Titre :	Etude isothermique des siliciures de nickel (50 nm) /si (111
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Bouthaina Ferdi, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse
Année de publication :	2022
Importance :	1 vol (48 f.)
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Physique
Mots-clés :	Silicium Nickel Siliciure
Index. décimale :	530-Physique
Résumé :	Le présent travail porte sur l’étude de formation de siliciures de nickel à partir du système Ni(50nm) / Si (111). Les l’échantillon sont obtenir par le dépôt d’un film métallique de nickel par pulvérisation cathodique sous vide sur substrat de silicium monocristallin orienté (111), pour amorcer la réaction de siliciuration en phase solide, ces échenillions ont subi un recuit isotherme (245°C) Nous avons utilisé quatres techniques de caractérisations, à savoir la diffraction des rayons X (DRX), la microscopie électronique à balayage (MEB), la spectrométrie à dispersion d’énergie (EDS), la microscopie a force atomique (AFM) pour suivre l’évolution de nos échenillions en fonction recuit isotherme subi. Après l’analyse des résultats obtenus nous avons remarqué que la formation des siliciures est observable à partir de 90 min par la présence de la phase Ni2Si et le début de formation de la phase NiSi qui devient majoritaire à 1040 min. Les images de MEB nous a permis de constater l’évolution de l’état de la surface de nous échenillions.
Côte titre :	MAPH/0531
En ligne :	https://drive.google.com/file/d/1PhJUOgSqIy_-1ynx0udvLOq78HdmDBRT/view?usp=shari [...]
Format de la ressource électronique :	pdf

Etude isothermique des siliciures de nickel (50 nm) /si (111 [texte imprimé] / Bouthaina Ferdi, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse . - 2022 . - 1 vol (48 f.).
Langues : Français (fre)

Catégories :	Physique
Mots-clés :	Silicium Nickel Siliciure
Index. décimale :	530-Physique
Résumé :	Le présent travail porte sur l’étude de formation de siliciures de nickel à partir du système Ni(50nm) / Si (111). Les l’échantillon sont obtenir par le dépôt d’un film métallique de nickel par pulvérisation cathodique sous vide sur substrat de silicium monocristallin orienté (111), pour amorcer la réaction de siliciuration en phase solide, ces échenillions ont subi un recuit isotherme (245°C) Nous avons utilisé quatres techniques de caractérisations, à savoir la diffraction des rayons X (DRX), la microscopie électronique à balayage (MEB), la spectrométrie à dispersion d’énergie (EDS), la microscopie a force atomique (AFM) pour suivre l’évolution de nos échenillions en fonction recuit isotherme subi. Après l’analyse des résultats obtenus nous avons remarqué que la formation des siliciures est observable à partir de 90 min par la présence de la phase Ni2Si et le début de formation de la phase NiSi qui devient majoritaire à 1040 min. Les images de MEB nous a permis de constater l’évolution de l’état de la surface de nous échenillions.
Côte titre :	MAPH/0531
En ligne :	https://drive.google.com/file/d/1PhJUOgSqIy_-1ynx0udvLOq78HdmDBRT/view?usp=shari [...]
Format de la ressource électronique :	pdf