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Simulation Monte Carlo de la technique d’homogénéisation du flux neutronique pour le dopage du Silicium / Feriel ALIA
Titre : Simulation Monte Carlo de la technique d’homogénéisation du flux neutronique pour le dopage du Silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Feriel ALIA, Auteur ; Naziha Benaskeur, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2019 Importance : 1 vol (59 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Le silicium dopé par transmutation neutronique est largement utilisé dans divers domaines industriels en raison de ses meilleures caractéristiques. L'obtention d'un produit dopé de bonne qualité nécessite la maîtrise de la procédure de dopage et la connaissance du profil de flux neutronique au site d’irradiation dans le réacteur nucléaire.
Le travail réalisé concerne l’étude des différentes techniques d’homogénéisation de la distribution axiale du dopant. Deux types de techniques ont été appliquées pour un profil de flux neutronique considéré; la technique d’échange ou d’inversement de la position d’irradiation des lingots et la technique d'addition des écrans absorbants.
Les résultats de simulation Monte Carlo montrent que la première technique permet d'atteindre une concentration du dopant supérieure par rapport à la deuxième qui cause l'atténuation du flux neutronique. La méthode d'inversement de la position donne une uniformité de dopage plus meilleur que la méthode d'échange de la position des deux lingots superposés.
Cependant, l’aplatissement du flux neutronique à l'aide des écrans en Nickel, en Acier Inoxydable, en Plomb ou sandwich Pb-Fe-Fe-Ni-Ni, donne une bonne uniformité axiale d’irradiation. Les résultats montrent qu’il est possible d'obtenir une meilleure uniformité d'irradiation neutronique axiale pour quelques millimètres des écrans en Nickel, en Acier Inoxydable ou sandwich.Note de contenu :
Sommaire
Liste des figures ………………………………………………………………………………….
iv
Liste des tableaux …………………………………………………..……………………………
vi
Introduction Générale …..............................................................................................................
1
Chapitre I : Généralité et rappel théorique ................................................................................
2
I. Interactions neutron-matière .......................................................................................................
2
I.1. Neutrons …...........................................................................................................................
2
I.2. Production des neutrons .......................................................................................................
2
I.2.1. Fission ..........................................................................................................................
3
I.2.2. Spallation .....................................................................................................................
3
I.3. Interaction neutron-matière ..................................................................................................
3
I.3.1. Absorption .................................................................................................................
3
I.3.2. Diffusion .......................................................................................................................
4
I.4. Section efficace ....................................................................................................................
4
I.4.1. Section efficace microscopique ....................................................................................
5
I.4.2. Section efficace macroscopique ...................................................................................
5
I.5. Taux de réaction ...................................................................................................................
6
II. Généralités sur le dopage du silicium .........................................................................................
6
II.1. Propriétés du silicium .........................................................................................................
6
II.2. Différentes techniques de croissance cristalline .................................................................
7
II.2.1. Méthode de Bridgman .................................................................................................
7
II.2.2. Méthode de la Zone Flottante (FZ) .............................................................................
8
II.2.3. Méthode de tirage CzochCôte titre : MAPH/0342 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1IEJag-jnyiHdReoxMEXzms-HbyGg-Nz_/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Simulation Monte Carlo de la technique d’homogénéisation du flux neutronique pour le dopage du Silicium [texte imprimé] / Feriel ALIA, Auteur ; Naziha Benaskeur, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (59 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Le silicium dopé par transmutation neutronique est largement utilisé dans divers domaines industriels en raison de ses meilleures caractéristiques. L'obtention d'un produit dopé de bonne qualité nécessite la maîtrise de la procédure de dopage et la connaissance du profil de flux neutronique au site d’irradiation dans le réacteur nucléaire.
Le travail réalisé concerne l’étude des différentes techniques d’homogénéisation de la distribution axiale du dopant. Deux types de techniques ont été appliquées pour un profil de flux neutronique considéré; la technique d’échange ou d’inversement de la position d’irradiation des lingots et la technique d'addition des écrans absorbants.
Les résultats de simulation Monte Carlo montrent que la première technique permet d'atteindre une concentration du dopant supérieure par rapport à la deuxième qui cause l'atténuation du flux neutronique. La méthode d'inversement de la position donne une uniformité de dopage plus meilleur que la méthode d'échange de la position des deux lingots superposés.
Cependant, l’aplatissement du flux neutronique à l'aide des écrans en Nickel, en Acier Inoxydable, en Plomb ou sandwich Pb-Fe-Fe-Ni-Ni, donne une bonne uniformité axiale d’irradiation. Les résultats montrent qu’il est possible d'obtenir une meilleure uniformité d'irradiation neutronique axiale pour quelques millimètres des écrans en Nickel, en Acier Inoxydable ou sandwich.Note de contenu :
Sommaire
Liste des figures ………………………………………………………………………………….
iv
Liste des tableaux …………………………………………………..……………………………
vi
Introduction Générale …..............................................................................................................
1
Chapitre I : Généralité et rappel théorique ................................................................................
2
I. Interactions neutron-matière .......................................................................................................
2
I.1. Neutrons …...........................................................................................................................
2
I.2. Production des neutrons .......................................................................................................
2
I.2.1. Fission ..........................................................................................................................
3
I.2.2. Spallation .....................................................................................................................
3
I.3. Interaction neutron-matière ..................................................................................................
3
I.3.1. Absorption .................................................................................................................
3
I.3.2. Diffusion .......................................................................................................................
4
I.4. Section efficace ....................................................................................................................
4
I.4.1. Section efficace microscopique ....................................................................................
5
I.4.2. Section efficace macroscopique ...................................................................................
5
I.5. Taux de réaction ...................................................................................................................
6
II. Généralités sur le dopage du silicium .........................................................................................
6
II.1. Propriétés du silicium .........................................................................................................
6
II.2. Différentes techniques de croissance cristalline .................................................................
7
II.2.1. Méthode de Bridgman .................................................................................................
7
II.2.2. Méthode de la Zone Flottante (FZ) .............................................................................
8
II.2.3. Méthode de tirage CzochCôte titre : MAPH/0342 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1IEJag-jnyiHdReoxMEXzms-HbyGg-Nz_/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0342 MAPH/0342 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Simulation Monte Carlo d’un tube à RX Type de document : texte imprimé Auteurs : Tabbiche, Amira, Auteur ; Betka, Abderrahim, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2019 Importance : 1 vol (60 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Radiologie
Tube à Rayons X
Code Monte Carlo
Code PENELOPE
pectres des rayonsIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Le Code PENELOPE peut simuler le transport des électrons, des positrons et des photons ayant une
énergie comprise entre 50 eV et 1 GeV dans les matériaux simples et composites.
Le but de ce mémoire porte principalement sur la simulation Monte Carlo PENELOPE des spectres
des rayons X. nous visons à donné un aperçu général sur la physique des rayonnements et un rappel
sur la radiobiologie, ainsi une description générale d’un tube à rayons X avec ces différents
composants et ces fonctionnements et aussi une description d’un Code Monte Carlo PENELOPE.
Les travaux pratiques portent sur la simulation des spectres à rayons X par Code PENELOPE ; nous
faisons chaque fois des changements dans la tension appliquée entre la cathode et l’anode puis le
matériau de la cible et enfin l’épaisseur de filtre en aluminium.
A partir de résultats de notre travail, nous pouvons dire qu’il y a plusieurs paramètres influençant sur
la forme de spectre tel que : la tension, Z de la cible et l’épaisseur de filtre.Note de contenu :
Sommaire
Introduction ………………………………………………………………………………….1
Chapitre I : Rappel physique & radiobiologie
Introduction…………………………………………………………………………………...2
Rappel physique
I.1 Définition ……………………………………………………………………………….2
I .2 Rappel sur les radiations ionisantes…………………………………………………........2
I.3 Interaction Rayonnement Matière ……………………………………………………….3
I.3.1 Interaction photon matière …………………………………………………………..3
I.3 .1 .1 Effet photoélectrique …………………………………………………………...4
I.3.1.2 Effet Compton…………………………………………………………………....5
I.3.1.3 Matérialisation…………………………………………………………………..6
I.3.1.4 Prédominance des effets………………………………………………………..6
I.3.2 Interaction électron matière………………………………………………………....7
I.3.2.1L’ionisation et l’excitation ……………………………………………………...7
I.3.2.2 rayonnements de freinage……………………………………………………...8
I.4 Loi d'Atténuation …………………………………………………………………….…8
I.5 Section efficace…………………………………………………………………………...9
I.6 Pouvoir d’arrêt …………………………………………………………………………..9
Radiobiologie
I.7 Rappels sur la structure des cellules……………………………………………………10
I.8 Rappel sur l’ADN ……………………………………………………………………..11
I. 9Les effets des rayonnements ionisants sur l’ADN……………………………………...12.
Sommaire
I.9.1 L'effet direct…………………………………………………………………………….12
I.9.2 Les effets indirects…………………………………………………………………….13
Chapitre II : description d’un tube à rayons X
Introduction………………………………………………………………………………….15
II.I L’origine de Rayons X ………………………………………………………………….16
II .2 Tube à Rayons X……………………………………………………………………….16
II.2.1 Bases Technologique ………………………………………………………………16
II.2.1.1 Cathode ……………………………………………………………………….16
II.2.1.2 L’anode………………………………………………………………………..17
II.2.1.3 L’enceinte …………………………………………………………………….18
II.2.1.4 Système de refroidissement …………………………………………………..18
II.2.1.5 Gaine plombée………………………………………………………………..18
II.2.1.6 Filtre …………………………………………………………………………..19
II.2.1.7 Diaphragme……………………………………………………………………19
II.2 .2 Production de rayons X ……………………………………………………………19
II .2.3 spectre de Rayons X ……………………………………………………………….20
II.2.3.1 Spectre continu des rayons X………………………………………………….21
II.2.3.2 Spectre des raies des rayons X…………………………………………………22
Chapitre III : Simulation Monte Carlo PENELOPE
III.1 Les Mont Carlo codes de ………………………………………………………………23
III.2 Code PENELOPE………………………………………………………………………23
III.2.1 Structure de Code PENELOPE …………………………………………………… 23
Sommaire
III.3 Le programme utilisateur ……………………………………………………………24
III.4 Fichiers de données …………………………………………………………………27
III.4.1 Fichier d'entrée principal (PENMAIN.IN)……………………………………....27
III.4.2 fichier géométrie (PENMAIN.GEO)……………………………………………28
III.4.2.1 Les surfaces……………………………………………………………….28
III.4.2.2 Définition des corps et modules …………………………………………..29
III.4.3 Fichier matériau (PENMAIN.MAT) …………………………………………31
III.5. Programmes auxiliaires ……………………………………………………………..31
Chapitre IV : Simulation avec le code PENELOPE
Introduction……………………………………………………………………………….32
IV.1 Méthode
IV.1.1 Le choix du code PENELOPE …………………………………………...……32
IV.1.2 Préparation des fichiers des données ………………………………………..…32
IV.1.2.1 Fichier matériau (PENMAIN.MAT) …………………………………….….32
IV.1.2.2 Fichier géométrie (PENMAIN.GEO)……………………………………....36
IV.1.2.3 Fichier input ……………………………………………………………..…42
IV.2 Résultats et Discussion……………………………………………………………….48
IV.2.1 En fonction de kVp……………………………………………………………....48
IV.2.2 En fonction de Z de la cible …………………………………………………….51
IV.2.3 En fonction de l’épaisseur de filtre en aluminium ……………………………….52
Conclusion………………………………………………………………………………56
Conclusion générale………………………………………………………………………57
Bibliographie……………………………………………………………………………..58Côte titre : MAPH/0363 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1WvJGFgFPiY-brcZJi9KXK-rRd01FVh3B/view?usp=shari [...] Simulation Monte Carlo d’un tube à RX [texte imprimé] / Tabbiche, Amira, Auteur ; Betka, Abderrahim, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (60 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Radiologie
Tube à Rayons X
Code Monte Carlo
Code PENELOPE
pectres des rayonsIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Le Code PENELOPE peut simuler le transport des électrons, des positrons et des photons ayant une
énergie comprise entre 50 eV et 1 GeV dans les matériaux simples et composites.
Le but de ce mémoire porte principalement sur la simulation Monte Carlo PENELOPE des spectres
des rayons X. nous visons à donné un aperçu général sur la physique des rayonnements et un rappel
sur la radiobiologie, ainsi une description générale d’un tube à rayons X avec ces différents
composants et ces fonctionnements et aussi une description d’un Code Monte Carlo PENELOPE.
Les travaux pratiques portent sur la simulation des spectres à rayons X par Code PENELOPE ; nous
faisons chaque fois des changements dans la tension appliquée entre la cathode et l’anode puis le
matériau de la cible et enfin l’épaisseur de filtre en aluminium.
A partir de résultats de notre travail, nous pouvons dire qu’il y a plusieurs paramètres influençant sur
la forme de spectre tel que : la tension, Z de la cible et l’épaisseur de filtre.Note de contenu :
Sommaire
Introduction ………………………………………………………………………………….1
Chapitre I : Rappel physique & radiobiologie
Introduction…………………………………………………………………………………...2
Rappel physique
I.1 Définition ……………………………………………………………………………….2
I .2 Rappel sur les radiations ionisantes…………………………………………………........2
I.3 Interaction Rayonnement Matière ……………………………………………………….3
I.3.1 Interaction photon matière …………………………………………………………..3
I.3 .1 .1 Effet photoélectrique …………………………………………………………...4
I.3.1.2 Effet Compton…………………………………………………………………....5
I.3.1.3 Matérialisation…………………………………………………………………..6
I.3.1.4 Prédominance des effets………………………………………………………..6
I.3.2 Interaction électron matière………………………………………………………....7
I.3.2.1L’ionisation et l’excitation ……………………………………………………...7
I.3.2.2 rayonnements de freinage……………………………………………………...8
I.4 Loi d'Atténuation …………………………………………………………………….…8
I.5 Section efficace…………………………………………………………………………...9
I.6 Pouvoir d’arrêt …………………………………………………………………………..9
Radiobiologie
I.7 Rappels sur la structure des cellules……………………………………………………10
I.8 Rappel sur l’ADN ……………………………………………………………………..11
I. 9Les effets des rayonnements ionisants sur l’ADN……………………………………...12.
Sommaire
I.9.1 L'effet direct…………………………………………………………………………….12
I.9.2 Les effets indirects…………………………………………………………………….13
Chapitre II : description d’un tube à rayons X
Introduction………………………………………………………………………………….15
II.I L’origine de Rayons X ………………………………………………………………….16
II .2 Tube à Rayons X……………………………………………………………………….16
II.2.1 Bases Technologique ………………………………………………………………16
II.2.1.1 Cathode ……………………………………………………………………….16
II.2.1.2 L’anode………………………………………………………………………..17
II.2.1.3 L’enceinte …………………………………………………………………….18
II.2.1.4 Système de refroidissement …………………………………………………..18
II.2.1.5 Gaine plombée………………………………………………………………..18
II.2.1.6 Filtre …………………………………………………………………………..19
II.2.1.7 Diaphragme……………………………………………………………………19
II.2 .2 Production de rayons X ……………………………………………………………19
II .2.3 spectre de Rayons X ……………………………………………………………….20
II.2.3.1 Spectre continu des rayons X………………………………………………….21
II.2.3.2 Spectre des raies des rayons X…………………………………………………22
Chapitre III : Simulation Monte Carlo PENELOPE
III.1 Les Mont Carlo codes de ………………………………………………………………23
III.2 Code PENELOPE………………………………………………………………………23
III.2.1 Structure de Code PENELOPE …………………………………………………… 23
Sommaire
III.3 Le programme utilisateur ……………………………………………………………24
III.4 Fichiers de données …………………………………………………………………27
III.4.1 Fichier d'entrée principal (PENMAIN.IN)……………………………………....27
III.4.2 fichier géométrie (PENMAIN.GEO)……………………………………………28
III.4.2.1 Les surfaces……………………………………………………………….28
III.4.2.2 Définition des corps et modules …………………………………………..29
III.4.3 Fichier matériau (PENMAIN.MAT) …………………………………………31
III.5. Programmes auxiliaires ……………………………………………………………..31
Chapitre IV : Simulation avec le code PENELOPE
Introduction……………………………………………………………………………….32
IV.1 Méthode
IV.1.1 Le choix du code PENELOPE …………………………………………...……32
IV.1.2 Préparation des fichiers des données ………………………………………..…32
IV.1.2.1 Fichier matériau (PENMAIN.MAT) …………………………………….….32
IV.1.2.2 Fichier géométrie (PENMAIN.GEO)……………………………………....36
IV.1.2.3 Fichier input ……………………………………………………………..…42
IV.2 Résultats et Discussion……………………………………………………………….48
IV.2.1 En fonction de kVp……………………………………………………………....48
IV.2.2 En fonction de Z de la cible …………………………………………………….51
IV.2.3 En fonction de l’épaisseur de filtre en aluminium ……………………………….52
Conclusion………………………………………………………………………………56
Conclusion générale………………………………………………………………………57
Bibliographie……………………………………………………………………………..58Côte titre : MAPH/0363 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1WvJGFgFPiY-brcZJi9KXK-rRd01FVh3B/view?usp=shari [...] Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0363 MAPH/0363 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleSimulation numérique d'un problème de transmission elliptique en dimension deux par la méthode des volumes finis et frefem++ / Houssem Herbadji
Titre : Simulation numérique d'un problème de transmission elliptique en dimension deux par la méthode des volumes finis et frefem++ Type de document : texte imprimé Auteurs : Houssem Herbadji ; Mohamed Kara, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2017 Importance : 1 vol (57 f.) Catégories : Thèses & Mémoires:Mathématique Mots-clés : Analyse non linéaire et edp Côte titre : MAM/0183 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1TnsjoPUQX_WPHDtkvsL-2E5NGCQhc_Si/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Simulation numérique d'un problème de transmission elliptique en dimension deux par la méthode des volumes finis et frefem++ [texte imprimé] / Houssem Herbadji ; Mohamed Kara, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2017 . - 1 vol (57 f.).
Catégories : Thèses & Mémoires:Mathématique Mots-clés : Analyse non linéaire et edp Côte titre : MAM/0183 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1TnsjoPUQX_WPHDtkvsL-2E5NGCQhc_Si/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAM/0183 MAM/0183 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Simulation of clock synchronization in wireless sensor networks Type de document : texte imprimé Auteurs : Merir, Abdelbasset, Auteur ; Habib Aissaoua, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2021 Importance : 1 vol (67 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Informatique Mots-clés : Informatique Index. décimale : 004 Informatique Résumé :
Les réseaux de capteurs sans fil constituent un sujet de recherche
important ainsi qu’un outil désiré par plusieurs domaines, c’est sans aucun doute,
une technologie qui va nous accompagner pour les prochaines années et ainsi
faire partie de notre vie quotidienne, mais sans point faible est l’existence de
problèmes qui doivent être solutionnés pour un fonctionnement efficace.
L'objectif principal de cette recherche décrite dans cette mémoire est
d'abord de définir les réseaux de capteurs sans fil, ensuite la synchronisation
d’horloge, puis simuler le protocole de synchronisation d'horloge WCCS. Ensuit
nous avons discuté les résultats obtenus de cette simulation en termes de
précision, d’énergie consommée et de scalabilité afin de proposer une
amélioration de protocole WCCS .Côte titre : MAI/0540 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1ywpJDUcY_aQy_RecipfhzCK8AqpmG_IO/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Simulation of clock synchronization in wireless sensor networks [texte imprimé] / Merir, Abdelbasset, Auteur ; Habib Aissaoua, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2021 . - 1 vol (67 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Informatique Mots-clés : Informatique Index. décimale : 004 Informatique Résumé :
Les réseaux de capteurs sans fil constituent un sujet de recherche
important ainsi qu’un outil désiré par plusieurs domaines, c’est sans aucun doute,
une technologie qui va nous accompagner pour les prochaines années et ainsi
faire partie de notre vie quotidienne, mais sans point faible est l’existence de
problèmes qui doivent être solutionnés pour un fonctionnement efficace.
L'objectif principal de cette recherche décrite dans cette mémoire est
d'abord de définir les réseaux de capteurs sans fil, ensuite la synchronisation
d’horloge, puis simuler le protocole de synchronisation d'horloge WCCS. Ensuit
nous avons discuté les résultats obtenus de cette simulation en termes de
précision, d’énergie consommée et de scalabilité afin de proposer une
amélioration de protocole WCCS .Côte titre : MAI/0540 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1ywpJDUcY_aQy_RecipfhzCK8AqpmG_IO/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAI/0540 MAI/0540 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleSimulation du profil de concentration atomique après implantation des ions N+ et O+ à faible énergie sur C-Si et étude particulière de la pulvérisation par les ions He+ et Ar+ / Houria Gueddaoui
Titre : Simulation du profil de concentration atomique après implantation des ions N+ et O+ à faible énergie sur C-Si et étude particulière de la pulvérisation par les ions He+ et Ar+ Type de document : texte imprimé Auteurs : Houria Gueddaoui ; O. Benkherourou, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2000 Importance : 1 vol (61 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : ions N+
ions O+
ions He+
ions Ar+Index. décimale : 530 Physique Résumé :
L'implantation ionique des ions énergétiques consiste à bombarder des surfaces des matériaux par des ions énerg6tiques. L'introduction de ces derniers modifie les propriétés physiques et électriques de ces matériaux.
Nous avons tenter de valider la théorie qui drive du modèle de Ziegler, Biersack et Littmark [1'3'13] pour expliquer mieux la modélisation de l'implantation ionique. cette dernière s'adapte bien à la localisation des couches amorphes, et cela grace à la distribution des ions projectiles. Afin de pouvoir localiser la profondeur de p6n6tration des ions projectiles (o* ou M) pour une gamme d'énergie variant entre 4 et 10 Kev, nous avons réussi à prouver qu,il existe une fonction empirique de forme y:AE. Cette relation est bien évidemment nécessaire pour estimer les paramètres Rp et ARp. ces derniers déterminent ra concentration atomiques pour une profondeur donnée par l'utilisation du profil gaussien. Par ailleurs' la génération des défauts dans la matière est déterminée par les pertes d’énergie nucléaire.
cette perte dépends de la nature de l'ion projectile de l'atome cible et de l’énergie d'implantation.
Nous avons réussi à montrer l'influence de l'énergie d'incidence du faisceau sur la distribution' Les calculs du taux de pulvérisation ont montré que l'angle d,incidence du faisceau ionique a une grande influence sur la dégradation de la surface des systèmes sio/si et Si3Nx/Si pour un bombardement à faible énergie par les gaz rares Ar+ et He+.
la meilleure efficacité est achevé par l'utilisation des ions de Ar+ et He+ pour des incidences de 70" et 80o respectivement. La théorie adaptee pour le domaine de faibles énergies décrit I'interaction ion-matière d'une facon précise. En revanche,il nous semble qu'il est important de travailler dans le domaine des 6nergies moyennes (20-100 kev) pour voir la validité de l'approche Z.B.L.
Comme perspectives, nous proposons l'étude de nouveaux matériaux par implantation (BN, Inp, call,..) ainsi que l'effet de ra température du substrat et la redistribution des atomes pendant L’implantation et, enfin, ra considération de l'effet de canalisation.Côte titre : MPH/0261 Simulation du profil de concentration atomique après implantation des ions N+ et O+ à faible énergie sur C-Si et étude particulière de la pulvérisation par les ions He+ et Ar+ [texte imprimé] / Houria Gueddaoui ; O. Benkherourou, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2000 . - 1 vol (61 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : ions N+
ions O+
ions He+
ions Ar+Index. décimale : 530 Physique Résumé :
L'implantation ionique des ions énergétiques consiste à bombarder des surfaces des matériaux par des ions énerg6tiques. L'introduction de ces derniers modifie les propriétés physiques et électriques de ces matériaux.
Nous avons tenter de valider la théorie qui drive du modèle de Ziegler, Biersack et Littmark [1'3'13] pour expliquer mieux la modélisation de l'implantation ionique. cette dernière s'adapte bien à la localisation des couches amorphes, et cela grace à la distribution des ions projectiles. Afin de pouvoir localiser la profondeur de p6n6tration des ions projectiles (o* ou M) pour une gamme d'énergie variant entre 4 et 10 Kev, nous avons réussi à prouver qu,il existe une fonction empirique de forme y:AE. Cette relation est bien évidemment nécessaire pour estimer les paramètres Rp et ARp. ces derniers déterminent ra concentration atomiques pour une profondeur donnée par l'utilisation du profil gaussien. Par ailleurs' la génération des défauts dans la matière est déterminée par les pertes d’énergie nucléaire.
cette perte dépends de la nature de l'ion projectile de l'atome cible et de l’énergie d'implantation.
Nous avons réussi à montrer l'influence de l'énergie d'incidence du faisceau sur la distribution' Les calculs du taux de pulvérisation ont montré que l'angle d,incidence du faisceau ionique a une grande influence sur la dégradation de la surface des systèmes sio/si et Si3Nx/Si pour un bombardement à faible énergie par les gaz rares Ar+ et He+.
la meilleure efficacité est achevé par l'utilisation des ions de Ar+ et He+ pour des incidences de 70" et 80o respectivement. La théorie adaptee pour le domaine de faibles énergies décrit I'interaction ion-matière d'une facon précise. En revanche,il nous semble qu'il est important de travailler dans le domaine des 6nergies moyennes (20-100 kev) pour voir la validité de l'approche Z.B.L.
Comme perspectives, nous proposons l'étude de nouveaux matériaux par implantation (BN, Inp, call,..) ainsi que l'effet de ra température du substrat et la redistribution des atomes pendant L’implantation et, enfin, ra considération de l'effet de canalisation.Côte titre : MPH/0261 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MPH/0261 MPH/0261 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
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