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EtudeAbinitiodespropriétésstructurales,élastiqueset électroniquesdescomposésdeZintl Ba2P7X (X = Cl;Br;I) / Radjai,Missoum
Titre : EtudeAbinitiodespropriétésstructurales,élastiqueset électroniquesdescomposésdeZintl Ba2P7X (X = Cl;Br;I) Type de document : texte imprimé Auteurs : Radjai,Missoum, Auteur ; Maouche,Djamel, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2020 Importance : 1 vol (127 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Danscemanuscrit,nousavonsétudiélespropriétésstructurales,élastiquesetélectroniques
sousl’e¤etdelapressionhydrostatiquepourlescomposésdephaseZintlternairedelaforme
Ba2P7X où (X = Cl;Br;I), quisecristallisentdanslastructuremonocliniqueetappartiennent
augroupe P21 / m (N11). Nousavonsutilisélaméthodedecalculabinitio,quiestcelledu
pseudopotentieletondesplanes (PPNote de contenu :
Sommaire
1 LaThéoriedelaFonctionnelledeDensité(DFT)19
1.1Introduction......................................19
1.2EquationdeSchrödinger...............................20
1.3ApproximationdeBorn-Oppenheimer........................21
1.4Approximationduchampauto-cohérent:......................22
1.4.1ApproximationdeHartree..........................22
1.4.2ApproximationdeHartree-Fock.......................24
1.5Théoriedelafonctionnelledeladensité(DFT)..................26
1.5.1ThéorèmesdeHohenberg-Kohn.......................28
1.5.2ApprochedeKohn-Sham...........................30
1.6Lafonctionnelled’échangeetdecorrélation....................32
1.6.1L’approximationdeladensitélocale(LDA)................32
1.6.2L’approximationdugradientgénéralisé(GGA)...............34
1.6.3RésolutiondeséquationsdeKohnetSham.................34
2 ApprochesdÂ’OndesPlanesetPseudopotentiels37
2.1Introduction......................................37
2.2Ondesplanes.....................................38
2.2.1ThéorèmedeBloch..............................39
2.2.2EchantillonnagedelapremièrezonedeBrillouin..............39
2.2.3LabasedÂ’ondesplanes............................40
LabasedÂ’ondesplanes............................40
TABLEDESMATIÈRESTABLEDESMATIÈRES
2.2.4Laméthodedespseudopotentiels......................41
2.2.5LaméthodePAW(ProjectorAugmentedWave):.............45
3 DescriptionducodeCASTEPetdétailsdecalculs46
3.1Introduction:.....................................46
3.2LelogicielCASTEP.................................46
3.3OptimisationdelagéométrieavecCASTEP....................47
3.4Propriétésélastiques.................................49
3.4.1Introduction:.................................49
3.4.2Tenseursdecontraintesettenseursdedéformations............49
3.4.3LaloideHooke................................51
3.5Propriétésmécaniques................................54
3.5.1ModuledeYoung E : . ............................54
3.5.2Coe¢cientdePoisson.............................55
3.5.3Moduledecompression B etmoduledecisaillement G . .........56
3.5.4Anisotropie..................................59
3.5.5VitessesdepropagationdesondesélastiquesettempératuredeDebye..60
3.5.6Critèresdestabilitémécaniqueducristal..................61
3.6PropriétésElectroniques...............................62
3.6.1Structuredebandesélectroniques......................62
3.6.2Densitéd’étatsélectroniques.........................64
4 RésultatsetDiscussions66
4.1Introduction......................................66
4.2Méthodeetparamètredecalcul...........................67
4.3Propriétésstructurales................................68
4.4Propriétésstructuralesétudiéesà pressionnulle..................69
4.5Propriétésstructuralesétudiéesà pressionnonnulle................71
4.5.1Equationd’étatdesmatériaux Ba2P7X (X = Cl;Br et I) :.......71
4.6Propriétésélastiques.................................83
4.7Propriétésélastiquesétudiéesà pressionnulle...................83
TABLEDESMATIÈRESTABLEDESMATIÈRES
4.7.1Stabilitémécanique:.............................85
4.7.2Propriétésélastiquesdescomposésenphasepolycristalline........85
4.7.3Vitessesd’ondesacoustiquesisotropesettempératuredeDebye.....88
4.8Propriétésélastiquesétudiéesà pressionnonnulle.................89
4.8.1E¤etdelapressionsurles Cij . .......................89
4.8.2Stabilitémécaniquesouspression......................96
4.8.3E¤etdelapressionsurlesmodulesd’élasticitéisotropes.........97
4.8.4E¤etdelapressionsurlatempératuredeDebyeetlesvitessesmoyennes
longitudinalesettransversales........................101
4.9Propriétésélectroniques...............................106
4.9.1Propriétésélectroniquesà pressionnulle..................107
4.9.2Structuredesbandesélectroniques.....................107
4.9.3Densitéd’étatsélectroniques.........................111
4.9.4AnalysedelapopulationdeMulliken....................117
ConclusionCôte titre : DPH/0231 EtudeAbinitiodespropriétésstructurales,élastiqueset électroniquesdescomposésdeZintl Ba2P7X (X = Cl;Br;I) [texte imprimé] / Radjai,Missoum, Auteur ; Maouche,Djamel, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2020 . - 1 vol (127 f.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Danscemanuscrit,nousavonsétudiélespropriétésstructurales,élastiquesetélectroniques
sousl’e¤etdelapressionhydrostatiquepourlescomposésdephaseZintlternairedelaforme
Ba2P7X où (X = Cl;Br;I), quisecristallisentdanslastructuremonocliniqueetappartiennent
augroupe P21 / m (N11). Nousavonsutilisélaméthodedecalculabinitio,quiestcelledu
pseudopotentieletondesplanes (PPNote de contenu :
Sommaire
1 LaThéoriedelaFonctionnelledeDensité(DFT)19
1.1Introduction......................................19
1.2EquationdeSchrödinger...............................20
1.3ApproximationdeBorn-Oppenheimer........................21
1.4Approximationduchampauto-cohérent:......................22
1.4.1ApproximationdeHartree..........................22
1.4.2ApproximationdeHartree-Fock.......................24
1.5Théoriedelafonctionnelledeladensité(DFT)..................26
1.5.1ThéorèmesdeHohenberg-Kohn.......................28
1.5.2ApprochedeKohn-Sham...........................30
1.6Lafonctionnelled’échangeetdecorrélation....................32
1.6.1L’approximationdeladensitélocale(LDA)................32
1.6.2L’approximationdugradientgénéralisé(GGA)...............34
1.6.3RésolutiondeséquationsdeKohnetSham.................34
2 ApprochesdÂ’OndesPlanesetPseudopotentiels37
2.1Introduction......................................37
2.2Ondesplanes.....................................38
2.2.1ThéorèmedeBloch..............................39
2.2.2EchantillonnagedelapremièrezonedeBrillouin..............39
2.2.3LabasedÂ’ondesplanes............................40
LabasedÂ’ondesplanes............................40
TABLEDESMATIÈRESTABLEDESMATIÈRES
2.2.4Laméthodedespseudopotentiels......................41
2.2.5LaméthodePAW(ProjectorAugmentedWave):.............45
3 DescriptionducodeCASTEPetdétailsdecalculs46
3.1Introduction:.....................................46
3.2LelogicielCASTEP.................................46
3.3OptimisationdelagéométrieavecCASTEP....................47
3.4Propriétésélastiques.................................49
3.4.1Introduction:.................................49
3.4.2Tenseursdecontraintesettenseursdedéformations............49
3.4.3LaloideHooke................................51
3.5Propriétésmécaniques................................54
3.5.1ModuledeYoung E : . ............................54
3.5.2Coe¢cientdePoisson.............................55
3.5.3Moduledecompression B etmoduledecisaillement G . .........56
3.5.4Anisotropie..................................59
3.5.5VitessesdepropagationdesondesélastiquesettempératuredeDebye..60
3.5.6Critèresdestabilitémécaniqueducristal..................61
3.6PropriétésElectroniques...............................62
3.6.1Structuredebandesélectroniques......................62
3.6.2Densitéd’étatsélectroniques.........................64
4 RésultatsetDiscussions66
4.1Introduction......................................66
4.2Méthodeetparamètredecalcul...........................67
4.3Propriétésstructurales................................68
4.4Propriétésstructuralesétudiéesà pressionnulle..................69
4.5Propriétésstructuralesétudiéesà pressionnonnulle................71
4.5.1Equationd’étatdesmatériaux Ba2P7X (X = Cl;Br et I) :.......71
4.6Propriétésélastiques.................................83
4.7Propriétésélastiquesétudiéesà pressionnulle...................83
TABLEDESMATIÈRESTABLEDESMATIÈRES
4.7.1Stabilitémécanique:.............................85
4.7.2Propriétésélastiquesdescomposésenphasepolycristalline........85
4.7.3Vitessesd’ondesacoustiquesisotropesettempératuredeDebye.....88
4.8Propriétésélastiquesétudiéesà pressionnonnulle.................89
4.8.1E¤etdelapressionsurles Cij . .......................89
4.8.2Stabilitémécaniquesouspression......................96
4.8.3E¤etdelapressionsurlesmodulesd’élasticitéisotropes.........97
4.8.4E¤etdelapressionsurlatempératuredeDebyeetlesvitessesmoyennes
longitudinalesettransversales........................101
4.9Propriétésélectroniques...............................106
4.9.1Propriétésélectroniquesà pressionnulle..................107
4.9.2Structuredesbandesélectroniques.....................107
4.9.3Densitéd’étatsélectroniques.........................111
4.9.4AnalysedelapopulationdeMulliken....................117
ConclusionCôte titre : DPH/0231 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0231 DPH/0231 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEtudes comparatives des démonstrations de l’infinitude des nombres premiers / Benkerouk, Khalissa
Titre : Etudes comparatives des démonstrations de l’infinitude des nombres premiers Type de document : texte imprimé Auteurs : Benkerouk, Khalissa, Auteur ; Nourreddine Daili, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2019 Importance : 1 vol (31 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Mathématique Mots-clés : Théorème des nombres premiers
Infinitude des nombres premiersIndex. décimale : 510 Mathématique Résumé : Notre mémoire de fin d’étude pour Master 2 se compose de deux
chapitres. Le premier chapitre traite le théorème des nombres
premiers. On a fait un survol historique puis on a introduit et analyser
les propriétés des nombres premiers. Puis on a enchainé des études
comparatives pour la démonstration de ce théorème.
Le deuxième chapitre étudie quelques démonstrations de l’infinitude
des nombres premiers et donne des comparaisons entre euxNote de contenu : Sommaire
Introduction 1
1 Théorème des nombres premiers 1
1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Historique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.3 Théorème des nombres premiers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.4 Propriétés des nombres premiers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4.1 Propriétés fondamentales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4.2 Propriétés liées aux chi¤res . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4.3 Propriétés fonctionnelles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4.4 Les démonstrations de théorème des nombres premiers . . 9
2 Etudes comparatives des démonstration de l’in…nitude des nombres
premiers 12
2.0.5 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.1 Euclide et les éléments : Proposition IX-20 . . . . . . . . . . . . . 12
2.2 Di¤érents types de démonstration de l’in…nitude des nombres pre-
miers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.1 Démonstration d’Euclide . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.2.2 Démonstration de Kummer . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.2.3 Démonstration de Leonhard Euler . . . . . . . . . . . . . . 16
2.2.4 Démonstration d’Erdös . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.2.5 Démonstration de Barnes . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.2.6 Démonstration de Stieltjes . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2.7 Démonstration de Fürstenberg . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.2.8 Démonstration de Sirinivasin . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
Conclusion générale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Bibliographie 29
i
Côte titre : MAM/0338 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1wqnzMVCRas6JdHrRHER2nSsleeYDAUuw/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etudes comparatives des démonstrations de l’infinitude des nombres premiers [texte imprimé] / Benkerouk, Khalissa, Auteur ; Nourreddine Daili, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (31 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Mathématique Mots-clés : Théorème des nombres premiers
Infinitude des nombres premiersIndex. décimale : 510 Mathématique Résumé : Notre mémoire de fin d’étude pour Master 2 se compose de deux
chapitres. Le premier chapitre traite le théorème des nombres
premiers. On a fait un survol historique puis on a introduit et analyser
les propriétés des nombres premiers. Puis on a enchainé des études
comparatives pour la démonstration de ce théorème.
Le deuxième chapitre étudie quelques démonstrations de l’infinitude
des nombres premiers et donne des comparaisons entre euxNote de contenu : Sommaire
Introduction 1
1 Théorème des nombres premiers 1
1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Historique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.3 Théorème des nombres premiers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.4 Propriétés des nombres premiers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4.1 Propriétés fondamentales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4.2 Propriétés liées aux chi¤res . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4.3 Propriétés fonctionnelles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4.4 Les démonstrations de théorème des nombres premiers . . 9
2 Etudes comparatives des démonstration de l’in…nitude des nombres
premiers 12
2.0.5 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.1 Euclide et les éléments : Proposition IX-20 . . . . . . . . . . . . . 12
2.2 Di¤érents types de démonstration de l’in…nitude des nombres pre-
miers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.1 Démonstration d’Euclide . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.2.2 Démonstration de Kummer . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.2.3 Démonstration de Leonhard Euler . . . . . . . . . . . . . . 16
2.2.4 Démonstration d’Erdös . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.2.5 Démonstration de Barnes . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.2.6 Démonstration de Stieltjes . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2.7 Démonstration de Fürstenberg . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.2.8 Démonstration de Sirinivasin . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
Conclusion générale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Bibliographie 29
i
Côte titre : MAM/0338 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1wqnzMVCRas6JdHrRHER2nSsleeYDAUuw/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAM/0338 MAM/0338 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEtudes comparatives de quelques algorithmes d’imagerie / Soulef Bougueroua
Titre : Etudes comparatives de quelques algorithmes d’imagerie Type de document : document électronique Auteurs : Soulef Bougueroua, Auteur ; Nourreddine Daili, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2024 Importance : 1 vol (99 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Mathématique Mots-clés : Algorithms Application Image restoration comparative study Restoration models Image processing
Etude comparatives de restauration d'image Modèles de restauration Traitement d'imagesIndex. décimale : 510 Mathématique Résumé : Inverse problems are too broad a field. Among the inverse problems in which I am interested in
image processing in my work. Image restoration is a problem that is ill-posed, interesting and
of crucial importance to the notion of image processing. The noise damages images, which
is why several algorithms have been developed for processing images: the regularization
of Tychonov ; the Rudin-Osher-Fatemi continuous model ; the Model of Yves Meyer ; the
Osher-Solé-Vese model ; the Gheraibia-Daili model ; ...
In this thesis, we treated the restoration models cited above; we did comparative studies
by making theoretical and numerical implementations. We studied the Bregman projection
theorem and oblique projection. We present a new optimization method to solve the problems
of restoring images disturbed by additive white Gaussian noise. This resolution method is
based on an algorithm of prox-penalty. The numerical results obtained by the prox-penalty
method, the algorithm split Bregman for anisotropic and isotropic TV denoising problems in
terms of image quality, convergence and signal noise ratio (SNR), these are compared in my thesisNote de contenu : Tabledesmatieres
0.1 IntroductionGenerale . .............................4
0.1.1 L'Histoire duTraitementd'Image . .................4
0.1.2 Domaines d'ApplicationsduTraitementd'Image . .......7
0.1.3 Algorithmes d'Imagerie . ........................8
0.1.4 L'ObjectifetleContenuduMemoire . ...............8
1 Generalites10
1.1 Elementsdelatheoried'AnalyseFonctionnelle . .............10
1.1.1 OperateurLineareBorne . .......................11
1.1.2 Le SpectreetResolvanted'unOperateur . ............12
1.2 GeneralitessurlesEspacesdeSobolev . ..................12
1.3 Optimisation danslesEspacesdeBanach . ................13
1.3.1 Semi-continuiteetConvexitedeFonctionnellessurV . .....14
1.3.2 G^ateaux-DierentiabilitedesFonctionnellesConvexes . ....14
1.3.3 Minimisation dansunBanachRe
exif . ..............15
1.3.4 Les Projections . .............................15
1.4 ProblemeInverseetProblemeMalPose . .................18
1.5 TraitementNumeriquedesImages . .....................18
1.5.1 Les ImagesNumerique . ........................18
1.5.2 L'Imagerie Medicale . ..........................20
1.6 Des Mesures . ...................................21
1.6.1 Erreur quadratiquemoyenne . ....................21
1.6.2 Rapportsignal/bruitdecr^ete . ....................21
1.6.3 Erreur absoluenormalisee . ......................21
1.6.4 Dierencemoyenne . ..........................21
1.6.5 Dierencemaximale . ..........................22
1.6.6 Correlationcroiseenormalisee . ...................22
1.6.7 Contenustructurel . ...........................22
2 LaMethodedeRegularisationdeTychonov24
2.1 IntroductionHistorique . ............................24
2.2 RegularisationLineaire(Tykhonov) . ....................25
2.2.1 La MethodedeTykhonovenEDP . .................26
2.3 La MethodedeTykhonovGeneralise . ...................27
2.3.1 Deux MethodesdeTikhonovGeneralisees . ............28
2.4 La MethodedeTykhonovenImagerie . ..................31
2.4.1 ResultatsNumeriquespourleModeledeTykhonov . .....33
2.5 Conclusions . ...................................33
3 ModeledeRudin-Osher-Fatemi38
3.1 IntroductionHistorique . ............................38
3.2 ProblemedeROF . ...............................39
3.2.1 Discretisation . ..............................43
3.2.2 Image Debruitee . ............................45
3.3 ResultatsNumeriques . .............................45
3.4 Conclusions . ...................................46
4 ModeledeYvesMeyeretVeseOsher51
4.1 Introduction . ...................................51
4.2 ProblemedeMeyer . ..............................52
4.2.1 La relationentreROFetMeyer . ..................53
4.2.2 DiscretisationduModeledeMeyer . ................54
4.3 ProblemedeVeseOsher . ...........................55
4.3.1 DiscretisationNumeriqueduModeledeMeyer . .........55
4.3.2 ResolutionduProblemedeVeseOsher . ..............57
5 TheoremesdeProjectiondeBregmanetProjectionOblique59
5.1 IntroductionHistorique . ............................59
5.2 TheoremedeProjectiondeBregman . ...................60
5.2.1 Distance deBregman . .........................61
5.3 TheoremedeProjectionOblique . .....................64
5.3.1 Introductionauprojectionoblique . .................64
5.3.2 ProjectionOblique . ...........................65
5.3.3 Projectionobliqueiterativesurdesensemblesconvexetproblemes
de faisabilitedivisee(SFP) . .....................67
5.3.4 Problemes(SFP)etl'algorithmeCQ . ...............67
5.3.5 Convergencedel'algorithmeCQ . ..................69
5.3.6 Les methodesLandweber . ......................70
5.3.7 Le CFPetl'algorithmeMSFP . ...................70
5.4 Algorithmes IterativedeBregman . .....................71
5.4.1 TheoremedeConvergence . ......................73
6 AnalysesComparativesdesAlgorithmesdeProximalePenaliteetdeBreg-
man pourleDebruitageD'image74
6.1 MethodesProximale-Penalite . ........................74
6.2 Algorithmes deBregmanetImagerie . ...................77
6.2.1 Algorithme deSplitBregman . ...................77
6.2.2 ProblemedeDebruitageTVAnisotrope . .............78
6.2.3 ProblemedeDebruitageTVIsotrope . ...............79
6.2.4 CombinaisondesProblemesDebruitageTVAnisotropeet Isotrope . .................................79
6.2.5 TheoremedeConvergence . ......................80
6.3 ResultatsNumeriques . .............................83
6.4 Conclusion . ....................................91
BibliographieCôte titre : dm/0200 Etudes comparatives de quelques algorithmes d’imagerie [document électronique] / Soulef Bougueroua, Auteur ; Nourreddine Daili, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2024 . - 1 vol (99 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Mathématique Mots-clés : Algorithms Application Image restoration comparative study Restoration models Image processing
Etude comparatives de restauration d'image Modèles de restauration Traitement d'imagesIndex. décimale : 510 Mathématique Résumé : Inverse problems are too broad a field. Among the inverse problems in which I am interested in
image processing in my work. Image restoration is a problem that is ill-posed, interesting and
of crucial importance to the notion of image processing. The noise damages images, which
is why several algorithms have been developed for processing images: the regularization
of Tychonov ; the Rudin-Osher-Fatemi continuous model ; the Model of Yves Meyer ; the
Osher-Solé-Vese model ; the Gheraibia-Daili model ; ...
In this thesis, we treated the restoration models cited above; we did comparative studies
by making theoretical and numerical implementations. We studied the Bregman projection
theorem and oblique projection. We present a new optimization method to solve the problems
of restoring images disturbed by additive white Gaussian noise. This resolution method is
based on an algorithm of prox-penalty. The numerical results obtained by the prox-penalty
method, the algorithm split Bregman for anisotropic and isotropic TV denoising problems in
terms of image quality, convergence and signal noise ratio (SNR), these are compared in my thesisNote de contenu : Tabledesmatieres
0.1 IntroductionGenerale . .............................4
0.1.1 L'Histoire duTraitementd'Image . .................4
0.1.2 Domaines d'ApplicationsduTraitementd'Image . .......7
0.1.3 Algorithmes d'Imagerie . ........................8
0.1.4 L'ObjectifetleContenuduMemoire . ...............8
1 Generalites10
1.1 Elementsdelatheoried'AnalyseFonctionnelle . .............10
1.1.1 OperateurLineareBorne . .......................11
1.1.2 Le SpectreetResolvanted'unOperateur . ............12
1.2 GeneralitessurlesEspacesdeSobolev . ..................12
1.3 Optimisation danslesEspacesdeBanach . ................13
1.3.1 Semi-continuiteetConvexitedeFonctionnellessurV . .....14
1.3.2 G^ateaux-DierentiabilitedesFonctionnellesConvexes . ....14
1.3.3 Minimisation dansunBanachRe
exif . ..............15
1.3.4 Les Projections . .............................15
1.4 ProblemeInverseetProblemeMalPose . .................18
1.5 TraitementNumeriquedesImages . .....................18
1.5.1 Les ImagesNumerique . ........................18
1.5.2 L'Imagerie Medicale . ..........................20
1.6 Des Mesures . ...................................21
1.6.1 Erreur quadratiquemoyenne . ....................21
1.6.2 Rapportsignal/bruitdecr^ete . ....................21
1.6.3 Erreur absoluenormalisee . ......................21
1.6.4 Dierencemoyenne . ..........................21
1.6.5 Dierencemaximale . ..........................22
1.6.6 Correlationcroiseenormalisee . ...................22
1.6.7 Contenustructurel . ...........................22
2 LaMethodedeRegularisationdeTychonov24
2.1 IntroductionHistorique . ............................24
2.2 RegularisationLineaire(Tykhonov) . ....................25
2.2.1 La MethodedeTykhonovenEDP . .................26
2.3 La MethodedeTykhonovGeneralise . ...................27
2.3.1 Deux MethodesdeTikhonovGeneralisees . ............28
2.4 La MethodedeTykhonovenImagerie . ..................31
2.4.1 ResultatsNumeriquespourleModeledeTykhonov . .....33
2.5 Conclusions . ...................................33
3 ModeledeRudin-Osher-Fatemi38
3.1 IntroductionHistorique . ............................38
3.2 ProblemedeROF . ...............................39
3.2.1 Discretisation . ..............................43
3.2.2 Image Debruitee . ............................45
3.3 ResultatsNumeriques . .............................45
3.4 Conclusions . ...................................46
4 ModeledeYvesMeyeretVeseOsher51
4.1 Introduction . ...................................51
4.2 ProblemedeMeyer . ..............................52
4.2.1 La relationentreROFetMeyer . ..................53
4.2.2 DiscretisationduModeledeMeyer . ................54
4.3 ProblemedeVeseOsher . ...........................55
4.3.1 DiscretisationNumeriqueduModeledeMeyer . .........55
4.3.2 ResolutionduProblemedeVeseOsher . ..............57
5 TheoremesdeProjectiondeBregmanetProjectionOblique59
5.1 IntroductionHistorique . ............................59
5.2 TheoremedeProjectiondeBregman . ...................60
5.2.1 Distance deBregman . .........................61
5.3 TheoremedeProjectionOblique . .....................64
5.3.1 Introductionauprojectionoblique . .................64
5.3.2 ProjectionOblique . ...........................65
5.3.3 Projectionobliqueiterativesurdesensemblesconvexetproblemes
de faisabilitedivisee(SFP) . .....................67
5.3.4 Problemes(SFP)etl'algorithmeCQ . ...............67
5.3.5 Convergencedel'algorithmeCQ . ..................69
5.3.6 Les methodesLandweber . ......................70
5.3.7 Le CFPetl'algorithmeMSFP . ...................70
5.4 Algorithmes IterativedeBregman . .....................71
5.4.1 TheoremedeConvergence . ......................73
6 AnalysesComparativesdesAlgorithmesdeProximalePenaliteetdeBreg-
man pourleDebruitageD'image74
6.1 MethodesProximale-Penalite . ........................74
6.2 Algorithmes deBregmanetImagerie . ...................77
6.2.1 Algorithme deSplitBregman . ...................77
6.2.2 ProblemedeDebruitageTVAnisotrope . .............78
6.2.3 ProblemedeDebruitageTVIsotrope . ...............79
6.2.4 CombinaisondesProblemesDebruitageTVAnisotropeet Isotrope . .................................79
6.2.5 TheoremedeConvergence . ......................80
6.3 ResultatsNumeriques . .............................83
6.4 Conclusion . ....................................91
BibliographieCôte titre : dm/0200 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DM/0200 DM/0200 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEtudes des composants électroniques (cellules solaires, diodes Schottky) en utilisant les algorithmes génétiques et le langage VHDL AMS / Sihem Toumi
Titre : Etudes des composants électroniques (cellules solaires, diodes Schottky) en utilisant les algorithmes génétiques et le langage VHDL AMS Type de document : texte imprimé Auteurs : Sihem Toumi ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2012 Importance : 1 vol (136 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Composants électroniques
Diodes schottky)
Algorithmes genetiques
Langage VHDL AMSIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Dans ce Travail on a étudié les caractéristiques électriques I-V en fonction de la température T des structures Schottky (métal-4H-SiC) et des structures solaires (cellules-modules). Notre caractérisation a pour but d’analyser la distribution spatiale de la barrière de potentiel φB dans les diodes Schottky et de l’énergie de la bande interdite Eg dans les structures solaires. L’analyse de l’inhomogénéité de la barrière φB et de l’énergie Eg est un critère très important pour comprendre le comportement physique des interfaces à semiconducteurs. Une étude comparative est faite pour des structures homogènes. On a adopté comme modèles de travail des outils de caractérisation très puissant tel que la méthode d’optimisation verticale VOM en utilisant la fonction de Lambert W et le modèle de Werner. Dans la première partie de ce travail nous avons utilisé la VOM pour l’extraction des paramètres des diodes Schottky (homogènes et inhomogènes) et des cellules-modules solaires. Dans la deuxième partie de ce travail, nous avons utilisé le modèle de Werner pour expliquer la physique de la barrière de potentiel φB dans les diodes Schottky de puissance à base de carbure de Silicium (Mo/4H-SiC et W/4H-SiC ) et dans les structures solaires à partir des caractéristiques courant-tension en directe, à différents diamètres et à différentes températures. L’effet de l’inhomogénéité sur les performances des structures solaires tel que la tension de circuit ouvert Voc et le courant de court-circuit I sc a été aussi étudié. De meilleurs résultats ont été trouvés pour des caractéristiques (I-V-T) réelles et simulées, ce qui prouve la fiabilité et la puissance de nos programmes exécutés pour l’extraction des paramètres des structures Schottky et des structures solaires. Les résultats trouvés dans ce travail sont en très bon accord avec ceux donnés par la théorie.Côte titre : DPH/0149 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/2045/1/These%20Toumi. [...] Etudes des composants électroniques (cellules solaires, diodes Schottky) en utilisant les algorithmes génétiques et le langage VHDL AMS [texte imprimé] / Sihem Toumi ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2012 . - 1 vol (136 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Composants électroniques
Diodes schottky)
Algorithmes genetiques
Langage VHDL AMSIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Dans ce Travail on a étudié les caractéristiques électriques I-V en fonction de la température T des structures Schottky (métal-4H-SiC) et des structures solaires (cellules-modules). Notre caractérisation a pour but d’analyser la distribution spatiale de la barrière de potentiel φB dans les diodes Schottky et de l’énergie de la bande interdite Eg dans les structures solaires. L’analyse de l’inhomogénéité de la barrière φB et de l’énergie Eg est un critère très important pour comprendre le comportement physique des interfaces à semiconducteurs. Une étude comparative est faite pour des structures homogènes. On a adopté comme modèles de travail des outils de caractérisation très puissant tel que la méthode d’optimisation verticale VOM en utilisant la fonction de Lambert W et le modèle de Werner. Dans la première partie de ce travail nous avons utilisé la VOM pour l’extraction des paramètres des diodes Schottky (homogènes et inhomogènes) et des cellules-modules solaires. Dans la deuxième partie de ce travail, nous avons utilisé le modèle de Werner pour expliquer la physique de la barrière de potentiel φB dans les diodes Schottky de puissance à base de carbure de Silicium (Mo/4H-SiC et W/4H-SiC ) et dans les structures solaires à partir des caractéristiques courant-tension en directe, à différents diamètres et à différentes températures. L’effet de l’inhomogénéité sur les performances des structures solaires tel que la tension de circuit ouvert Voc et le courant de court-circuit I sc a été aussi étudié. De meilleurs résultats ont été trouvés pour des caractéristiques (I-V-T) réelles et simulées, ce qui prouve la fiabilité et la puissance de nos programmes exécutés pour l’extraction des paramètres des structures Schottky et des structures solaires. Les résultats trouvés dans ce travail sont en très bon accord avec ceux donnés par la théorie.Côte titre : DPH/0149 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/2045/1/These%20Toumi. [...] Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0149 DPH/0149 Thèse Bibliothéque des sciences Anglais Disponible
Disponible
Titre : Etudes des effets d’Irradiation neutronique sur le silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Zerkak,Kahina, Auteur ; Osmani,Nadjet, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2019 Importance : 1 vol (38 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Défauts d’irradiation
Fluences neutronique
Traitement thermique FTIRIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Durant ces derniers années un intérêt particulier a été accordé à la technique de dopage par
transmutation neutronique, cette dernière est l’une des techniques implémentée autour du
réacteur ES-Salam. Son principe est basé sur la conversion nucléaire de l’isotope 30Si au 31P
suivant la réaction :
30Si (n, γ) 31P + β + γ
Durant l’irradiation neutronique du silicium plusieurs défauts sont crées à savoir les
bilacunes, la paire lacune oxygène interstitiel VO (dit le centre A) et paire lacune atome de
phosphore VP (dit centre E) et l’oxygène interstititiel, ect. Dans le présent travail nous
nous intéressons à l’étude des défauts d’irradiation en fonction de la température deus recuit.
Dans ce but, un ensemble d’échantillons de silicium sont irradiés des le réacteur de recherche
Es-Salaam à une fluence de 1018 n/cm2. Le traitement thermique se fait dans un four du
type F 6030 CM-33-60 programmable sous gaz inerte Argon. La caractérisation
électrique est basée sur les mesures de la résistivité par la méthode des quatre
pointes. L’identification et l’étude de l’évolution des défauts sont effectuées à l’aide de
la spectroscopie infrarouge à transformé de Fourier (FTIR).Note de contenu :
Sommaire
Introduction générale ……………………………………………………………………1
Chapitre I : Synthèse Bibliographique
I.1 Introduction ……………………………………………………………………...3
I.2 Aperçus sur la physique des Semi-conducteur…………………………………...3
I.3 Définition de semi-conducteur (0°K) …………………………………………….4
I.4 La résistivité ……………………………………………………………………....4
I.5 Les différentes types de semi-conducteur…………………………………………..6
I.5.1 Semi-conducteur intrinsèque…………………………………………….6
I.5.2 Semi-conducteur extrinsèque…………………………………………….6
I.6 Silicium « Si »………………………………………………………………….....6
I.6.1 Les propriété de silicium ……………………………………………….....6
I.6.2 Importance du Silicium……………………………………………………8
I.7 Méthode d’élaboration de silicium ………………………………………………..8
I.7. A Méthode Czochralski (CZ)………………………………………………8
I.7. B Méthode de la Zone Flottante (FZ)………………………………………8
I.8 Les différentes types de dopage de semi-conducteur (silicium)…………………....9
I.8.1 Dopage de type N………………………………………………………...9
I.8.2 Dopage de type P………………………………………………...………10
I.9 Les différentes techniques de dopage …………………………...…………….....10
I.9.1 Le dopage par diffusion……………………………………………….…10
I.9.2 Le dopage par implantation ionique…………………………………......11
I .10 Dopage par Transmutation Neutronique du Silicium (DTN-Si)……………......11
I.10.1 Principe de la technique DTN…………………………………………..11
I.10.2 Etude de la radioactivité du silicium irradie…………………………....12
I.10.2.1 Radioactivité du phosphore 32P …………………………………..12
I.10.2.2Normes de radioprotection…............................................................13
I.10.3 Avantages et Inconvénients de la technique (DTN)……………………..13
I.10.3. a Les Avantages DTN………………………………………………13
SOMMAIRE
I.10.3.b Les inconvénients DTN……………………………………………13
I.11.1 Détermination de la concentration du phosphore 31P…………………….....13
I.11.2 La relation entre la résistivité et la fluence……………………………….....14
I.12 Créations des défauts par irradiation neutronique dans le silicium…...…....... 16
I.12.1 Les défauts criés après irradiation……………………………………...16
I.12.2 Les différents types de défauts ponctuels………………………… …...17
1. Lacune ponctuelle (Vacancy)…………………………………………………17
2. Les défauts interstitiels……………………...............................................17
3. L’atome de substitution………………………………………………….18
I.13 Mécanisme d’interaction des défauts……………………………………….....18
I.13.1 Interaction lacune V- défauts…………………………………………....19
I.13.2 Interaction silicium Interstitiel SiI – défauts…………………………….19
Chapitre II : Techniques Expérimentales
II.1 Introduction……………………………………………………………………..20
II.2.Procédure expérimentale………………………………………………………..20
II.2.1 Description du réacteur ES-SALAM……………………………………..20
II.2.2 Description des plaquettes de silicium……………………………………20
II.2.3 Préparation des échantillons……………………………………………….20
II .2.4 Procédure de nettoyage des pastilles de silicium…………………………21
II.2.5 Procédures d'irradiation du silicium………………………………………..22
II.3 Traitement thermique …………………………………………………………....23
II.4 Techniques de caractérisations…………………………………………………..23
II.4.1 Caractérisation électrique………………………………………………….24
II.4.1.1 La méthode des quatre pointes ………………………………………24
II.4.2 Caractérisation optiques…………………………………………………....26
II.4.2.1Spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier……………………26
SOMMAIRE
Chapitre III : Résultats et discussions
III.1 Introduction…………………………………………………………….……….28
III.2 Caractérisation électriques…………………………………….………….……..28
III.2.1 Mesure de la résistivité……………………………………………………28
III.2.1.1Evolution de la résistivité en fonction de la température de recuit……28
III.2.1.2Evolution de la concentration du phosphore en fonction de la température
de recuit………………………………………………………………………………29
III.3 Caractérisation par la spectroscopie infrarouge (FTIR)………………………...31
III.3.1 Défauts introduits par irradiation neutronique……………………..……...31
III.3.2 Effet de la température de recuit…………………………………………..31
III.3.3 Evolution du centre VO2 avec l’oxygène interstitiel……………………...33
Conclusion générale………………………………………………………………….34
Référence……………………………………………………………………………..35Côte titre : MAPH/0330 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1DwMZXaZL2i_XQLPtagnHTAf_oe3ZjsiB/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etudes des effets d’Irradiation neutronique sur le silicium [texte imprimé] / Zerkak,Kahina, Auteur ; Osmani,Nadjet, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (38 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Défauts d’irradiation
Fluences neutronique
Traitement thermique FTIRIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Durant ces derniers années un intérêt particulier a été accordé à la technique de dopage par
transmutation neutronique, cette dernière est l’une des techniques implémentée autour du
réacteur ES-Salam. Son principe est basé sur la conversion nucléaire de l’isotope 30Si au 31P
suivant la réaction :
30Si (n, γ) 31P + β + γ
Durant l’irradiation neutronique du silicium plusieurs défauts sont crées à savoir les
bilacunes, la paire lacune oxygène interstitiel VO (dit le centre A) et paire lacune atome de
phosphore VP (dit centre E) et l’oxygène interstititiel, ect. Dans le présent travail nous
nous intéressons à l’étude des défauts d’irradiation en fonction de la température deus recuit.
Dans ce but, un ensemble d’échantillons de silicium sont irradiés des le réacteur de recherche
Es-Salaam à une fluence de 1018 n/cm2. Le traitement thermique se fait dans un four du
type F 6030 CM-33-60 programmable sous gaz inerte Argon. La caractérisation
électrique est basée sur les mesures de la résistivité par la méthode des quatre
pointes. L’identification et l’étude de l’évolution des défauts sont effectuées à l’aide de
la spectroscopie infrarouge à transformé de Fourier (FTIR).Note de contenu :
Sommaire
Introduction générale ……………………………………………………………………1
Chapitre I : Synthèse Bibliographique
I.1 Introduction ……………………………………………………………………...3
I.2 Aperçus sur la physique des Semi-conducteur…………………………………...3
I.3 Définition de semi-conducteur (0°K) …………………………………………….4
I.4 La résistivité ……………………………………………………………………....4
I.5 Les différentes types de semi-conducteur…………………………………………..6
I.5.1 Semi-conducteur intrinsèque…………………………………………….6
I.5.2 Semi-conducteur extrinsèque…………………………………………….6
I.6 Silicium « Si »………………………………………………………………….....6
I.6.1 Les propriété de silicium ……………………………………………….....6
I.6.2 Importance du Silicium……………………………………………………8
I.7 Méthode d’élaboration de silicium ………………………………………………..8
I.7. A Méthode Czochralski (CZ)………………………………………………8
I.7. B Méthode de la Zone Flottante (FZ)………………………………………8
I.8 Les différentes types de dopage de semi-conducteur (silicium)…………………....9
I.8.1 Dopage de type N………………………………………………………...9
I.8.2 Dopage de type P………………………………………………...………10
I.9 Les différentes techniques de dopage …………………………...…………….....10
I.9.1 Le dopage par diffusion……………………………………………….…10
I.9.2 Le dopage par implantation ionique…………………………………......11
I .10 Dopage par Transmutation Neutronique du Silicium (DTN-Si)……………......11
I.10.1 Principe de la technique DTN…………………………………………..11
I.10.2 Etude de la radioactivité du silicium irradie…………………………....12
I.10.2.1 Radioactivité du phosphore 32P …………………………………..12
I.10.2.2Normes de radioprotection…............................................................13
I.10.3 Avantages et Inconvénients de la technique (DTN)……………………..13
I.10.3. a Les Avantages DTN………………………………………………13
SOMMAIRE
I.10.3.b Les inconvénients DTN……………………………………………13
I.11.1 Détermination de la concentration du phosphore 31P…………………….....13
I.11.2 La relation entre la résistivité et la fluence……………………………….....14
I.12 Créations des défauts par irradiation neutronique dans le silicium…...…....... 16
I.12.1 Les défauts criés après irradiation……………………………………...16
I.12.2 Les différents types de défauts ponctuels………………………… …...17
1. Lacune ponctuelle (Vacancy)…………………………………………………17
2. Les défauts interstitiels……………………...............................................17
3. L’atome de substitution………………………………………………….18
I.13 Mécanisme d’interaction des défauts……………………………………….....18
I.13.1 Interaction lacune V- défauts…………………………………………....19
I.13.2 Interaction silicium Interstitiel SiI – défauts…………………………….19
Chapitre II : Techniques Expérimentales
II.1 Introduction……………………………………………………………………..20
II.2.Procédure expérimentale………………………………………………………..20
II.2.1 Description du réacteur ES-SALAM……………………………………..20
II.2.2 Description des plaquettes de silicium……………………………………20
II.2.3 Préparation des échantillons……………………………………………….20
II .2.4 Procédure de nettoyage des pastilles de silicium…………………………21
II.2.5 Procédures d'irradiation du silicium………………………………………..22
II.3 Traitement thermique …………………………………………………………....23
II.4 Techniques de caractérisations…………………………………………………..23
II.4.1 Caractérisation électrique………………………………………………….24
II.4.1.1 La méthode des quatre pointes ………………………………………24
II.4.2 Caractérisation optiques…………………………………………………....26
II.4.2.1Spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier……………………26
SOMMAIRE
Chapitre III : Résultats et discussions
III.1 Introduction…………………………………………………………….……….28
III.2 Caractérisation électriques…………………………………….………….……..28
III.2.1 Mesure de la résistivité……………………………………………………28
III.2.1.1Evolution de la résistivité en fonction de la température de recuit……28
III.2.1.2Evolution de la concentration du phosphore en fonction de la température
de recuit………………………………………………………………………………29
III.3 Caractérisation par la spectroscopie infrarouge (FTIR)………………………...31
III.3.1 Défauts introduits par irradiation neutronique……………………..……...31
III.3.2 Effet de la température de recuit…………………………………………..31
III.3.3 Evolution du centre VO2 avec l’oxygène interstitiel……………………...33
Conclusion générale………………………………………………………………….34
Référence……………………………………………………………………………..35Côte titre : MAPH/0330 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1DwMZXaZL2i_XQLPtagnHTAf_oe3ZjsiB/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0330 MAPH/0330 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
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