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Auteur Noureddine Adjeroud |
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Ajouter le résultat dans votre panier Affiner la rechercheInfluence de la résistance série Rs et de la conductance d'oxyde Gox sur les caractéristiques capacité-tension et conductance -tension d'une structure MIS tunnel / Noureddine Adjeroud
Titre : Influence de la résistance série Rs et de la conductance d'oxyde Gox sur les caractéristiques capacité-tension et conductance -tension d'une structure MIS tunnel Type de document : texte imprimé Auteurs : Noureddine Adjeroud ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2001 Importance : 1 vol (71 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Structure MIS tunnel
Extraction des états d'interface
Isolant inhomogèneIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Les états d'interface jouent un rô1e capital, le plus souvent néfaste' dans le
fonctionnement des dispositifs à semi-conducteur. Aussi s'éfforce-t-on en général de
réduire leur densité le plus possible. Pour cela, il faut pouvoir évaluer leur densité' leur
répartition dans la bande interdite et, si possible, leurs caractéristiques (section efficace'
constante de temps etc.).
Cette thèse peut être résumée sous trois chapitres:Dans le premier chapitre,nous
avons rappel6 quelques aspects th6oriques concernant les semi-conducteurs et en
particulier les structures MIS-MOS. Quelques méthodes de caractérisation électriques de
ces structures ont été également présentées'
Dans le deuxième chapitre, nous avons présenté un nouveau
développé,Pour la représentation de la structure Mls tunnel.Ce
considération toutes les grandeurs électriques utilisées séparément
antérieurs, en particulier la résistance série et la conductance d'oxyde'
Dans le troisième chapitre nous avons étudié les caractéristques capacité-tension
d,une structure MIS et f influence de la conductance d'oxyde et de la résistance série sur
ces caractéristiques. La dépendance en fréquence de la conductance due aux états
d'interface a été aussi étudiée. I1 a été montré que la densité d'états d'interface est
fortement influencée par la résistance s6rie. Finalement, nous avons étudié L’effet d'un
éventuel bruit dans les caractéristiques c-v et G-V sur la précision de calcul de la
densité d'états d'interface ainsi que la constante de temps.
Côte titre : MPH/0263 Influence de la résistance série Rs et de la conductance d'oxyde Gox sur les caractéristiques capacité-tension et conductance -tension d'une structure MIS tunnel [texte imprimé] / Noureddine Adjeroud ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2001 . - 1 vol (71 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Structure MIS tunnel
Extraction des états d'interface
Isolant inhomogèneIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Les états d'interface jouent un rô1e capital, le plus souvent néfaste' dans le
fonctionnement des dispositifs à semi-conducteur. Aussi s'éfforce-t-on en général de
réduire leur densité le plus possible. Pour cela, il faut pouvoir évaluer leur densité' leur
répartition dans la bande interdite et, si possible, leurs caractéristiques (section efficace'
constante de temps etc.).
Cette thèse peut être résumée sous trois chapitres:Dans le premier chapitre,nous
avons rappel6 quelques aspects th6oriques concernant les semi-conducteurs et en
particulier les structures MIS-MOS. Quelques méthodes de caractérisation électriques de
ces structures ont été également présentées'
Dans le deuxième chapitre, nous avons présenté un nouveau
développé,Pour la représentation de la structure Mls tunnel.Ce
considération toutes les grandeurs électriques utilisées séparément
antérieurs, en particulier la résistance série et la conductance d'oxyde'
Dans le troisième chapitre nous avons étudié les caractéristques capacité-tension
d,une structure MIS et f influence de la conductance d'oxyde et de la résistance série sur
ces caractéristiques. La dépendance en fréquence de la conductance due aux états
d'interface a été aussi étudiée. I1 a été montré que la densité d'états d'interface est
fortement influencée par la résistance s6rie. Finalement, nous avons étudié L’effet d'un
éventuel bruit dans les caractéristiques c-v et G-V sur la précision de calcul de la
densité d'états d'interface ainsi que la constante de temps.
Côte titre : MPH/0263 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MPH/0263 MPH/0263 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Influence de la résistance série RS et de la conductance d'oxyde Gox sur les caractéristiques tensions et conductance-tension d'une structure MIS tunnel Type de document : texte imprimé Auteurs : Noureddine Adjeroud ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2002 Importance : 1 vol (69 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Résistance série RS Index. décimale : 530 - Physique Côte titre : MPH/0056-0062 Influence de la résistance série RS et de la conductance d'oxyde Gox sur les caractéristiques tensions et conductance-tension d'une structure MIS tunnel [texte imprimé] / Noureddine Adjeroud ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2002 . - 1 vol (69 f.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Résistance série RS Index. décimale : 530 - Physique Côte titre : MPH/0056-0062 Exemplaires (7)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MPH/0056 MPH/0056-0062 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleMPH/0060 MPH/0056-0062 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleMPH/0059 MPH/0056-0062 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleMPH/0058 MPH/0056-0062 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleMPH/0057 MPH/0056-0062 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleMPH/0061 MPH/0056-0062 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleMPH/0062 MPH/0056-0062 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
