Titre :	Etude de formation des siliciures de Ni en présence du W comme barrière de diffusion
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Benathmane,Halima, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse
Editeur :	Setif:UFA
Année de publication :	2019
Importance :	1 vol (50 f .)
Format :	29 cm
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Thèses & Mémoires:Physique
Mots-clés :	Siliciures Intercouche Nickel Tungstène
Index. décimale :	530 Physique
Résumé :	Le but de ce travail est d’étudier l’effet de W en intercouche avec le nickel Ni(50nm)/W(1nm)/Si(100) sur la séquence et la stabilité de formation des siliciures de nickel, lors des différent traitements thermiques. Nous avons utilisé les techniques de caractérisations suivantes : la diffraction des rayons X, les mesures de résistivité par la méthode des 4 pointes, microscopie électronique à balayage (MEB), analyse dispersion d’énergie des rayons X (EDX) et la microscopie à force atomique (AFM). Les résultats obtenus montrent la stabilité thermique et morphologique de la phase NiSi par l’ajoute de W et la formation de WSi2 à la surface
Note de contenu :	Sommaire Introduction générale .................................................................................................................. 1 I.1. Formation des siliciures ....................................................................................................... 2 I.1.1. La germination .............................................................................................................. 3 I.1.2. La diffusion réactive ...................................................................................................... 4 I.2. Le système nickel/silicium ................................................................................................... 5 I.2.1. Diagramme de phase Ni/Si ............................................................................................ 5 I.2.2. Formation des siliciures de nickel en films minces ....................................................... 6 I.2.3. Intérêt de la siliciuration ................................................................................................ 8 I.2.4. Dégradation du NiSi à haute température ..................................................................... 8 a) Formation de NiSi2 ...................................................................................................... 8 b) Les enjeux de la stabilité morphologique de la couche de NiSi .................................. 9 I.3. Barrière à la diffusion de nickel ........................................................................................... 9 I.4. Application de NiSi dans l’industrie .................................................................................. 10 I.4.1. Principe de fonctionnement du transistor .................................................................... 10 Chapitre II : Techniques expérimentales utilisées II.1. Technique d’élaboration des couches minces................................................................... 12 II.1.1. Principe de la pulvérisation cathodique .................................................................... 12 II.1.2. Préparation des substrats ............................................................................................ 13 II.1.3. Dépôts des échantillons .............................................................................................. 13 II.1.4. Recuit thermique rapide ............................................................................................. 13 II.2. Techniques de caractérisations ......................................................................................... 14 II.2.1. Diffraction des rayons X (DRX) ................................................................................ 14 II.2.2. Mesure de la résistance de couche (Rs) : la méthode de 4 pointes ........................... 15 II.2.3. Microscopie électronique à balayage (MEB) et microanalyse (EDX) ...................... 16 II.2.3.1. Microscopie électronique à balayage (MEB) ...................................................... 16 II.2.4. Microscopie à force atomique (AFM) ....................................................................... 17 Chapitre III : Résultats et interprétations III.1. Analyse structurale par DRX .......................................................................................... 18 III.2: Mesure de résistivité surfacique Rs ................................................................................. 26 III.3: Etude de morphologie par MEB et analyse par EDX ..................................................... 28 III.4. Analyse par microscopie à force atomique (AFM) ......................................................... 31 Conclusion générale ................................................................................................................. 33 Annexe Références
Côte titre :	MAPH/0320
En ligne :	https://drive.google.com/file/d/1o55pXUTu4XRUwAuvlD_f1YQaGfE8B8Nw/view?usp=shari [...]
Format de la ressource électronique :	pdf

Etude de formation des siliciures de Ni en présence du W comme barrière de diffusion [texte imprimé] / Benathmane,Halima, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (50 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)

Catégories :	Thèses & Mémoires:Physique
Mots-clés :	Siliciures Intercouche Nickel Tungstène
Index. décimale :	530 Physique
Résumé :	Le but de ce travail est d’étudier l’effet de W en intercouche avec le nickel Ni(50nm)/W(1nm)/Si(100) sur la séquence et la stabilité de formation des siliciures de nickel, lors des différent traitements thermiques. Nous avons utilisé les techniques de caractérisations suivantes : la diffraction des rayons X, les mesures de résistivité par la méthode des 4 pointes, microscopie électronique à balayage (MEB), analyse dispersion d’énergie des rayons X (EDX) et la microscopie à force atomique (AFM). Les résultats obtenus montrent la stabilité thermique et morphologique de la phase NiSi par l’ajoute de W et la formation de WSi2 à la surface
Note de contenu :	Sommaire Introduction générale .................................................................................................................. 1 I.1. Formation des siliciures ....................................................................................................... 2 I.1.1. La germination .............................................................................................................. 3 I.1.2. La diffusion réactive ...................................................................................................... 4 I.2. Le système nickel/silicium ................................................................................................... 5 I.2.1. Diagramme de phase Ni/Si ............................................................................................ 5 I.2.2. Formation des siliciures de nickel en films minces ....................................................... 6 I.2.3. Intérêt de la siliciuration ................................................................................................ 8 I.2.4. Dégradation du NiSi à haute température ..................................................................... 8 a) Formation de NiSi2 ...................................................................................................... 8 b) Les enjeux de la stabilité morphologique de la couche de NiSi .................................. 9 I.3. Barrière à la diffusion de nickel ........................................................................................... 9 I.4. Application de NiSi dans l’industrie .................................................................................. 10 I.4.1. Principe de fonctionnement du transistor .................................................................... 10 Chapitre II : Techniques expérimentales utilisées II.1. Technique d’élaboration des couches minces................................................................... 12 II.1.1. Principe de la pulvérisation cathodique .................................................................... 12 II.1.2. Préparation des substrats ............................................................................................ 13 II.1.3. Dépôts des échantillons .............................................................................................. 13 II.1.4. Recuit thermique rapide ............................................................................................. 13 II.2. Techniques de caractérisations ......................................................................................... 14 II.2.1. Diffraction des rayons X (DRX) ................................................................................ 14 II.2.2. Mesure de la résistance de couche (Rs) : la méthode de 4 pointes ........................... 15 II.2.3. Microscopie électronique à balayage (MEB) et microanalyse (EDX) ...................... 16 II.2.3.1. Microscopie électronique à balayage (MEB) ...................................................... 16 II.2.4. Microscopie à force atomique (AFM) ....................................................................... 17 Chapitre III : Résultats et interprétations III.1. Analyse structurale par DRX .......................................................................................... 18 III.2: Mesure de résistivité surfacique Rs ................................................................................. 26 III.3: Etude de morphologie par MEB et analyse par EDX ..................................................... 28 III.4. Analyse par microscopie à force atomique (AFM) ......................................................... 31 Conclusion générale ................................................................................................................. 33 Annexe Références
Côte titre :	MAPH/0320
En ligne :	https://drive.google.com/file/d/1o55pXUTu4XRUwAuvlD_f1YQaGfE8B8Nw/view?usp=shari [...]
Format de la ressource électronique :	pdf