Influence de la concentration du Sn sur la phase CZTS / Ferhat,Zeyneb  

Public ISBD Titre : Influence de la concentration du Sn sur la phase CZTS Type de document : texte imprimé Auteurs : Ferhat,Zeyneb, Auteur ; Boudissa,M, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2018 Importance : 1 vol (40 f) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Kesterite CZTS couches minces absorbeur, spray pyrolyse DRX phases secondaires cellule solaire, Index. décimale : 530 Physique Résumé : La kesterite Cu2ZnSnS4 (CZTS) est un semi-conducteur de type p composé d'éléments abondants et non toxiques. Utilisé comme absorbeur dans CS. dotés de bonnes propriétés physiques (énergie de bande interdite 1.4-1.6 eV ) le travail présente le dépôt de couches minces de Cu2ZnSnS4 (CZTS) et Cu2Zn1+xSn1xS4 par spray pyrolyse et d’investiguer l’influence de la concentration du Sn sur la phase CZTS.Ces couches sont analysées par diverses techniques de caractérisations, Les diverses analyses des films CZTS déposés ont montré que les propriétés fondamentales dépendent des conditions opératoires. les spectres de DRX ont montré que les films obtenus présentent une coexistence d’une phase cristalline de CZTS d’orientation préférentielle suivant la direction (112) et des phases secondaires . La valeur du gap optique varie de 1.94 à 1.99 eV. Ces matériaux sont des bon candidats d’etre utilisé autant que couche absorbante dans les cellules solaire. Note de contenu : Sommaire Introduction générale 1 CHAPITRE I Généralités sur la Kesterite CZTS I.1 les semi-conducteurs 3 I.1.1 Semi-conducteur intrinsèque 3 I.1.2 semi-conducteur extrinsèque 4 I.1.2.a. Semi-conducteurs de type n 4 I.1.2.b. Semi-conducteurs de type p 4 I.2 La Kesterite (Cu2ZnSnS4) 5 I.3 Les propriétés du (Cu2ZnSnS4) 5 I.3.1 Propriétés structurales 5 I.3.2 Propriétés optiques 7 I3.3 Propriétés électriques 7 CHAPITRE II Techniques d’élaboration II.1 Notion de couche mince 9 II.2 Mécanismes de dépôt des couches minces 9 II.3 Procédé physique 9 II.3.1 La pulvérisation cathodique 10 II.4 procédé chimique 10 II.4.1 Spray Pyrolyse 10 II.4.1.1 Réaction Chimique sur le substrat (dépôt) 12 II.4.2 Sol-gel 13 II.4.2.1.Réactions mises en jeu 14 II.4.2.2Dépôt des couches minces par dip coating 14 CHAPITRE III les Techniques De Caractérisations III.1.Diffraction des rayons X (DRX) 15 III.1.1.Principe 15 III.1.2.Détermination de la taille des grains 17 III.2.Microscope à Force Atomique (AFM) 17 III.3.La spectroscopie Raman 18 III.4.Spectrophotomètre UV-VIS 19 III.5.Spectroscopie d’absorption infrarouge 19 III.6. Spectrométrie de fluorescence X 20 III.7.Méthodes des quatre pointes 20 CHAPITRE IV Résultats Et Discussions IV.1.Préparation de la solution CZTS 22 IV.2.Préparation de la solution Cu2Zn1+xSn1+xS4 22 IV.3.Nettoyage des substrats 23 IV.4.Dépôt des couches 24 IV.5.Analyses compositionnelles 24 IV.5.1 Analyse par Spectrométrie de fluorescence X (XRF) 24 IV. 6 Analyses structurales 25 IV.6.1 Analyses pat diffraction des rayons X (DRX) 25 IV.6.2 Paramètre de maille el la taille des grains 28 IV.6.3 Analyse par spectroscopie Raman 29 IV.6 .4 Analyse de la morphologique 30 IV.7 Caractérisations optiques 31 IV.7.1 Gap optique 33 IV.7.2 Spectroscopie infrarouge 34 IV.8 Propriétés électriques 35 Conclusion générale 36 Références 38 Côte titre : MAPH/0267 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1OQ6AbcoLeIR5oTF20I9AgikwduU_ok1K/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf Influence de la concentration du Sn sur la phase CZTS [texte imprimé] / Ferhat,Zeyneb, Auteur ; Boudissa,M, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2018 . - 1 vol (40 f) ; 29 cm. Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Kesterite CZTS couches minces absorbeur, spray pyrolyse DRX phases secondaires cellule solaire, Index. décimale : 530 Physique Résumé : La kesterite Cu2ZnSnS4 (CZTS) est un semi-conducteur de type p composé d'éléments abondants et non toxiques. Utilisé comme absorbeur dans CS. dotés de bonnes propriétés physiques (énergie de bande interdite 1.4-1.6 eV ) le travail présente le dépôt de couches minces de Cu2ZnSnS4 (CZTS) et Cu2Zn1+xSn1xS4 par spray pyrolyse et d’investiguer l’influence de la concentration du Sn sur la phase CZTS.Ces couches sont analysées par diverses techniques de caractérisations, Les diverses analyses des films CZTS déposés ont montré que les propriétés fondamentales dépendent des conditions opératoires. les spectres de DRX ont montré que les films obtenus présentent une coexistence d’une phase cristalline de CZTS d’orientation préférentielle suivant la direction (112) et des phases secondaires . La valeur du gap optique varie de 1.94 à 1.99 eV. Ces matériaux sont des bon candidats d’etre utilisé autant que couche absorbante dans les cellules solaire. Note de contenu : Sommaire Introduction générale 1 CHAPITRE I Généralités sur la Kesterite CZTS I.1 les semi-conducteurs 3 I.1.1 Semi-conducteur intrinsèque 3 I.1.2 semi-conducteur extrinsèque 4 I.1.2.a. Semi-conducteurs de type n 4 I.1.2.b. Semi-conducteurs de type p 4 I.2 La Kesterite (Cu2ZnSnS4) 5 I.3 Les propriétés du (Cu2ZnSnS4) 5 I.3.1 Propriétés structurales 5 I.3.2 Propriétés optiques 7 I3.3 Propriétés électriques 7 CHAPITRE II Techniques d’élaboration II.1 Notion de couche mince 9 II.2 Mécanismes de dépôt des couches minces 9 II.3 Procédé physique 9 II.3.1 La pulvérisation cathodique 10 II.4 procédé chimique 10 II.4.1 Spray Pyrolyse 10 II.4.1.1 Réaction Chimique sur le substrat (dépôt) 12 II.4.2 Sol-gel 13 II.4.2.1.Réactions mises en jeu 14 II.4.2.2Dépôt des couches minces par dip coating 14 CHAPITRE III les Techniques De Caractérisations III.1.Diffraction des rayons X (DRX) 15 III.1.1.Principe 15 III.1.2.Détermination de la taille des grains 17 III.2.Microscope à Force Atomique (AFM) 17 III.3.La spectroscopie Raman 18 III.4.Spectrophotomètre UV-VIS 19 III.5.Spectroscopie d’absorption infrarouge 19 III.6. Spectrométrie de fluorescence X 20 III.7.Méthodes des quatre pointes 20 CHAPITRE IV Résultats Et Discussions IV.1.Préparation de la solution CZTS 22 IV.2.Préparation de la solution Cu2Zn1+xSn1+xS4 22 IV.3.Nettoyage des substrats 23 IV.4.Dépôt des couches 24 IV.5.Analyses compositionnelles 24 IV.5.1 Analyse par Spectrométrie de fluorescence X (XRF) 24 IV. 6 Analyses structurales 25 IV.6.1 Analyses pat diffraction des rayons X (DRX) 25 IV.6.2 Paramètre de maille el la taille des grains 28 IV.6.3 Analyse par spectroscopie Raman 29 IV.6 .4 Analyse de la morphologique 30 IV.7 Caractérisations optiques 31 IV.7.1 Gap optique 33 IV.7.2 Spectroscopie infrarouge 34 IV.8 Propriétés électriques 35 Conclusion générale 36 Références 38 Côte titre : MAPH/0267 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1OQ6AbcoLeIR5oTF20I9AgikwduU_ok1K/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf

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MAPH/0267	MAPH/0267	Mémoire	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible

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