University Sétif 1 FERHAT ABBAS Faculty of Sciences
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Titre : Etude de formation des siliciures de l’alliage Pd-Ge Type de document : texte imprimé Auteurs : Kadri, Khalissa, Auteur ; A Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2019 Importance : 1 vol (32 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans ce travaille, nous avons étudié la nature des phases qui se forment lors de la réaction du film métallique de Pd10nm/PdGe40nm avec un substrat de silicium subi à un recuit thermique rapide (RTP) déposées par pulvérisation cathodique. Cette étude a été réalisé principalement en utilisant les techniques de caractérisation suivantes : la diffraction des rayons X (DRX), microscopie à force atomique (AFM), microscopie électronique à balayage (MEB), analyse dispersion d’énergie des rayons X (EDX).
Les résultats obtenus par DRX montrent que le traitement thermique à 400°C conduit à la formation des phases Pd2Si et Pd2Ge. Ce qui indique qu’une réaction a consommé totalement le PdGe et a engendré la formation d’autres siliciures plus stables.Note de contenu : Sommaire
Introduction générale .............................................................................................................. 1
Chapitre I : Généralités sur les réactions métal/ silicium
I.1. Introduction ...................................................................................................................... 2
I.2. Formation des siliciures ................................................................................................... 2
I.2.1 La germination ................................................................................................................... 4
I.2.2. Rappel sur la diffusion ...................................................................................................... 5
I.2.3 Cinétique de croissance des siliciures ................................................................................ 5
I.3. Propriétés des siliciures de palladium .............................................................................. 6
I.3.1. Diagramme de phase Pd-Si ............................................................................................... 6
I.3.2. Formation des siliciures de palladium en filme minces .................................................... 7
I.4. Application de PdSi dans l’industrie ................................................................................ 8
I.4.1. Constitution d’un MOSFET .............................................................................................. 8
I.4.2. principe de fonctionnement ............................................................................................... 9
I.4.3. Différents type de construction ....................................................................................... 11
I.4.4. Le procédé SALICIDE : autoalignement du siliciure ..................................................... 11
I.5. Effet des éléments d’alliages sur la siliciuration ............................................................ 13
Chapitre II : Techniques expérimentale utilisées
II.1. Introduction ................................................................................................................... 14
II.2. Techniques d’élaboration des couches minces ............................................................. 14
II.2.1. Nettoyage du substrat .................................................................................................... 14
II.2.2. Pulvérisation cathodique ................................................................................................ 14
II.2.2.1. Principe de pulvérisation cathodique .......................................................................... 14
II.2.2.2. Dispositif expérimental ............................................................................................... 15
II.2.3. Recuit thermique rapide ................................................................................................. 16
II.3. Caractérisation structurale ............................................................................................ 17
II.3.1. Diffraction des rayons X (DRX) ................................................................................... 17
II.3.2. Dispositif de diffraction ................................................................................................. 18
II.4. Caractérisation morphologique ..................................................................................... 20
II.4.1. Microscope à force atomique (AFM) ............................................................................ 20
II.4.2. Microscope électronique à balayage (MEB) ................................................................. 21
II.4.3. Analyse EDX (Energy dispersives (x-ray) spectrometry) ............................................. 22
Chapitre III : Résultats expérimentaux et interprétation
III.1.Introduction .................................................................................................................. 23
III.2 Analyse structurale par diffraction des rayons X (DRX) ............................................. 23
III.2.1. Systèmes Pd10nm/PdGe40nm/Si(100) avant recuit thermique ................................... 23
III.2.2. Systèmes Pd10nm/PdGe40nm/Si(100) après recuit thermique ................................... 25
III.2.3. Paramètres de maille et taille des grains ...................................................................... 27
III.3. Caractérisation morphologique .................................................................................... 29
III.3.1. Microscope à force atomique (AFM) .......................................................................... 29
III.3.2. étude morphologie par MEB et analyse par EDX ........................................................ 30
Conclusion générale ................................................................................................................. 32
Annexes……………………….…………………………………………………………………………………………………………..…….33
Références ................................................................................................................................ 41Côte titre : MAPH/0304 En ligne : https://drive.google.com/file/d/10kawMaRVjI0mrtFl_n9hyjX1u1sQVDbh/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude de formation des siliciures de l’alliage Pd-Ge [texte imprimé] / Kadri, Khalissa, Auteur ; A Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (32 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans ce travaille, nous avons étudié la nature des phases qui se forment lors de la réaction du film métallique de Pd10nm/PdGe40nm avec un substrat de silicium subi à un recuit thermique rapide (RTP) déposées par pulvérisation cathodique. Cette étude a été réalisé principalement en utilisant les techniques de caractérisation suivantes : la diffraction des rayons X (DRX), microscopie à force atomique (AFM), microscopie électronique à balayage (MEB), analyse dispersion d’énergie des rayons X (EDX).
Les résultats obtenus par DRX montrent que le traitement thermique à 400°C conduit à la formation des phases Pd2Si et Pd2Ge. Ce qui indique qu’une réaction a consommé totalement le PdGe et a engendré la formation d’autres siliciures plus stables.Note de contenu : Sommaire
Introduction générale .............................................................................................................. 1
Chapitre I : Généralités sur les réactions métal/ silicium
I.1. Introduction ...................................................................................................................... 2
I.2. Formation des siliciures ................................................................................................... 2
I.2.1 La germination ................................................................................................................... 4
I.2.2. Rappel sur la diffusion ...................................................................................................... 5
I.2.3 Cinétique de croissance des siliciures ................................................................................ 5
I.3. Propriétés des siliciures de palladium .............................................................................. 6
I.3.1. Diagramme de phase Pd-Si ............................................................................................... 6
I.3.2. Formation des siliciures de palladium en filme minces .................................................... 7
I.4. Application de PdSi dans l’industrie ................................................................................ 8
I.4.1. Constitution d’un MOSFET .............................................................................................. 8
I.4.2. principe de fonctionnement ............................................................................................... 9
I.4.3. Différents type de construction ....................................................................................... 11
I.4.4. Le procédé SALICIDE : autoalignement du siliciure ..................................................... 11
I.5. Effet des éléments d’alliages sur la siliciuration ............................................................ 13
Chapitre II : Techniques expérimentale utilisées
II.1. Introduction ................................................................................................................... 14
II.2. Techniques d’élaboration des couches minces ............................................................. 14
II.2.1. Nettoyage du substrat .................................................................................................... 14
II.2.2. Pulvérisation cathodique ................................................................................................ 14
II.2.2.1. Principe de pulvérisation cathodique .......................................................................... 14
II.2.2.2. Dispositif expérimental ............................................................................................... 15
II.2.3. Recuit thermique rapide ................................................................................................. 16
II.3. Caractérisation structurale ............................................................................................ 17
II.3.1. Diffraction des rayons X (DRX) ................................................................................... 17
II.3.2. Dispositif de diffraction ................................................................................................. 18
II.4. Caractérisation morphologique ..................................................................................... 20
II.4.1. Microscope à force atomique (AFM) ............................................................................ 20
II.4.2. Microscope électronique à balayage (MEB) ................................................................. 21
II.4.3. Analyse EDX (Energy dispersives (x-ray) spectrometry) ............................................. 22
Chapitre III : Résultats expérimentaux et interprétation
III.1.Introduction .................................................................................................................. 23
III.2 Analyse structurale par diffraction des rayons X (DRX) ............................................. 23
III.2.1. Systèmes Pd10nm/PdGe40nm/Si(100) avant recuit thermique ................................... 23
III.2.2. Systèmes Pd10nm/PdGe40nm/Si(100) après recuit thermique ................................... 25
III.2.3. Paramètres de maille et taille des grains ...................................................................... 27
III.3. Caractérisation morphologique .................................................................................... 29
III.3.1. Microscope à force atomique (AFM) .......................................................................... 29
III.3.2. étude morphologie par MEB et analyse par EDX ........................................................ 30
Conclusion générale ................................................................................................................. 32
Annexes……………………….…………………………………………………………………………………………………………..…….33
Références ................................................................................................................................ 41Côte titre : MAPH/0304 En ligne : https://drive.google.com/file/d/10kawMaRVjI0mrtFl_n9hyjX1u1sQVDbh/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0304 MAPH/0304 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEtude de formation des siliciures de Ni en présence du W comme barrière de diffusion / Benathmane,Halima
Titre : Etude de formation des siliciures de Ni en présence du W comme barrière de diffusion Type de document : texte imprimé Auteurs : Benathmane,Halima, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2019 Importance : 1 vol (50 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Siliciures
Intercouche
Nickel
TungstèneIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Le but de ce travail est d’étudier l’effet de W en intercouche avec le nickel Ni(50nm)/W(1nm)/Si(100) sur la séquence et la stabilité de formation des siliciures de nickel, lors des différent traitements thermiques.
Nous avons utilisé les techniques de caractérisations suivantes : la diffraction des rayons X, les mesures de résistivité par la méthode des 4 pointes, microscopie électronique à balayage (MEB), analyse dispersion d’énergie des rayons X (EDX) et la microscopie à force atomique (AFM).
Les résultats obtenus montrent la stabilité thermique et morphologique de la phase NiSi par l’ajoute de W et la formation de WSi2 à la surfaceNote de contenu :
Sommaire
Introduction générale .................................................................................................................. 1
I.1. Formation des siliciures ....................................................................................................... 2
I.1.1. La germination .............................................................................................................. 3
I.1.2. La diffusion réactive ...................................................................................................... 4
I.2. Le système nickel/silicium ................................................................................................... 5
I.2.1. Diagramme de phase Ni/Si ............................................................................................ 5
I.2.2. Formation des siliciures de nickel en films minces ....................................................... 6
I.2.3. Intérêt de la siliciuration ................................................................................................ 8
I.2.4. Dégradation du NiSi à haute température ..................................................................... 8
a) Formation de NiSi2 ...................................................................................................... 8
b) Les enjeux de la stabilité morphologique de la couche de NiSi .................................. 9
I.3. Barrière à la diffusion de nickel ........................................................................................... 9
I.4. Application de NiSi dans l’industrie .................................................................................. 10
I.4.1. Principe de fonctionnement du transistor .................................................................... 10
Chapitre II : Techniques expérimentales utilisées
II.1. Technique d’élaboration des couches minces................................................................... 12
II.1.1. Principe de la pulvérisation cathodique .................................................................... 12
II.1.2. Préparation des substrats ............................................................................................ 13
II.1.3. Dépôts des échantillons .............................................................................................. 13
II.1.4. Recuit thermique rapide ............................................................................................. 13
II.2. Techniques de caractérisations ......................................................................................... 14
II.2.1. Diffraction des rayons X (DRX) ................................................................................ 14
II.2.2. Mesure de la résistance de couche (Rs) : la méthode de 4 pointes ........................... 15
II.2.3. Microscopie électronique à balayage (MEB) et microanalyse (EDX) ...................... 16
II.2.3.1. Microscopie électronique à balayage (MEB) ...................................................... 16
II.2.4. Microscopie à force atomique (AFM) ....................................................................... 17
Chapitre III : Résultats et interprétations
III.1. Analyse structurale par DRX .......................................................................................... 18
III.2: Mesure de résistivité surfacique Rs ................................................................................. 26
III.3: Etude de morphologie par MEB et analyse par EDX ..................................................... 28
III.4. Analyse par microscopie à force atomique (AFM) ......................................................... 31
Conclusion générale ................................................................................................................. 33
Annexe
RéférencesCôte titre : MAPH/0320 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1o55pXUTu4XRUwAuvlD_f1YQaGfE8B8Nw/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude de formation des siliciures de Ni en présence du W comme barrière de diffusion [texte imprimé] / Benathmane,Halima, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (50 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Siliciures
Intercouche
Nickel
TungstèneIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Le but de ce travail est d’étudier l’effet de W en intercouche avec le nickel Ni(50nm)/W(1nm)/Si(100) sur la séquence et la stabilité de formation des siliciures de nickel, lors des différent traitements thermiques.
Nous avons utilisé les techniques de caractérisations suivantes : la diffraction des rayons X, les mesures de résistivité par la méthode des 4 pointes, microscopie électronique à balayage (MEB), analyse dispersion d’énergie des rayons X (EDX) et la microscopie à force atomique (AFM).
Les résultats obtenus montrent la stabilité thermique et morphologique de la phase NiSi par l’ajoute de W et la formation de WSi2 à la surfaceNote de contenu :
Sommaire
Introduction générale .................................................................................................................. 1
I.1. Formation des siliciures ....................................................................................................... 2
I.1.1. La germination .............................................................................................................. 3
I.1.2. La diffusion réactive ...................................................................................................... 4
I.2. Le système nickel/silicium ................................................................................................... 5
I.2.1. Diagramme de phase Ni/Si ............................................................................................ 5
I.2.2. Formation des siliciures de nickel en films minces ....................................................... 6
I.2.3. Intérêt de la siliciuration ................................................................................................ 8
I.2.4. Dégradation du NiSi à haute température ..................................................................... 8
a) Formation de NiSi2 ...................................................................................................... 8
b) Les enjeux de la stabilité morphologique de la couche de NiSi .................................. 9
I.3. Barrière à la diffusion de nickel ........................................................................................... 9
I.4. Application de NiSi dans l’industrie .................................................................................. 10
I.4.1. Principe de fonctionnement du transistor .................................................................... 10
Chapitre II : Techniques expérimentales utilisées
II.1. Technique d’élaboration des couches minces................................................................... 12
II.1.1. Principe de la pulvérisation cathodique .................................................................... 12
II.1.2. Préparation des substrats ............................................................................................ 13
II.1.3. Dépôts des échantillons .............................................................................................. 13
II.1.4. Recuit thermique rapide ............................................................................................. 13
II.2. Techniques de caractérisations ......................................................................................... 14
II.2.1. Diffraction des rayons X (DRX) ................................................................................ 14
II.2.2. Mesure de la résistance de couche (Rs) : la méthode de 4 pointes ........................... 15
II.2.3. Microscopie électronique à balayage (MEB) et microanalyse (EDX) ...................... 16
II.2.3.1. Microscopie électronique à balayage (MEB) ...................................................... 16
II.2.4. Microscopie à force atomique (AFM) ....................................................................... 17
Chapitre III : Résultats et interprétations
III.1. Analyse structurale par DRX .......................................................................................... 18
III.2: Mesure de résistivité surfacique Rs ................................................................................. 26
III.3: Etude de morphologie par MEB et analyse par EDX ..................................................... 28
III.4. Analyse par microscopie à force atomique (AFM) ......................................................... 31
Conclusion générale ................................................................................................................. 33
Annexe
RéférencesCôte titre : MAPH/0320 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1o55pXUTu4XRUwAuvlD_f1YQaGfE8B8Nw/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0320 MAPH/0320 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Sorti jusqu'au 21/05/2024Etude de formation des siliciures de nickel en presence de l'yttrium / Sayah, Fares
Titre : Etude de formation des siliciures de nickel en presence de l'yttrium Type de document : texte imprimé Auteurs : Sayah, Fares, Auteur ; A Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2018 Importance : 1 vol (30 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Informatique Mots-clés : Terre rares
Siliciures
Implantation ionique
yttrium
DRXIndex. décimale : 004 - Informatique Résumé : Le présent travail porte sur l’effet présence de l’yttrium, implanter dans le substrat de silicium par implantation ionique avec une dose de 2x1017Y+/cm2 et une énergie égale à 195keV, sur la formation des siliciures de nickel. Nous commençons d’abord par l’étude de système binaire Ni(50nm)/Si(100) lors des différents traitements thermiques. Par la suite nous avons étudies le système Ni(50nm)/Y(2x1017Y+/cm2)/Si(100).
Nous avons utilisé la diffraction des rayons X pour la caractérisation structurales, microstructurale et à l’étude de la croissance etconsommation de Ni dans le Si.
Les résultats obtenus par DRX montrent que l’implantation d'yttrium dans le substrat de silicium a une influence sur la formation des siliciures de nickel.Note de contenu : Sommaire
Introduction générale …………………………………………………………………..
1
Chapitre I : Généralités sur les réactions métal/silicium
I.1. Introduction………………………………………………………………………...
2
I.2. Formation des siliciures…………………………………………………………….
2
I.2.1. La germination……………………………………………………………….
3
I.2.2. La diffusion réactive…………………………………………………………
4
I.3. Propriétés des siliciures de nickel…………………………………………………..
5
I.3.1. Le diagramme de phase Ni-Si………………………………………………
5
I.3.2. Formation des siliciures de nickel en films minces…………………………
6
I.3.3. Dégradation du NiSi à haute température……………………………………
8
I.3.3.a. Formation de NiSi2…………………………………………………..
8
I.3.3.b. L'agglomération du NiSi……………………………………………
8
I.4. Application de NiSi dans l’industrie……………………………………………….
9
I.4.1. Constitution d’un MOSFET et représentation symbolique………………….
9
I.4.2. Principe de fonctionnement du Transistor..………………………………….
9
I.4.3. Technologie ‘’saliciure ‘’ en micro-électronique……………………………
10
I.5. Elément d’alliage et barrière de diffusion de nickel……………………………….
12
Chapitre II : Techniques expérimentale utilisées
II.1. Introduction……………………………………………………………………….
13
II.2. Technique d’élaboration des couches minces…………………………………….
13
II.2.1. Nettoyage du substrat………………………………………………………
13
II.2.2. Pulvérisation cathodique…………………………………………………...
13
II.2.2.1. Principe de pulvérisation cathodique……………………………..
13
II.2.2.2. Présentation du dispositif expérimental………………………….
15
II.2.3. Recuits thermiques rapides………………………………………………..
16 II.2.4. L'implantation ionique…………………………………………………….
17 II.2.4.1. Principe de l'implantation ionique………………………………...
17 II.2.4.2. L’implanteur ionique……………………………………………...
17 II.2.4.3. Ralentissement et arrêt des ions dans un matériau……………….
18 a) Collisions élastiques………………………………………….
18 b) Collisions inélastiques………………………………………..
18
II.2.4.4. Simulation des trajectoires de particules…………………………
19
II.3. Technique de caractérisation………………………………………………………
20
II.3.1. Diffraction du rayon X……………………………………………………..
20
II.3.2. Dispositif experimental…………………………………………………….
23
Chapitre III : Résultats expérimentaux et interprétation
III.1. Analyse structurale par diffraction des rayons X (DRX)…………………………
24
III. 1.1. Systèmes Ni(50nm) /Si (100) (référence)………………………………..
24
III.1.2. Etude de la cinétique de consommation nickel dans le silicium………….
27
III.1.3. Systèmes Y-Si(111)……………………………………………………….
28
III.1.4. Systèmes Ni(50nm) /Y-Si (111)…………………………………………..
28
Conclusion générale…………………………………………………………………….
31
Annexe …………………………………………………………………………………
32
Références………………………………………………………………………………Côte titre : MAPH/0296 Etude de formation des siliciures de nickel en presence de l'yttrium [texte imprimé] / Sayah, Fares, Auteur ; A Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2018 . - 1 vol (30 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Informatique Mots-clés : Terre rares
Siliciures
Implantation ionique
yttrium
DRXIndex. décimale : 004 - Informatique Résumé : Le présent travail porte sur l’effet présence de l’yttrium, implanter dans le substrat de silicium par implantation ionique avec une dose de 2x1017Y+/cm2 et une énergie égale à 195keV, sur la formation des siliciures de nickel. Nous commençons d’abord par l’étude de système binaire Ni(50nm)/Si(100) lors des différents traitements thermiques. Par la suite nous avons étudies le système Ni(50nm)/Y(2x1017Y+/cm2)/Si(100).
Nous avons utilisé la diffraction des rayons X pour la caractérisation structurales, microstructurale et à l’étude de la croissance etconsommation de Ni dans le Si.
Les résultats obtenus par DRX montrent que l’implantation d'yttrium dans le substrat de silicium a une influence sur la formation des siliciures de nickel.Note de contenu : Sommaire
Introduction générale …………………………………………………………………..
1
Chapitre I : Généralités sur les réactions métal/silicium
I.1. Introduction………………………………………………………………………...
2
I.2. Formation des siliciures…………………………………………………………….
2
I.2.1. La germination……………………………………………………………….
3
I.2.2. La diffusion réactive…………………………………………………………
4
I.3. Propriétés des siliciures de nickel…………………………………………………..
5
I.3.1. Le diagramme de phase Ni-Si………………………………………………
5
I.3.2. Formation des siliciures de nickel en films minces…………………………
6
I.3.3. Dégradation du NiSi à haute température……………………………………
8
I.3.3.a. Formation de NiSi2…………………………………………………..
8
I.3.3.b. L'agglomération du NiSi……………………………………………
8
I.4. Application de NiSi dans l’industrie……………………………………………….
9
I.4.1. Constitution d’un MOSFET et représentation symbolique………………….
9
I.4.2. Principe de fonctionnement du Transistor..………………………………….
9
I.4.3. Technologie ‘’saliciure ‘’ en micro-électronique……………………………
10
I.5. Elément d’alliage et barrière de diffusion de nickel……………………………….
12
Chapitre II : Techniques expérimentale utilisées
II.1. Introduction……………………………………………………………………….
13
II.2. Technique d’élaboration des couches minces…………………………………….
13
II.2.1. Nettoyage du substrat………………………………………………………
13
II.2.2. Pulvérisation cathodique…………………………………………………...
13
II.2.2.1. Principe de pulvérisation cathodique……………………………..
13
II.2.2.2. Présentation du dispositif expérimental………………………….
15
II.2.3. Recuits thermiques rapides………………………………………………..
16 II.2.4. L'implantation ionique…………………………………………………….
17 II.2.4.1. Principe de l'implantation ionique………………………………...
17 II.2.4.2. L’implanteur ionique……………………………………………...
17 II.2.4.3. Ralentissement et arrêt des ions dans un matériau……………….
18 a) Collisions élastiques………………………………………….
18 b) Collisions inélastiques………………………………………..
18
II.2.4.4. Simulation des trajectoires de particules…………………………
19
II.3. Technique de caractérisation………………………………………………………
20
II.3.1. Diffraction du rayon X……………………………………………………..
20
II.3.2. Dispositif experimental…………………………………………………….
23
Chapitre III : Résultats expérimentaux et interprétation
III.1. Analyse structurale par diffraction des rayons X (DRX)…………………………
24
III. 1.1. Systèmes Ni(50nm) /Si (100) (référence)………………………………..
24
III.1.2. Etude de la cinétique de consommation nickel dans le silicium………….
27
III.1.3. Systèmes Y-Si(111)……………………………………………………….
28
III.1.4. Systèmes Ni(50nm) /Y-Si (111)…………………………………………..
28
Conclusion générale…………………………………………………………………….
31
Annexe …………………………………………………………………………………
32
Références………………………………………………………………………………Côte titre : MAPH/0296 Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité aucun exemplaire
Titre : Etude de formation des siliciures de nickel en presence de l'yttrium Type de document : texte imprimé Auteurs : Sayah, Fares, Auteur ; A Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2018 Importance : 1 vol (30 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Terre rares
Siliciures
Implantation ionique
yttrium
DRXIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Le présent travail porte sur l’effet présence de l’yttrium, implanter dans le substrat de silicium par implantation ionique avec une dose de 2x1017Y+/cm2 et une énergie égale à 195keV, sur la formation des siliciures de nickel. Nous commençons d’abord par l’étude de système binaire Ni(50nm)/Si(100) lors des différents traitements thermiques. Par la suite nous avons étudies le système Ni(50nm)/Y(2x1017Y+/cm2)/Si(100).
Nous avons utilisé la diffraction des rayons X pour la caractérisation structurales, microstructurale et à l’étude de la croissance etconsommation de Ni dans le Si.
Les résultats obtenus par DRX montrent que l’implantation d'yttrium dans le substrat de silicium a une influence sur la formation des siliciures de nickel.Note de contenu :
Sommaire
Introduction générale …………………………………………………………………..1
Chapitre I : Généralités sur les réactions métal/silicium
I.1. Introduction………………………………………………………………………...2
I.2. Formation des siliciures…………………………………………………………….2
I.2.1. La germination……………………………………………………………….3
I.2.2. La diffusion réactive…………………………………………………………4
I.3. Propriétés des siliciures de nickel…………………………………………………..5
I.3.1. Le diagramme de phase Ni-Si………………………………………………5
I.3.2. Formation des siliciures de nickel en films minces…………………………6
I.3.3. Dégradation du NiSi à haute température……………………………………8
I.3.3.a. Formation de NiSi2…………………………………………………..8
I.3.3.b. L'agglomération du NiSi……………………………………………8
I.4. Application de NiSi dans l’industrie……………………………………………….9
I.4.1. Constitution d’un MOSFET et représentation symbolique………………….9
I.4.2. Principe de fonctionnement du Transistor..………………………………….9
I.4.3. Technologie ‘’saliciure ‘’ en micro-électronique……………………………10
I.5. Elément d’alliage et barrière de diffusion de nickel……………………………….12
Chapitre II : Techniques expérimentale utilisées
II.1. Introduction……………………………………………………………………….13
II.2. Technique d’élaboration des couches minces…………………………………….13
II.2.1. Nettoyage du substrat………………………………………………………13
II.2.2. Pulvérisation cathodique…………………………………………………...13
II.2.2.1. Principe de pulvérisation cathodique……………………………..13
II.2.2.2. Présentation du dispositif expérimental………………………….15
II.2.3. Recuits thermiques rapides………………………………………………..
16 II.2.4. L'implantation ionique…………………………………………………….17
II.2.4.1. Principe de l'implantation ionique………………………………...17
II.2.4.2. L’implanteur ionique……………………………………………...17
II.2.4.3. Ralentissement et arrêt des ions dans un matériau……………….18
a) Collisions élastiques………………………………………….18
b) Collisions inélastiques………………………………………..18
II.2.4.4. Simulation des trajectoires de particules…………………………19
II.3. Technique de caractérisation………………………………………………………20
II.3.1. Diffraction du rayon X……………………………………………………..20
II.3.2. Dispositif experimental…………………………………………………….23
Chapitre III : Résultats expérimentaux et interprétation
III.1. Analyse structurale par diffraction des rayons X (DRX)…………………………24
III. 1.1. Systèmes Ni(50nm) /Si (100) (référence)………………………………..24
III.1.2. Etude de la cinétique de consommation nickel dans le silicium………….27
III.1.3. Systèmes Y-Si(111)……………………………………………………….28
III.1.4. Systèmes Ni(50nm) /Y-Si (111)…………………………………………..28
Conclusion générale…………………………………………………………………….31
Annexe …………………………………………………………………………………32
Références………………………………………………………………………………Côte titre : MAPH/0296 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1otWVd2SSeg3tm6EO7Bd9lqLNCdSeI4-a/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude de formation des siliciures de nickel en presence de l'yttrium [texte imprimé] / Sayah, Fares, Auteur ; A Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2018 . - 1 vol (30 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Terre rares
Siliciures
Implantation ionique
yttrium
DRXIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Le présent travail porte sur l’effet présence de l’yttrium, implanter dans le substrat de silicium par implantation ionique avec une dose de 2x1017Y+/cm2 et une énergie égale à 195keV, sur la formation des siliciures de nickel. Nous commençons d’abord par l’étude de système binaire Ni(50nm)/Si(100) lors des différents traitements thermiques. Par la suite nous avons étudies le système Ni(50nm)/Y(2x1017Y+/cm2)/Si(100).
Nous avons utilisé la diffraction des rayons X pour la caractérisation structurales, microstructurale et à l’étude de la croissance etconsommation de Ni dans le Si.
Les résultats obtenus par DRX montrent que l’implantation d'yttrium dans le substrat de silicium a une influence sur la formation des siliciures de nickel.Note de contenu :
Sommaire
Introduction générale …………………………………………………………………..1
Chapitre I : Généralités sur les réactions métal/silicium
I.1. Introduction………………………………………………………………………...2
I.2. Formation des siliciures…………………………………………………………….2
I.2.1. La germination……………………………………………………………….3
I.2.2. La diffusion réactive…………………………………………………………4
I.3. Propriétés des siliciures de nickel…………………………………………………..5
I.3.1. Le diagramme de phase Ni-Si………………………………………………5
I.3.2. Formation des siliciures de nickel en films minces…………………………6
I.3.3. Dégradation du NiSi à haute température……………………………………8
I.3.3.a. Formation de NiSi2…………………………………………………..8
I.3.3.b. L'agglomération du NiSi……………………………………………8
I.4. Application de NiSi dans l’industrie……………………………………………….9
I.4.1. Constitution d’un MOSFET et représentation symbolique………………….9
I.4.2. Principe de fonctionnement du Transistor..………………………………….9
I.4.3. Technologie ‘’saliciure ‘’ en micro-électronique……………………………10
I.5. Elément d’alliage et barrière de diffusion de nickel……………………………….12
Chapitre II : Techniques expérimentale utilisées
II.1. Introduction……………………………………………………………………….13
II.2. Technique d’élaboration des couches minces…………………………………….13
II.2.1. Nettoyage du substrat………………………………………………………13
II.2.2. Pulvérisation cathodique…………………………………………………...13
II.2.2.1. Principe de pulvérisation cathodique……………………………..13
II.2.2.2. Présentation du dispositif expérimental………………………….15
II.2.3. Recuits thermiques rapides………………………………………………..
16 II.2.4. L'implantation ionique…………………………………………………….17
II.2.4.1. Principe de l'implantation ionique………………………………...17
II.2.4.2. L’implanteur ionique……………………………………………...17
II.2.4.3. Ralentissement et arrêt des ions dans un matériau……………….18
a) Collisions élastiques………………………………………….18
b) Collisions inélastiques………………………………………..18
II.2.4.4. Simulation des trajectoires de particules…………………………19
II.3. Technique de caractérisation………………………………………………………20
II.3.1. Diffraction du rayon X……………………………………………………..20
II.3.2. Dispositif experimental…………………………………………………….23
Chapitre III : Résultats expérimentaux et interprétation
III.1. Analyse structurale par diffraction des rayons X (DRX)…………………………24
III. 1.1. Systèmes Ni(50nm) /Si (100) (référence)………………………………..24
III.1.2. Etude de la cinétique de consommation nickel dans le silicium………….27
III.1.3. Systèmes Y-Si(111)……………………………………………………….28
III.1.4. Systèmes Ni(50nm) /Y-Si (111)…………………………………………..28
Conclusion générale…………………………………………………………………….31
Annexe …………………………………………………………………………………32
Références………………………………………………………………………………Côte titre : MAPH/0296 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1otWVd2SSeg3tm6EO7Bd9lqLNCdSeI4-a/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0296 MAPH/0296 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Etude de formation des siliciures de Tungstène à haute température Type de document : texte imprimé Auteurs : Djebabra ,Hakima, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2020 Importance : 1 vol (20 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Silicium
Tungstène
Siliciure
GerminationIndex. décimale : 530 - Physique Résumé :
Le but de ce travail est d’étudier de formation de siliciures à partir du système W/Si(100). Les échantillons sont obtenus par dépôt d’une couche métallique de tungstène par pulvérisation sur un substrat de silicium monocristallin pour initier la réaction de siliciuration en phase solide, ces échantillons ont subi différents recuit.
Nous avons utilisé les techniques des caractérisations suivantes : la diffraction des rayons X pour les caractérisations structurales, la mesure de la résistivité et la microscopie électronique à balayage, microanalyse et microscopie à force atomique.
En raison du confinement, nous n’avons pas effectué les analyses MEB, EDX, AFM et mesure de résistivité.
Après l'analyse des résultats obtenus, nous avons observé la formation de la phase WSi2 de la structure tétragonale à environ 700 ° C et est restée stable même lorsque la température a été élevée jusqu'à 900 ° C.Côte titre : MAPH/0365 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1X8q_qoQHsY_myn6l5c1CoHpVMJxWPnjF/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude de formation des siliciures de Tungstène à haute température [texte imprimé] / Djebabra ,Hakima, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2020 . - 1 vol (20 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Silicium
Tungstène
Siliciure
GerminationIndex. décimale : 530 - Physique Résumé :
Le but de ce travail est d’étudier de formation de siliciures à partir du système W/Si(100). Les échantillons sont obtenus par dépôt d’une couche métallique de tungstène par pulvérisation sur un substrat de silicium monocristallin pour initier la réaction de siliciuration en phase solide, ces échantillons ont subi différents recuit.
Nous avons utilisé les techniques des caractérisations suivantes : la diffraction des rayons X pour les caractérisations structurales, la mesure de la résistivité et la microscopie électronique à balayage, microanalyse et microscopie à force atomique.
En raison du confinement, nous n’avons pas effectué les analyses MEB, EDX, AFM et mesure de résistivité.
Après l'analyse des résultats obtenus, nous avons observé la formation de la phase WSi2 de la structure tétragonale à environ 700 ° C et est restée stable même lorsque la température a été élevée jusqu'à 900 ° C.Côte titre : MAPH/0365 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1X8q_qoQHsY_myn6l5c1CoHpVMJxWPnjF/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
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