méthode de deux sources…………………………………………………………...19
3.2. Méthode de décroissance de la source ……………...……………………………..19
3.3. Méthode de coïncidences retardées…………………..…………………………….20
4. Détermination du temps mort et du taux vrai par la méthode de deux sources..................20
B. Etude expérimentale
Chapitre III : Calcul du temps mort et des taux de comptage réels
1. Partie expérimentale ……………………………………………………………………...23
1.1. But d’expérience……...……………………………………………………...............23
1.2. Dispositif expérimental……..………………………..................................................23
1.2.1. Le compteur Geiger Müller numérique……..……………………………..24
1.2.2. Le tube Geiger Müller…………………………….…………………….......25
1.2.3. Le chronomètre……………….…………………………………………….26
1.2.4. Les sources radioactives ……………………………………….……...……27
1.3. Les étapes de la manipulation……………...……………………………………...…28
2. Présentation des nombres et des taux de comptage mesurés……………………….......….29
a. La mesure 1……………………………………….…………………………………..30
b. La mesure 2…………………………………………………………………………...30
c. La mesure 3…………………………………………………………………………...30
3. Calcul des nombres moyens de comptage et leurs taux correspondants………………….31
4. Détermination du temps mort …………………………………………………………….31
4.1. À partir directement des mesures effectuées ………………………………………31
a. Le temps mort…………………………………………………………...............31
b. L’incertitude du temps mort…………………………………………..………...32
c. Les résultats de calcul du temps mort……………………..…………………….33
4.2. À partir de la moyenne des mesures effectuées……………………………………..33
5. Calcul des taux de comptage vrais……………………………………………...................33
6. Discussion des résultats .………………………………………………………………...36
Conclusion…………………………………………...………………………………………37
Annexe A…………………………………………………………………………………….38
Références……………………………………………………………………………………42
RésuméCôte titre : MAPH/0237 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0237 MAPH/0237 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Neutron Transmutation Doping of Silicon and Germanium in the THOR Research Reactor Type de document : document électronique Auteurs : Rayan Chaib, Auteur ; Zahia Allal, Auteur ; Mounira Houas, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2024 Importance : 1 vol (65 f.) Format : 29 cm Langues : Anglais (eng) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 - Physique Résumé :
Neutron transmutation doping of semiconductors is one of the most viable nuclear applications for research reactors. This technique is based on the capture of thermal neutrons by certain isotopes of the material which will be transmuted into dopants in order to reduce its resistivity. The most important advantage of this process is the good uniform distribution of dopants in the semiconductor lattice which results an excellent homogeneity in resistivity.
In our work, we studied the neutron transmutation doping of Silicon and Germanium in the core of the THOR research reactor using the ChainSolver calculation code. In this simulation, we irradiated Si and Ge samples at different neutron fluxes. Finally, the results of the effect of thermal neutron flux on the electrical resistivity of all samples are discussed.Note de contenu : Sommaire
CHAPTER I
Semiconductors : Silicon and Germanium
I.1. Definition of semiconductors :
03
I.2. Silicon semiconductor :
03
I.2.1. Silicon atom :
04
I.2.2. Silicon crystal structure :
05
I.2.3. Properties of Silicon :
05
I.3. Germanium semiconductor :
08
I.3.1. Germanium atom :
09
I.3.2. Germanium crystal structure :
10
I.3.3. Properties of Germanium :
10
I.3.4. Uses of Germanium :
11
I.4. Electrical characteristics of semiconductors :
12
I.4.1. Energy Bands :
12
I.4.2. Energy gap :
13
I.4.3. Electrical conductivity :
14
I.4.4. Electrical resistivity :
15
CHAPTER II
Neutron transmutation doping of semiconductor
II.1. Semiconductor doping :
17
II.1.1. Meaning of doping in semiconductors
17
II.1.2. Types of doping :
17
II.1.3. Energy Levels of donor and acceptor atoms
20
II.2. Applications of doped semiconductors :
21
II.3. Semiconductor doping techniques :
22
II.3.1. Doping by ion implantation :
22
II.3.2. Thermal Diffusion Doping :
22
II.3.3. Doping by laser technique :
23
II.3.4. Epitaxial doping :
23
II.3.5. Neutron transmutation doping :
23
II.4. Doping of Silicon and Germanium by neutron transmutation :
24
II.4.1. Introduction to semiconductor-NTD :
24
II.4.2. Doping of Silicon by neutron transmutation :
24
II.4.3. Doping of Germanium by neutron transmutation :
27
II.5. The advantages and the disadvantages of neutron transmutation doping :
29
CHAPTER III
Study of Silicon and Germanium doping by neutron transmutation in the THOR reactor
III.1. Presentation of the THOR research reactor :
31
III.2. Presentation of the ChainSolver code :
33
III.3. The JANIS nuclear data presentation code :
36
III.4. Simulation of Silicon doping :
37
III.4.1. The Silicon transmutation chain :
37
III.4.2.The initial characteristics of the Silicon samples :
38
III.4.3. Irradiation conditions for Silicon :
39
III.5. Simulation of Germanium doping :
39
III.5.1. The Germanium transmutation chain :
39
III.5.2. The initial characteristics of the Germanium samples :
41
III.5.3. Irradiation conditions for Germanium :
41
CHAPTER IV
Analysis of results and discussion
IV.1. Silicon doping results :
42
IV.1.1. Presentation of the results :
42
IV.1.2. Determination of the final resistivities of the doped Silicon :
44
IV.1.3. The relationship between irradiation time and resistivity :
48
IV.2. Germanium doping results :
50
IV.2.1. Presentation of the results :
50
IV.2.2. Concentrations of dopants created in doped Ge :
54
IV.2.3. The resistivities of doped Germanium :
56
IV.2.4. The K compensation report :
57
IV.3. The final resistivity of doped Silicon and Germanium after isolation :
58
IV.4. Results and discussion :\
58
CONCLUSION
Côte titre : MAPH/0651 Neutron Transmutation Doping of Silicon and Germanium in the THOR Research Reactor [document électronique] / Rayan Chaib, Auteur ; Zahia Allal, Auteur ; Mounira Houas, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2024 . - 1 vol (65 f.) ; 29 cm.
Langues : Anglais (eng)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 - Physique Résumé :
Neutron transmutation doping of semiconductors is one of the most viable nuclear applications for research reactors. This technique is based on the capture of thermal neutrons by certain isotopes of the material which will be transmuted into dopants in order to reduce its resistivity. The most important advantage of this process is the good uniform distribution of dopants in the semiconductor lattice which results an excellent homogeneity in resistivity.
In our work, we studied the neutron transmutation doping of Silicon and Germanium in the core of the THOR research reactor using the ChainSolver calculation code. In this simulation, we irradiated Si and Ge samples at different neutron fluxes. Finally, the results of the effect of thermal neutron flux on the electrical resistivity of all samples are discussed.Note de contenu : Sommaire
CHAPTER I
Semiconductors : Silicon and Germanium
I.1. Definition of semiconductors :
03
I.2. Silicon semiconductor :
03
I.2.1. Silicon atom :
04
I.2.2. Silicon crystal structure :
05
I.2.3. Properties of Silicon :
05
I.3. Germanium semiconductor :
08
I.3.1. Germanium atom :
09
I.3.2. Germanium crystal structure :
10
I.3.3. Properties of Germanium :
10
I.3.4. Uses of Germanium :
11
I.4. Electrical characteristics of semiconductors :
12
I.4.1. Energy Bands :
12
I.4.2. Energy gap :
13
I.4.3. Electrical conductivity :
14
I.4.4. Electrical resistivity :
15
CHAPTER II
Neutron transmutation doping of semiconductor
II.1. Semiconductor doping :
17
II.1.1. Meaning of doping in semiconductors
17
II.1.2. Types of doping :
17
II.1.3. Energy Levels of donor and acceptor atoms
20
II.2. Applications of doped semiconductors :
21
II.3. Semiconductor doping techniques :
22
II.3.1. Doping by ion implantation :
22
II.3.2. Thermal Diffusion Doping :
22
II.3.3. Doping by laser technique :
23
II.3.4. Epitaxial doping :
23
II.3.5. Neutron transmutation doping :
23
II.4. Doping of Silicon and Germanium by neutron transmutation :
24
II.4.1. Introduction to semiconductor-NTD :
24
II.4.2. Doping of Silicon by neutron transmutation :
24
II.4.3. Doping of Germanium by neutron transmutation :
27
II.5. The advantages and the disadvantages of neutron transmutation doping :
29
CHAPTER III
Study of Silicon and Germanium doping by neutron transmutation in the THOR reactor
III.1. Presentation of the THOR research reactor :
31
III.2. Presentation of the ChainSolver code :
33
III.3. The JANIS nuclear data presentation code :
36
III.4. Simulation of Silicon doping :
37
III.4.1. The Silicon transmutation chain :
37
III.4.2.The initial characteristics of the Silicon samples :
38
III.4.3. Irradiation conditions for Silicon :
39
III.5. Simulation of Germanium doping :
39
III.5.1. The Germanium transmutation chain :
39
III.5.2. The initial characteristics of the Germanium samples :
41
III.5.3. Irradiation conditions for Germanium :
41
CHAPTER IV
Analysis of results and discussion
IV.1. Silicon doping results :
42
IV.1.1. Presentation of the results :
42
IV.1.2. Determination of the final resistivities of the doped Silicon :
44
IV.1.3. The relationship between irradiation time and resistivity :
48
IV.2. Germanium doping results :
50
IV.2.1. Presentation of the results :
50
IV.2.2. Concentrations of dopants created in doped Ge :
54
IV.2.3. The resistivities of doped Germanium :
56
IV.2.4. The K compensation report :
57
IV.3. The final resistivity of doped Silicon and Germanium after isolation :
58
IV.4. Results and discussion :\
58
CONCLUSION
Côte titre : MAPH/0651 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0651 MAPH/0651 Mémoire Bibliothéque des sciences Anglais Disponible
Disponible
Titre : Nuclear Evaluation Methods Type de document : texte imprimé Auteurs : Mounira Houas Année de publication : [2023] Importance : 1 vol (32 f.) Langues : Français (fre) Catégories : Publications pédagogiques:Physique P/P Mots-clés : Radiation Physics nuclear data evaluation ENDF Format Note de contenu : Contents :
Chapter 1 : Introduction to nuclear data evaluation
Chapter 2 : Evaluated nuclear data libraries
Chapter 3 : ENDF Format
Practical Work 1 : ENDF Libraries
Practical Work 2 : PREPRO CODES
Practical Work 3 : JANIS CODECôte titre : PPH/0001-0005 Nuclear Evaluation Methods [texte imprimé] / Mounira Houas . - [2023] . - 1 vol (32 f.).
Langues : Français (fre)
Catégories : Publications pédagogiques:Physique P/P Mots-clés : Radiation Physics nuclear data evaluation ENDF Format Note de contenu : Contents :
Chapter 1 : Introduction to nuclear data evaluation
Chapter 2 : Evaluated nuclear data libraries
Chapter 3 : ENDF Format
Practical Work 1 : ENDF Libraries
Practical Work 2 : PREPRO CODES
Practical Work 3 : JANIS CODECôte titre : PPH/0001-0005 Exemplaires (5)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité PPH/0001 PPH/0001-0005 imprimé / autre Bibliothéque des sciences Anglais Disponible
DisponiblePPH/0002 PPH/0001-0005 imprimé / autre Bibliothéque des sciences Anglais Disponible
DisponiblePPH/0003 PPH/0001-0005 imprimé / autre Bibliothéque des sciences Anglais Disponible
DisponiblePPH/0004 PPH/0001-0005 imprimé / autre Bibliothéque des sciences Anglais Disponible
DisponiblePPH/0005 PPH/0001-0005 imprimé / autre Bibliothéque des sciences Anglais Disponible
DisponibleTransmutation des actinides mineurs dans un réactreur à haut flux , application Américium -241 / Mounira Houas
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