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Etudes des composants électroniques (cellules solaires, diodes Schottky) en utilisant les algorithmes génétiques et le langage VHDL AMS / Sihem Toumi
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Titre : Etudes des composants électroniques (cellules solaires, diodes Schottky) en utilisant les algorithmes génétiques et le langage VHDL AMS Type de document : texte imprimé Auteurs : Sihem Toumi ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2012 Importance : 1 vol (136 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Composants électroniques
Diodes schottky)
Algorithmes genetiques
Langage VHDL AMSIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Dans ce Travail on a étudié les caractéristiques électriques I-V en fonction de la température T des structures Schottky (métal-4H-SiC) et des structures solaires (cellules-modules). Notre caractérisation a pour but d’analyser la distribution spatiale de la barrière de potentiel φB dans les diodes Schottky et de l’énergie de la bande interdite Eg dans les structures solaires. L’analyse de l’inhomogénéité de la barrière φB et de l’énergie Eg est un critère très important pour comprendre le comportement physique des interfaces à semiconducteurs. Une étude comparative est faite pour des structures homogènes. On a adopté comme modèles de travail des outils de caractérisation très puissant tel que la méthode d’optimisation verticale VOM en utilisant la fonction de Lambert W et le modèle de Werner. Dans la première partie de ce travail nous avons utilisé la VOM pour l’extraction des paramètres des diodes Schottky (homogènes et inhomogènes) et des cellules-modules solaires. Dans la deuxième partie de ce travail, nous avons utilisé le modèle de Werner pour expliquer la physique de la barrière de potentiel φB dans les diodes Schottky de puissance à base de carbure de Silicium (Mo/4H-SiC et W/4H-SiC ) et dans les structures solaires à partir des caractéristiques courant-tension en directe, à différents diamètres et à différentes températures. L’effet de l’inhomogénéité sur les performances des structures solaires tel que la tension de circuit ouvert Voc et le courant de court-circuit I sc a été aussi étudié. De meilleurs résultats ont été trouvés pour des caractéristiques (I-V-T) réelles et simulées, ce qui prouve la fiabilité et la puissance de nos programmes exécutés pour l’extraction des paramètres des structures Schottky et des structures solaires. Les résultats trouvés dans ce travail sont en très bon accord avec ceux donnés par la théorie.Côte titre : DPH/0149 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/2045/1/These%20Toumi. [...] Etudes des composants électroniques (cellules solaires, diodes Schottky) en utilisant les algorithmes génétiques et le langage VHDL AMS [texte imprimé] / Sihem Toumi ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2012 . - 1 vol (136 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Composants électroniques
Diodes schottky)
Algorithmes genetiques
Langage VHDL AMSIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Dans ce Travail on a étudié les caractéristiques électriques I-V en fonction de la température T des structures Schottky (métal-4H-SiC) et des structures solaires (cellules-modules). Notre caractérisation a pour but d’analyser la distribution spatiale de la barrière de potentiel φB dans les diodes Schottky et de l’énergie de la bande interdite Eg dans les structures solaires. L’analyse de l’inhomogénéité de la barrière φB et de l’énergie Eg est un critère très important pour comprendre le comportement physique des interfaces à semiconducteurs. Une étude comparative est faite pour des structures homogènes. On a adopté comme modèles de travail des outils de caractérisation très puissant tel que la méthode d’optimisation verticale VOM en utilisant la fonction de Lambert W et le modèle de Werner. Dans la première partie de ce travail nous avons utilisé la VOM pour l’extraction des paramètres des diodes Schottky (homogènes et inhomogènes) et des cellules-modules solaires. Dans la deuxième partie de ce travail, nous avons utilisé le modèle de Werner pour expliquer la physique de la barrière de potentiel φB dans les diodes Schottky de puissance à base de carbure de Silicium (Mo/4H-SiC et W/4H-SiC ) et dans les structures solaires à partir des caractéristiques courant-tension en directe, à différents diamètres et à différentes températures. L’effet de l’inhomogénéité sur les performances des structures solaires tel que la tension de circuit ouvert Voc et le courant de court-circuit I sc a été aussi étudié. De meilleurs résultats ont été trouvés pour des caractéristiques (I-V-T) réelles et simulées, ce qui prouve la fiabilité et la puissance de nos programmes exécutés pour l’extraction des paramètres des structures Schottky et des structures solaires. Les résultats trouvés dans ce travail sont en très bon accord avec ceux donnés par la théorie.Côte titre : DPH/0149 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/2045/1/These%20Toumi. [...] Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0149 DPH/0149 Thèse Bibliothéque des sciences Anglais Disponible
Disponible
Titre : Etudes des effets d’Irradiation neutronique sur le silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Zerkak,Kahina, Auteur ; Osmani,Nadjet, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2019 Importance : 1 vol (38 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Défauts d’irradiation
Fluences neutronique
Traitement thermique FTIRIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Durant ces derniers années un intérêt particulier a été accordé à la technique de dopage par
transmutation neutronique, cette dernière est l’une des techniques implémentée autour du
réacteur ES-Salam. Son principe est basé sur la conversion nucléaire de l’isotope 30Si au 31P
suivant la réaction :
30Si (n, γ) 31P + β + γ
Durant l’irradiation neutronique du silicium plusieurs défauts sont crées à savoir les
bilacunes, la paire lacune oxygène interstitiel VO (dit le centre A) et paire lacune atome de
phosphore VP (dit centre E) et l’oxygène interstititiel, ect. Dans le présent travail nous
nous intéressons à l’étude des défauts d’irradiation en fonction de la température deus recuit.
Dans ce but, un ensemble d’échantillons de silicium sont irradiés des le réacteur de recherche
Es-Salaam à une fluence de 1018 n/cm2. Le traitement thermique se fait dans un four du
type F 6030 CM-33-60 programmable sous gaz inerte Argon. La caractérisation
électrique est basée sur les mesures de la résistivité par la méthode des quatre
pointes. L’identification et l’étude de l’évolution des défauts sont effectuées à l’aide de
la spectroscopie infrarouge à transformé de Fourier (FTIR).Note de contenu :
Sommaire
Introduction générale ……………………………………………………………………1
Chapitre I : Synthèse Bibliographique
I.1 Introduction ……………………………………………………………………...3
I.2 Aperçus sur la physique des Semi-conducteur…………………………………...3
I.3 Définition de semi-conducteur (0°K) …………………………………………….4
I.4 La résistivité ……………………………………………………………………....4
I.5 Les différentes types de semi-conducteur…………………………………………..6
I.5.1 Semi-conducteur intrinsèque…………………………………………….6
I.5.2 Semi-conducteur extrinsèque…………………………………………….6
I.6 Silicium « Si »………………………………………………………………….....6
I.6.1 Les propriété de silicium ……………………………………………….....6
I.6.2 Importance du Silicium……………………………………………………8
I.7 Méthode d’élaboration de silicium ………………………………………………..8
I.7. A Méthode Czochralski (CZ)………………………………………………8
I.7. B Méthode de la Zone Flottante (FZ)………………………………………8
I.8 Les différentes types de dopage de semi-conducteur (silicium)…………………....9
I.8.1 Dopage de type N………………………………………………………...9
I.8.2 Dopage de type P………………………………………………...………10
I.9 Les différentes techniques de dopage …………………………...…………….....10
I.9.1 Le dopage par diffusion……………………………………………….…10
I.9.2 Le dopage par implantation ionique…………………………………......11
I .10 Dopage par Transmutation Neutronique du Silicium (DTN-Si)……………......11
I.10.1 Principe de la technique DTN…………………………………………..11
I.10.2 Etude de la radioactivité du silicium irradie…………………………....12
I.10.2.1 Radioactivité du phosphore 32P …………………………………..12
I.10.2.2Normes de radioprotection…............................................................13
I.10.3 Avantages et Inconvénients de la technique (DTN)……………………..13
I.10.3. a Les Avantages DTN………………………………………………13
SOMMAIRE
I.10.3.b Les inconvénients DTN……………………………………………13
I.11.1 Détermination de la concentration du phosphore 31P…………………….....13
I.11.2 La relation entre la résistivité et la fluence……………………………….....14
I.12 Créations des défauts par irradiation neutronique dans le silicium…...…....... 16
I.12.1 Les défauts criés après irradiation……………………………………...16
I.12.2 Les différents types de défauts ponctuels………………………… …...17
1. Lacune ponctuelle (Vacancy)…………………………………………………17
2. Les défauts interstitiels……………………...............................................17
3. L’atome de substitution………………………………………………….18
I.13 Mécanisme d’interaction des défauts……………………………………….....18
I.13.1 Interaction lacune V- défauts…………………………………………....19
I.13.2 Interaction silicium Interstitiel SiI – défauts…………………………….19
Chapitre II : Techniques Expérimentales
II.1 Introduction……………………………………………………………………..20
II.2.Procédure expérimentale………………………………………………………..20
II.2.1 Description du réacteur ES-SALAM……………………………………..20
II.2.2 Description des plaquettes de silicium……………………………………20
II.2.3 Préparation des échantillons……………………………………………….20
II .2.4 Procédure de nettoyage des pastilles de silicium…………………………21
II.2.5 Procédures d'irradiation du silicium………………………………………..22
II.3 Traitement thermique …………………………………………………………....23
II.4 Techniques de caractérisations…………………………………………………..23
II.4.1 Caractérisation électrique………………………………………………….24
II.4.1.1 La méthode des quatre pointes ………………………………………24
II.4.2 Caractérisation optiques…………………………………………………....26
II.4.2.1Spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier……………………26
SOMMAIRE
Chapitre III : Résultats et discussions
III.1 Introduction…………………………………………………………….……….28
III.2 Caractérisation électriques…………………………………….………….……..28
III.2.1 Mesure de la résistivité……………………………………………………28
III.2.1.1Evolution de la résistivité en fonction de la température de recuit……28
III.2.1.2Evolution de la concentration du phosphore en fonction de la température
de recuit………………………………………………………………………………29
III.3 Caractérisation par la spectroscopie infrarouge (FTIR)………………………...31
III.3.1 Défauts introduits par irradiation neutronique……………………..……...31
III.3.2 Effet de la température de recuit…………………………………………..31
III.3.3 Evolution du centre VO2 avec l’oxygène interstitiel……………………...33
Conclusion générale………………………………………………………………….34
Référence……………………………………………………………………………..35Côte titre : MAPH/0330 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1DwMZXaZL2i_XQLPtagnHTAf_oe3ZjsiB/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etudes des effets d’Irradiation neutronique sur le silicium [texte imprimé] / Zerkak,Kahina, Auteur ; Osmani,Nadjet, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (38 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Défauts d’irradiation
Fluences neutronique
Traitement thermique FTIRIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Durant ces derniers années un intérêt particulier a été accordé à la technique de dopage par
transmutation neutronique, cette dernière est l’une des techniques implémentée autour du
réacteur ES-Salam. Son principe est basé sur la conversion nucléaire de l’isotope 30Si au 31P
suivant la réaction :
30Si (n, γ) 31P + β + γ
Durant l’irradiation neutronique du silicium plusieurs défauts sont crées à savoir les
bilacunes, la paire lacune oxygène interstitiel VO (dit le centre A) et paire lacune atome de
phosphore VP (dit centre E) et l’oxygène interstititiel, ect. Dans le présent travail nous
nous intéressons à l’étude des défauts d’irradiation en fonction de la température deus recuit.
Dans ce but, un ensemble d’échantillons de silicium sont irradiés des le réacteur de recherche
Es-Salaam à une fluence de 1018 n/cm2. Le traitement thermique se fait dans un four du
type F 6030 CM-33-60 programmable sous gaz inerte Argon. La caractérisation
électrique est basée sur les mesures de la résistivité par la méthode des quatre
pointes. L’identification et l’étude de l’évolution des défauts sont effectuées à l’aide de
la spectroscopie infrarouge à transformé de Fourier (FTIR).Note de contenu :
Sommaire
Introduction générale ……………………………………………………………………1
Chapitre I : Synthèse Bibliographique
I.1 Introduction ……………………………………………………………………...3
I.2 Aperçus sur la physique des Semi-conducteur…………………………………...3
I.3 Définition de semi-conducteur (0°K) …………………………………………….4
I.4 La résistivité ……………………………………………………………………....4
I.5 Les différentes types de semi-conducteur…………………………………………..6
I.5.1 Semi-conducteur intrinsèque…………………………………………….6
I.5.2 Semi-conducteur extrinsèque…………………………………………….6
I.6 Silicium « Si »………………………………………………………………….....6
I.6.1 Les propriété de silicium ……………………………………………….....6
I.6.2 Importance du Silicium……………………………………………………8
I.7 Méthode d’élaboration de silicium ………………………………………………..8
I.7. A Méthode Czochralski (CZ)………………………………………………8
I.7. B Méthode de la Zone Flottante (FZ)………………………………………8
I.8 Les différentes types de dopage de semi-conducteur (silicium)…………………....9
I.8.1 Dopage de type N………………………………………………………...9
I.8.2 Dopage de type P………………………………………………...………10
I.9 Les différentes techniques de dopage …………………………...…………….....10
I.9.1 Le dopage par diffusion……………………………………………….…10
I.9.2 Le dopage par implantation ionique…………………………………......11
I .10 Dopage par Transmutation Neutronique du Silicium (DTN-Si)……………......11
I.10.1 Principe de la technique DTN…………………………………………..11
I.10.2 Etude de la radioactivité du silicium irradie…………………………....12
I.10.2.1 Radioactivité du phosphore 32P …………………………………..12
I.10.2.2Normes de radioprotection…............................................................13
I.10.3 Avantages et Inconvénients de la technique (DTN)……………………..13
I.10.3. a Les Avantages DTN………………………………………………13
SOMMAIRE
I.10.3.b Les inconvénients DTN……………………………………………13
I.11.1 Détermination de la concentration du phosphore 31P…………………….....13
I.11.2 La relation entre la résistivité et la fluence……………………………….....14
I.12 Créations des défauts par irradiation neutronique dans le silicium…...…....... 16
I.12.1 Les défauts criés après irradiation……………………………………...16
I.12.2 Les différents types de défauts ponctuels………………………… …...17
1. Lacune ponctuelle (Vacancy)…………………………………………………17
2. Les défauts interstitiels……………………...............................................17
3. L’atome de substitution………………………………………………….18
I.13 Mécanisme d’interaction des défauts……………………………………….....18
I.13.1 Interaction lacune V- défauts…………………………………………....19
I.13.2 Interaction silicium Interstitiel SiI – défauts…………………………….19
Chapitre II : Techniques Expérimentales
II.1 Introduction……………………………………………………………………..20
II.2.Procédure expérimentale………………………………………………………..20
II.2.1 Description du réacteur ES-SALAM……………………………………..20
II.2.2 Description des plaquettes de silicium……………………………………20
II.2.3 Préparation des échantillons……………………………………………….20
II .2.4 Procédure de nettoyage des pastilles de silicium…………………………21
II.2.5 Procédures d'irradiation du silicium………………………………………..22
II.3 Traitement thermique …………………………………………………………....23
II.4 Techniques de caractérisations…………………………………………………..23
II.4.1 Caractérisation électrique………………………………………………….24
II.4.1.1 La méthode des quatre pointes ………………………………………24
II.4.2 Caractérisation optiques…………………………………………………....26
II.4.2.1Spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier……………………26
SOMMAIRE
Chapitre III : Résultats et discussions
III.1 Introduction…………………………………………………………….……….28
III.2 Caractérisation électriques…………………………………….………….……..28
III.2.1 Mesure de la résistivité……………………………………………………28
III.2.1.1Evolution de la résistivité en fonction de la température de recuit……28
III.2.1.2Evolution de la concentration du phosphore en fonction de la température
de recuit………………………………………………………………………………29
III.3 Caractérisation par la spectroscopie infrarouge (FTIR)………………………...31
III.3.1 Défauts introduits par irradiation neutronique……………………..……...31
III.3.2 Effet de la température de recuit…………………………………………..31
III.3.3 Evolution du centre VO2 avec l’oxygène interstitiel……………………...33
Conclusion générale………………………………………………………………….34
Référence……………………………………………………………………………..35Côte titre : MAPH/0330 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1DwMZXaZL2i_XQLPtagnHTAf_oe3ZjsiB/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0330 MAPH/0330 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEtudes des propriétés d’alliage Al2CuMg utilisé dans l’industrie aérospatiale / Ramzi Ourahmane
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Titre : Etudes des propriétés d’alliage Al2CuMg utilisé dans l’industrie aérospatiale Type de document : texte imprimé Auteurs : Ramzi Ourahmane ; Hossem Bensebaa ; Amer Saoudi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2021 Importance : 1 vol. (40 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Pression hydrostatique
Densité(DFT)
Ondes planes
Pseudo-potentiels
CASTEPIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
ce travail consiste à étudier l’effet de la pression hydrostatique sur les propriétés structurales, élastiques, et thermodynamiques du composé Al2CuMg . L’étude est basée sur le calcul premier principe (ab-initio) avec l’utilisation de la théorie de la densité fonctionnelle (DFT) sous la méthode des pseudo-potentiels (PP) et des ondes planes (PW), en utilisant le code CASTEP. Les propriétés thermodynamiques ont été explorées avec le programme GIBBS qu’est basé sur le modèle quasi-harmonique de Debye. Les propriétés structurales représenté par les paramètres des mailles . les constantes élastiques (Cij) ont été calculées et les modules d'élasticité polycristallin (B,G, et E) ont été estimés en fonction des approximations de Voigt, Reuss et Hill ,L’étude des propriétés élastiques a été complétée par le calcul de la vitesse d’onde élastique moyenne Vm. Afin d’explorer le comportement thermodynamique du composé Al2CuMg sous pression et température, nous avons calculé la variation du module de compression B en fonction de la température à différentes pressions et en fonction de la pression à différentes températures , le coefficient d’expansion thermique, la capacité calorifique à volume constant CV et a pression constant Cp, et la variation relative du volume en fonction de la température pour différentes valeurs de la pressions et la Température de DebyeCôte titre : MAPH/0501 En ligne : https://drive.google.com/file/d/18aWjEsWjU7G8SvbUMTxnVG9j5l5VK4cr/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etudes des propriétés d’alliage Al2CuMg utilisé dans l’industrie aérospatiale [texte imprimé] / Ramzi Ourahmane ; Hossem Bensebaa ; Amer Saoudi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2021 . - 1 vol. (40 f.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Pression hydrostatique
Densité(DFT)
Ondes planes
Pseudo-potentiels
CASTEPIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
ce travail consiste à étudier l’effet de la pression hydrostatique sur les propriétés structurales, élastiques, et thermodynamiques du composé Al2CuMg . L’étude est basée sur le calcul premier principe (ab-initio) avec l’utilisation de la théorie de la densité fonctionnelle (DFT) sous la méthode des pseudo-potentiels (PP) et des ondes planes (PW), en utilisant le code CASTEP. Les propriétés thermodynamiques ont été explorées avec le programme GIBBS qu’est basé sur le modèle quasi-harmonique de Debye. Les propriétés structurales représenté par les paramètres des mailles . les constantes élastiques (Cij) ont été calculées et les modules d'élasticité polycristallin (B,G, et E) ont été estimés en fonction des approximations de Voigt, Reuss et Hill ,L’étude des propriétés élastiques a été complétée par le calcul de la vitesse d’onde élastique moyenne Vm. Afin d’explorer le comportement thermodynamique du composé Al2CuMg sous pression et température, nous avons calculé la variation du module de compression B en fonction de la température à différentes pressions et en fonction de la pression à différentes températures , le coefficient d’expansion thermique, la capacité calorifique à volume constant CV et a pression constant Cp, et la variation relative du volume en fonction de la température pour différentes valeurs de la pressions et la Température de DebyeCôte titre : MAPH/0501 En ligne : https://drive.google.com/file/d/18aWjEsWjU7G8SvbUMTxnVG9j5l5VK4cr/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0501 MAPH/0501 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Etudes des propriétés physiques des hydrures A2RuH6 Type de document : texte imprimé Auteurs : Boudrfa, Ouasila, Auteur ; Bouhemadou,A, Auteur Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2017 Importance : 1 vol (141 p.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : clés : Hydrures
DFT
FP-LAPW
PP-PW
Structure cristalline
modules élastiques
Propriétés
optoélect
roniques et thermodynamiquesRésumé : Nous rapportons une étude systématique des propriétés structurales, électroniques, optiques, élastiques et
thermodynamique des hydrures ternaires à base de ruthénium A2RuH6 (A = Mg, Ca, Sr et Ba) en utilisant deux
approches complémentaires de premiers principes. Les variations des propriétés physiques des systèmes A2RuH6 en
relation avec la nature chimique de l’atome A ont été examinées. Nos résultats sont en accord avec ceux de l’expérience
quand ils sont disponibles. En particulier, le paramètre du réseau obtenu en utilisant la GGA08 pour traiter le potentiel
d'échange-corrélation est en bon accord avec l'expérience. L'analyse des diagrammes de la structure de bandes
électroniques suggère que ces hydrures sont des semi-conducteurs à large bande interdite presque directe, avec un très
léger écart par rapport au gap direct idéal. Le potentiel TB-mBJ a été utilisé pour corriger l’insuffisance de la GGA
standard pour prédire les propriétés optoélectroniques. Les spectres de la densité d'états démontre que le maximum de
la bande de valence est constituée d'orbitales d des atomes Ru, ce qui classifie ces matériaux en tant qu’hydrures de
type d. L'analyse des cartes de la densité de charge indique que ces systèmes peuvent être classés parmi les matériaux
de liaisons chimiques de caractère mixte ; ionique et covalente. Les spectres optiques ont été étudiés dans une large
plage d'énergie de 0 à 30 eV et l'origine de structures observées a été déterminée. Les spectres optiques dans la plage
visible du spectre solaire suggèrent que ces hydrures peuvent être utilisés comme des revêtements antireflets. Les
modules élastiques monocristallins et polycristallins et les propriétés y associées ont été numériquement estimés et
analysés pour la première fois. L’étude des effets de la température et de la pression sur la quelques paramètres
physiques macroscopiques a été effectuée dans une plage de température de 0 à 900 K et de pression de 0 à 12 GPaCôte titre : DPH/0202 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1jRB9h3_FbB6OWVQY0QaiXcmoTLH9zCIu/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etudes des propriétés physiques des hydrures A2RuH6 [texte imprimé] / Boudrfa, Ouasila, Auteur ; Bouhemadou,A, Auteur . - [S.l.] : Setif:UFA, 2017 . - 1 vol (141 p.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : clés : Hydrures
DFT
FP-LAPW
PP-PW
Structure cristalline
modules élastiques
Propriétés
optoélect
roniques et thermodynamiquesRésumé : Nous rapportons une étude systématique des propriétés structurales, électroniques, optiques, élastiques et
thermodynamique des hydrures ternaires à base de ruthénium A2RuH6 (A = Mg, Ca, Sr et Ba) en utilisant deux
approches complémentaires de premiers principes. Les variations des propriétés physiques des systèmes A2RuH6 en
relation avec la nature chimique de l’atome A ont été examinées. Nos résultats sont en accord avec ceux de l’expérience
quand ils sont disponibles. En particulier, le paramètre du réseau obtenu en utilisant la GGA08 pour traiter le potentiel
d'échange-corrélation est en bon accord avec l'expérience. L'analyse des diagrammes de la structure de bandes
électroniques suggère que ces hydrures sont des semi-conducteurs à large bande interdite presque directe, avec un très
léger écart par rapport au gap direct idéal. Le potentiel TB-mBJ a été utilisé pour corriger l’insuffisance de la GGA
standard pour prédire les propriétés optoélectroniques. Les spectres de la densité d'états démontre que le maximum de
la bande de valence est constituée d'orbitales d des atomes Ru, ce qui classifie ces matériaux en tant qu’hydrures de
type d. L'analyse des cartes de la densité de charge indique que ces systèmes peuvent être classés parmi les matériaux
de liaisons chimiques de caractère mixte ; ionique et covalente. Les spectres optiques ont été étudiés dans une large
plage d'énergie de 0 à 30 eV et l'origine de structures observées a été déterminée. Les spectres optiques dans la plage
visible du spectre solaire suggèrent que ces hydrures peuvent être utilisés comme des revêtements antireflets. Les
modules élastiques monocristallins et polycristallins et les propriétés y associées ont été numériquement estimés et
analysés pour la première fois. L’étude des effets de la température et de la pression sur la quelques paramètres
physiques macroscopiques a été effectuée dans une plage de température de 0 à 900 K et de pression de 0 à 12 GPaCôte titre : DPH/0202 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1jRB9h3_FbB6OWVQY0QaiXcmoTLH9zCIu/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0202 DPH/0202 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEtudes des propriétés structurales, électriques et magnétiques des couches minces de Fe élaborées par évaporation sous vide sur des substrats Si(100), Si(111), et verre / GHEBOULI, Brahim
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Titre : Etudes des propriétés structurales, électriques et magnétiques des couches minces de Fe élaborées par évaporation sous vide sur des substrats Si(100), Si(111), et verre Type de document : texte imprimé Auteurs : GHEBOULI, Brahim ; A. Layadi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2009 Importance : 1 vol (f .) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
On présente les résultats expérimentaux sur les propriétés structurales, électriques et
magnétiques des couches minces de Fe évaporées sur des substrats Si(1 1 1), Si(1 0 0) et verre. Les
épaisseurs sont dans la gamme 6 à 110 nm. DRX, MEB, MFA et RBS sont les techniques utilisées
dans l’étude de la structure et la morphologie de la surface de ces films. Les propriétés électriques ont
été étudiées par la méthode des quatre pointes. Les propriétés magnétiques ont été étudiées par les
techniques de la diffusion de la lumière Brillouin (BLS), la microscopie à force magnétique (MFM) et
l’effet Kerr magnéto-optique. Les films ont une texture initiale (110). Quand l’épaisseur augmente,
cette texture devient faible pour le système Fe/Si, tandis que pour Fe/verre, la texture devient (211).
Les grains sont plus grands dans le système Fe/Si que dans les films Fe/verre. Les expériences de
RBS et de MEB montrent l’absence de l’interdiffusion à la surface Fe-Si. La résistivité électrique est
plus grande dans le système Fe/verre que dans les couches Fe/Si pour la même épaisseur. La diffusion
par les joints de grain est le facteur dominant dans la résistivité électrique. Le coefficient de réflexion
est plus petit dans Fe/verre (R≈0.4) que dans Fe/Si (R≈0.65). L’aimantation effective 4πMeff déduite
par BLS est plus petite que 4πMS du corps massif. Une anisotropie induite par les contraintes peut être
responsable de cette différence. Les images au MFM montrent des structures de domaines en rubans
seulement dans le système Fe/Si(100) pour une épaisseur de 110 nm de Fe. Les valeurs de Hc sont
dans la gamme 2,45 Oe [Fe/Si(100)] à 8,52 Oe [Fe/verre] à 17,65 Oe [Fe/Si(111)] pour la même
épaisseur de Fe (45 nm).Côte titre : DPH/0099 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/handle/123456789/2461 Etudes des propriétés structurales, électriques et magnétiques des couches minces de Fe élaborées par évaporation sous vide sur des substrats Si(100), Si(111), et verre [texte imprimé] / GHEBOULI, Brahim ; A. Layadi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2009 . - 1 vol (f .).
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
On présente les résultats expérimentaux sur les propriétés structurales, électriques et
magnétiques des couches minces de Fe évaporées sur des substrats Si(1 1 1), Si(1 0 0) et verre. Les
épaisseurs sont dans la gamme 6 à 110 nm. DRX, MEB, MFA et RBS sont les techniques utilisées
dans l’étude de la structure et la morphologie de la surface de ces films. Les propriétés électriques ont
été étudiées par la méthode des quatre pointes. Les propriétés magnétiques ont été étudiées par les
techniques de la diffusion de la lumière Brillouin (BLS), la microscopie à force magnétique (MFM) et
l’effet Kerr magnéto-optique. Les films ont une texture initiale (110). Quand l’épaisseur augmente,
cette texture devient faible pour le système Fe/Si, tandis que pour Fe/verre, la texture devient (211).
Les grains sont plus grands dans le système Fe/Si que dans les films Fe/verre. Les expériences de
RBS et de MEB montrent l’absence de l’interdiffusion à la surface Fe-Si. La résistivité électrique est
plus grande dans le système Fe/verre que dans les couches Fe/Si pour la même épaisseur. La diffusion
par les joints de grain est le facteur dominant dans la résistivité électrique. Le coefficient de réflexion
est plus petit dans Fe/verre (R≈0.4) que dans Fe/Si (R≈0.65). L’aimantation effective 4πMeff déduite
par BLS est plus petite que 4πMS du corps massif. Une anisotropie induite par les contraintes peut être
responsable de cette différence. Les images au MFM montrent des structures de domaines en rubans
seulement dans le système Fe/Si(100) pour une épaisseur de 110 nm de Fe. Les valeurs de Hc sont
dans la gamme 2,45 Oe [Fe/Si(100)] à 8,52 Oe [Fe/verre] à 17,65 Oe [Fe/Si(111)] pour la même
épaisseur de Fe (45 nm).Côte titre : DPH/0099 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/handle/123456789/2461 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0099 DPH/0099 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEtudes de propriétés structurelles, morphologiques, optiques et électriques du ferrites Mgx Ni1-x Fe2O4 / Foudia, Lamis
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PermalinkPermalinkEvaluation et cartographie des radionucléides dans l’environnement du littoral entre Souk El Ténine et Bejaïa / Ghada,Mellak
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