Etudes des composants électroniques (cellules solaires, diodes Schottky) en utilisant les algorithmes génétiques et le langage VHDL AMS / Sihem Toumi  

Public ISBD Titre : Etudes des composants électroniques (cellules solaires, diodes Schottky) en utilisant les algorithmes génétiques et le langage VHDL AMS Type de document : texte imprimé Auteurs : Sihem Toumi ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2012 Importance : 1 vol (136 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Composants électroniques Diodes schottky) Algorithmes genetiques Langage VHDL AMS Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans ce Travail on a étudié les caractéristiques électriques I-V en fonction de la température T des structures Schottky (métal-4H-SiC) et des structures solaires (cellules-modules). Notre caractérisation a pour but d’analyser la distribution spatiale de la barrière de potentiel φB dans les diodes Schottky et de l’énergie de la bande interdite Eg dans les structures solaires. L’analyse de l’inhomogénéité de la barrière φB et de l’énergie Eg est un critère très important pour comprendre le comportement physique des interfaces à semiconducteurs. Une étude comparative est faite pour des structures homogènes. On a adopté comme modèles de travail des outils de caractérisation très puissant tel que la méthode d’optimisation verticale VOM en utilisant la fonction de Lambert W et le modèle de Werner. Dans la première partie de ce travail nous avons utilisé la VOM pour l’extraction des paramètres des diodes Schottky (homogènes et inhomogènes) et des cellules-modules solaires. Dans la deuxième partie de ce travail, nous avons utilisé le modèle de Werner pour expliquer la physique de la barrière de potentiel φB dans les diodes Schottky de puissance à base de carbure de Silicium (Mo/4H-SiC et W/4H-SiC ) et dans les structures solaires à partir des caractéristiques courant-tension en directe, à différents diamètres et à différentes températures. L’effet de l’inhomogénéité sur les performances des structures solaires tel que la tension de circuit ouvert Voc et le courant de court-circuit I sc a été aussi étudié. De meilleurs résultats ont été trouvés pour des caractéristiques (I-V-T) réelles et simulées, ce qui prouve la fiabilité et la puissance de nos programmes exécutés pour l’extraction des paramètres des structures Schottky et des structures solaires. Les résultats trouvés dans ce travail sont en très bon accord avec ceux donnés par la théorie. Côte titre : DPH/0149 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/2045/1/These%20Toumi. [...] Etudes des composants électroniques (cellules solaires, diodes Schottky) en utilisant les algorithmes génétiques et le langage VHDL AMS [texte imprimé] / Sihem Toumi ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2012 . - 1 vol (136 f .) ; 29 cm. Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Composants électroniques Diodes schottky) Algorithmes genetiques Langage VHDL AMS Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans ce Travail on a étudié les caractéristiques électriques I-V en fonction de la température T des structures Schottky (métal-4H-SiC) et des structures solaires (cellules-modules). Notre caractérisation a pour but d’analyser la distribution spatiale de la barrière de potentiel φB dans les diodes Schottky et de l’énergie de la bande interdite Eg dans les structures solaires. L’analyse de l’inhomogénéité de la barrière φB et de l’énergie Eg est un critère très important pour comprendre le comportement physique des interfaces à semiconducteurs. Une étude comparative est faite pour des structures homogènes. On a adopté comme modèles de travail des outils de caractérisation très puissant tel que la méthode d’optimisation verticale VOM en utilisant la fonction de Lambert W et le modèle de Werner. Dans la première partie de ce travail nous avons utilisé la VOM pour l’extraction des paramètres des diodes Schottky (homogènes et inhomogènes) et des cellules-modules solaires. Dans la deuxième partie de ce travail, nous avons utilisé le modèle de Werner pour expliquer la physique de la barrière de potentiel φB dans les diodes Schottky de puissance à base de carbure de Silicium (Mo/4H-SiC et W/4H-SiC ) et dans les structures solaires à partir des caractéristiques courant-tension en directe, à différents diamètres et à différentes températures. L’effet de l’inhomogénéité sur les performances des structures solaires tel que la tension de circuit ouvert Voc et le courant de court-circuit I sc a été aussi étudié. De meilleurs résultats ont été trouvés pour des caractéristiques (I-V-T) réelles et simulées, ce qui prouve la fiabilité et la puissance de nos programmes exécutés pour l’extraction des paramètres des structures Schottky et des structures solaires. Les résultats trouvés dans ce travail sont en très bon accord avec ceux donnés par la théorie. Côte titre : DPH/0149 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/2045/1/These%20Toumi. [...]

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DPH/0149	DPH/0149	Thèse	Bibliothéque des sciences	Anglais	Disponible Disponible

Théorie des systèmes hybrides, description programmes et étude de ses performances / Sihem Toumi

Public ISBD Titre : Théorie des systèmes hybrides, description programmes et étude de ses performances Type de document : texte imprimé Auteurs : Sihem Toumi ; A Boucenna, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2004 Importance : 1 vol (126 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Systèmes hybrides Index. décimale : 530 - Physique Côte titre : MPH/0121-0126 Théorie des systèmes hybrides, description programmes et étude de ses performances [texte imprimé] / Sihem Toumi ; A Boucenna, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2004 . - 1 vol (126 f.) ; 29 cm. Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Systèmes hybrides Index. décimale : 530 - Physique Côte titre : MPH/0121-0126

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MPH/0121	MPH/0121-0126	Mémoire	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible
MPH/0125	MPH/0121-0126	Mémoire	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible
MPH/0124	MPH/0121-0126	Mémoire	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible
MPH/0123	MPH/0121-0126	Mémoire	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible
MPH/0122	MPH/0121-0126	Mémoire	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible
MPH/0126	MPH/0121-0126	Mémoire	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible

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