University Sétif 1 FERHAT ABBAS Faculty of Sciences
Détail de l'indexation
Ouvrages de la bibliothèque en indexation 530
Ajouter le résultat dans votre panier Affiner la recherche
Propriétés électroniques,optiques,diélectriques et élastiques de l'alliage ternaire yxin1-xn dans la structure zinc blende / Benyounes,Noura
Titre : Propriétés électroniques,optiques,diélectriques et élastiques de l'alliage ternaire yxin1-xn dans la structure zinc blende : Non soutenu Type de document : texte imprimé Auteurs : Benyounes,Noura, Auteur Importance : 1 vol (118 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Conclusion générale
Les études théoriques des propriétés électroniques, optiques, diélectriques et élastiques
de l‟alliage ternaire YxIn1-xN dans la structure zinc blende ont été étudiées en utilisant la
méthode empirique des pseudo potentiels couplée a l‟approximation du cristal virtuel. Toutes
les propriétés ont été examinées en fonction de la concentration x du Yttrium Y allant de 0
a1.Les principaux résultats de notre investigation se résument ainsi :
 l‟incorporation d‟une quantité de Y dans l‟InN perturbe leurs structures électroniques.
Toutes les bandes de valence et de conduction sont affectées. Ces premières semblent
plus perturbées par la présence de Yttrium que les bandes de conduction.
 Pour ce qui est de l‟étude électronique, tous les composés de l‟alliage YxIn1-xN
possèdent un gap d'énergie direct au point de haute symétrie Γ qui correspond à des
transitions directes entre le maximum de la bande de valence et le minimum de la
bande de conduction.
 le gap énergétique directe E(Γ-Γ) augmente non-linéairement lorsque la concentration
du Y augmente.
 l‟indice de réfraction a été calculé selon cinq modèles existant. La variation de l‟indice
de réfraction en fonction de la composition x pour l‟alliage semi-conducteur ternaire
YxIn1-xN a montré une diminution de ce dernier en allant de 0 à 1.
 la constante diélectrique de haute fréquence diminue lorsqu‟on augmente la
concentration du Y suggérant ainsi que le matériau étudié devient un bon isolant.
 la constante diélectrique statique diminue lorsque la concentration du Y augmente.
Cela indique que la capacité de stocker de l‟énergie électrique potentielle sous
l‟influence d‟un champ électrique diminue.
 Les propriétés mécaniques a savoir les constantes élastiquesC11, C12 , C44 , le module
de compressibilité et le module de cisaillement ont été calcules pour l`alliage ternaire,
ce qui a permis d`analyser le comportement mécanique de ces matériaux.
Les calculs ont été essentiellement bases sur l‟E.P.M. En générale, nos résultats sont en
accord raisonnable avec les ressources disponibles des données expérimentales et théoriques.
Pour les quantités physiques des matériaux d'intérêt lorsque les données ne sont pas
disponibles dans la littérature, nos résultats sont des prévisions et peuvent servir de références
pour les futurs travaux.Note de contenu : Sommaire
Sommaire .................................................................................................................................. 1
Remerciements ........................................................................................................................... 5
الاهداء...................
Introduction Générale .............................................................................................................. 8
Références ............................................................................................................................... 11
Chapitre I ................................................................................................................................ 12
Les propriétés cristallines et énergétiques des semi-conducteurs ........................................... 12
I.1.Définition des semi-conducteurs ......................................................................................... 12
I.2.Propriétés cristallines .......................................................................................................... 12
I.3.Liaisons cristallines ............................................................................................................. 13
I.3.1.la liaison cristalline type Van Der Waals ..................................................................... 13
I.3.2. La liaison cristalline type ionique ............................................................................... 14
I.3.3. La liaison cristalline type covalent ............................................................................. 15
I.3.4.la liaison cristalline type métallique ............................................................................ 16
I.3.5.la liaison cristalline type mixte .................................................................................... 17
I.4.Le réseau réciproque ........................................................................................................... 17
I.4.1 Première zone de Brillouin .......................................................................................... 20
I.4.2. Les points de haute symétrie ....................................................................................... 20
I.4.3. Les lignes de haute symétrie ....................................................................................... 21
I.4.4. Bande d‟énergie .......................................................................................................... 22
I.4.5. Gap direct - Gap indirect ............................................................................................. 22
Références ............................................................................................................................... 24
Chapitre II ............................................................................................................................... 25
Méthodes de calcul de la structure de bande d‟énergie des composés semi-conducteurs ....... 25
II.1 L'équation de Schrödinger d'un solide cristallin ................................................................ 25
II.2 L‟approximation de Born – Oppenheimer ......................................................................... 26
II.3 Approximation de Hartree et de Hartree-Fock .................................................................. 27
II.4 Les méthodes de calcul de la structure de bandes électronique ........................................ 29
II.4.1 Introduction ................................................................................................................ 29
II.4.2 La méthode des électrons presque libres ................................................................... 30
II.4.3 Théorie des liaisons fortes .......................................................................................... 30
II.4.4 La méthode cellulaire ................................................................................................. 31
II.4.5 La méthode des ondes planes ..................................................................................... 32
II.4.6 Ondes planes augmentées (APW) .............................................................................. 33
II.4.7 La méthode des ondes planes orthogonalisées (O.P.W) ............................................. 35
II.4.8 Méthode du Pseudopotentiel ...................................................................................... 37
II.4.8.1 Introduction ......................................................................................................... 37
II.4.8.2 Formalisme mathématique .................................................................................. 37
II.4.8.3 Les modèles des pseudopotentiels ....................................................................... 39
II.4.8.3.1 Le modèle local ................................................................................................ 39
II.4.8.3.2 Modèle de Heine et Aberenkvo ........................................................................ 40
II.4.8.3.4 Modèle de Gauss .............................................................................................. 40
II.4.8.3.5 Modèle nom locale ........................................................................................... 42
II.4.8.4 La méthode empirique locale du pseudopotentiel (EPM) ................................... 42
II.5 La théorie des alliages ....................................................................................................... 46
II.5.1 Introduction ................................................................................................................ 46
II.5.2 L‟influence de la composition x sur les propriétés physiques des alliages ternaire 47
II.5.3 L‟approximation du cristal virtuel (VCA) .................................................................. 47
Références ............................................................................................................................... 49
Chapitre III ............................................................................................................................... 51
Etude des propriétés optiques et diélectriques ......................................................................... 51
III.1 Introduction ...................................................................................................................... 51
III.2 Propriétés Optiques .......................................................................................................... 51
III.2.1 Absorption fondamentale .......................................................................................... 51
III.2.2 Emission spontanée ................................................................................................... 51
III.2.3 Emission stimulée ..................................................................................................... 52
III.2.4 Interaction rayonnement matière ............................................................................... 52
III.2.4.1 Photons et électrons ............................................................................................ 52
III.2.4.2 La réflexion des ondes planes ............................................................................ 53
III.2.5 Indice de réfraction .................................................................................................... 55
III.2.6 Interaction électron-photon ....................................................................................... 55
III.2.6.1 Absorption .......................................................................................................... 56
III.2.7 Calcul de l′indice de réfraction .................................................................................. 58
III.3 Propriétés diélectriques .................................................................................................... 59
III.3.1 Quelques milieux diélectriques solides usuels .......................................................... 59
III.3.2 Création d'une polarisation ........................................................................................ 60
III.3.3 Susceptibilité électrique ............................................................................................ 61
III.3.4 Calcul de la susceptibilité électrique ......................................................................... 61
III.3.5 Constante diélectrique ............................................................................................... 62
III.3.5.1 Définition ........................................................................................................... 62
III.3.5.2 Interprétation physique ....................................................................................... 63
III.3.5.3 calcul du constant diélectrique statique ( ) ................................................... 63
III.4 Propriétés élastiques ......................................................................................................... 64
III.4.1 Introduction ............................................................................................................... 64
III.4.2 Tenseur des déformations .......................................................................................... 65
III.4.3 Tenseur des contraintes ............................................................................................. 68
III.4.3.1 Définition ........................................................................................................... 68
III.4.3.2 Loi de Hooke ...................................................................................................... 69
III.4.3 Densité d'énergie élastique .................................................................................... 71
III.4.4 Module de compression et compressibilité ........................................................... 71
III.4.5 Méthode de calcul ................................................................................................. 71
Références ............................................................................................................................... 74
Chapitre IV ............................................................................................................................... 75
Résultats et discussions ............................................................................................................ 75
IV.1. Etude des propriétés électroniques ................................................................................. 75
IV.1.1. Introduction .............................................................................................................. 75
IV.1.2. Structure de bandes d‟énergie des alliages ternaires YXIn1-XN ............................... 77
IV.1.3. Variation du gap de l‟alliage YxIn1-xN en fonction de la composition .................... 79
IV .1.4. Densité de charges électroniques de l‟alliage ternaire Yx In1-xN ............................ 89
IV.1.4. 1. La somme de quatre bandes de valence au point .......................................... 89
IV.1.4.2. La première bande de conduction ..................................................................... 92
IV.1.4.3. La densité de charge électronique de la deuxième bande de conduction ......... 96
IV.2. Propriétés optiques .......................................................................................................... 98
IV.2.1. Introduction .............................................................................................................. 98
IV.2.2. Indice de réfraction .................................................................................................. 99
IV.2.3. Constante diélectrique de haute fréquence ............................................................. 103
4. 2. 4. Constante diélectrique statique............................................................................... 106
IV. 3. Propriétés mécaniques .................................................................................................. 110
Références .............................................................................................................................. 117
Conclusion générale ............................................................................................................... 118Côte titre : DPH/0224-0226 En ligne : https://drive.google.com/file/d/19gmFxpdxUfOxY8vSvR6vMfs4VkJKUhz-/view?usp=shari [...] Propriétés électroniques,optiques,diélectriques et élastiques de l'alliage ternaire yxin1-xn dans la structure zinc blende : Non soutenu [texte imprimé] / Benyounes,Noura, Auteur . - [s.d.] . - 1 vol (118 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Conclusion générale
Les études théoriques des propriétés électroniques, optiques, diélectriques et élastiques
de l‟alliage ternaire YxIn1-xN dans la structure zinc blende ont été étudiées en utilisant la
méthode empirique des pseudo potentiels couplée a l‟approximation du cristal virtuel. Toutes
les propriétés ont été examinées en fonction de la concentration x du Yttrium Y allant de 0
a1.Les principaux résultats de notre investigation se résument ainsi :
 l‟incorporation d‟une quantité de Y dans l‟InN perturbe leurs structures électroniques.
Toutes les bandes de valence et de conduction sont affectées. Ces premières semblent
plus perturbées par la présence de Yttrium que les bandes de conduction.
 Pour ce qui est de l‟étude électronique, tous les composés de l‟alliage YxIn1-xN
possèdent un gap d'énergie direct au point de haute symétrie Γ qui correspond à des
transitions directes entre le maximum de la bande de valence et le minimum de la
bande de conduction.
 le gap énergétique directe E(Γ-Γ) augmente non-linéairement lorsque la concentration
du Y augmente.
 l‟indice de réfraction a été calculé selon cinq modèles existant. La variation de l‟indice
de réfraction en fonction de la composition x pour l‟alliage semi-conducteur ternaire
YxIn1-xN a montré une diminution de ce dernier en allant de 0 à 1.
 la constante diélectrique de haute fréquence diminue lorsqu‟on augmente la
concentration du Y suggérant ainsi que le matériau étudié devient un bon isolant.
 la constante diélectrique statique diminue lorsque la concentration du Y augmente.
Cela indique que la capacité de stocker de l‟énergie électrique potentielle sous
l‟influence d‟un champ électrique diminue.
 Les propriétés mécaniques a savoir les constantes élastiquesC11, C12 , C44 , le module
de compressibilité et le module de cisaillement ont été calcules pour l`alliage ternaire,
ce qui a permis d`analyser le comportement mécanique de ces matériaux.
Les calculs ont été essentiellement bases sur l‟E.P.M. En générale, nos résultats sont en
accord raisonnable avec les ressources disponibles des données expérimentales et théoriques.
Pour les quantités physiques des matériaux d'intérêt lorsque les données ne sont pas
disponibles dans la littérature, nos résultats sont des prévisions et peuvent servir de références
pour les futurs travaux.Note de contenu : Sommaire
Sommaire .................................................................................................................................. 1
Remerciements ........................................................................................................................... 5
الاهداء...................
Introduction Générale .............................................................................................................. 8
Références ............................................................................................................................... 11
Chapitre I ................................................................................................................................ 12
Les propriétés cristallines et énergétiques des semi-conducteurs ........................................... 12
I.1.Définition des semi-conducteurs ......................................................................................... 12
I.2.Propriétés cristallines .......................................................................................................... 12
I.3.Liaisons cristallines ............................................................................................................. 13
I.3.1.la liaison cristalline type Van Der Waals ..................................................................... 13
I.3.2. La liaison cristalline type ionique ............................................................................... 14
I.3.3. La liaison cristalline type covalent ............................................................................. 15
I.3.4.la liaison cristalline type métallique ............................................................................ 16
I.3.5.la liaison cristalline type mixte .................................................................................... 17
I.4.Le réseau réciproque ........................................................................................................... 17
I.4.1 Première zone de Brillouin .......................................................................................... 20
I.4.2. Les points de haute symétrie ....................................................................................... 20
I.4.3. Les lignes de haute symétrie ....................................................................................... 21
I.4.4. Bande d‟énergie .......................................................................................................... 22
I.4.5. Gap direct - Gap indirect ............................................................................................. 22
Références ............................................................................................................................... 24
Chapitre II ............................................................................................................................... 25
Méthodes de calcul de la structure de bande d‟énergie des composés semi-conducteurs ....... 25
II.1 L'équation de Schrödinger d'un solide cristallin ................................................................ 25
II.2 L‟approximation de Born – Oppenheimer ......................................................................... 26
II.3 Approximation de Hartree et de Hartree-Fock .................................................................. 27
II.4 Les méthodes de calcul de la structure de bandes électronique ........................................ 29
II.4.1 Introduction ................................................................................................................ 29
II.4.2 La méthode des électrons presque libres ................................................................... 30
II.4.3 Théorie des liaisons fortes .......................................................................................... 30
II.4.4 La méthode cellulaire ................................................................................................. 31
II.4.5 La méthode des ondes planes ..................................................................................... 32
II.4.6 Ondes planes augmentées (APW) .............................................................................. 33
II.4.7 La méthode des ondes planes orthogonalisées (O.P.W) ............................................. 35
II.4.8 Méthode du Pseudopotentiel ...................................................................................... 37
II.4.8.1 Introduction ......................................................................................................... 37
II.4.8.2 Formalisme mathématique .................................................................................. 37
II.4.8.3 Les modèles des pseudopotentiels ....................................................................... 39
II.4.8.3.1 Le modèle local ................................................................................................ 39
II.4.8.3.2 Modèle de Heine et Aberenkvo ........................................................................ 40
II.4.8.3.4 Modèle de Gauss .............................................................................................. 40
II.4.8.3.5 Modèle nom locale ........................................................................................... 42
II.4.8.4 La méthode empirique locale du pseudopotentiel (EPM) ................................... 42
II.5 La théorie des alliages ....................................................................................................... 46
II.5.1 Introduction ................................................................................................................ 46
II.5.2 L‟influence de la composition x sur les propriétés physiques des alliages ternaire 47
II.5.3 L‟approximation du cristal virtuel (VCA) .................................................................. 47
Références ............................................................................................................................... 49
Chapitre III ............................................................................................................................... 51
Etude des propriétés optiques et diélectriques ......................................................................... 51
III.1 Introduction ...................................................................................................................... 51
III.2 Propriétés Optiques .......................................................................................................... 51
III.2.1 Absorption fondamentale .......................................................................................... 51
III.2.2 Emission spontanée ................................................................................................... 51
III.2.3 Emission stimulée ..................................................................................................... 52
III.2.4 Interaction rayonnement matière ............................................................................... 52
III.2.4.1 Photons et électrons ............................................................................................ 52
III.2.4.2 La réflexion des ondes planes ............................................................................ 53
III.2.5 Indice de réfraction .................................................................................................... 55
III.2.6 Interaction électron-photon ....................................................................................... 55
III.2.6.1 Absorption .......................................................................................................... 56
III.2.7 Calcul de l′indice de réfraction .................................................................................. 58
III.3 Propriétés diélectriques .................................................................................................... 59
III.3.1 Quelques milieux diélectriques solides usuels .......................................................... 59
III.3.2 Création d'une polarisation ........................................................................................ 60
III.3.3 Susceptibilité électrique ............................................................................................ 61
III.3.4 Calcul de la susceptibilité électrique ......................................................................... 61
III.3.5 Constante diélectrique ............................................................................................... 62
III.3.5.1 Définition ........................................................................................................... 62
III.3.5.2 Interprétation physique ....................................................................................... 63
III.3.5.3 calcul du constant diélectrique statique ( ) ................................................... 63
III.4 Propriétés élastiques ......................................................................................................... 64
III.4.1 Introduction ............................................................................................................... 64
III.4.2 Tenseur des déformations .......................................................................................... 65
III.4.3 Tenseur des contraintes ............................................................................................. 68
III.4.3.1 Définition ........................................................................................................... 68
III.4.3.2 Loi de Hooke ...................................................................................................... 69
III.4.3 Densité d'énergie élastique .................................................................................... 71
III.4.4 Module de compression et compressibilité ........................................................... 71
III.4.5 Méthode de calcul ................................................................................................. 71
Références ............................................................................................................................... 74
Chapitre IV ............................................................................................................................... 75
Résultats et discussions ............................................................................................................ 75
IV.1. Etude des propriétés électroniques ................................................................................. 75
IV.1.1. Introduction .............................................................................................................. 75
IV.1.2. Structure de bandes d‟énergie des alliages ternaires YXIn1-XN ............................... 77
IV.1.3. Variation du gap de l‟alliage YxIn1-xN en fonction de la composition .................... 79
IV .1.4. Densité de charges électroniques de l‟alliage ternaire Yx In1-xN ............................ 89
IV.1.4. 1. La somme de quatre bandes de valence au point .......................................... 89
IV.1.4.2. La première bande de conduction ..................................................................... 92
IV.1.4.3. La densité de charge électronique de la deuxième bande de conduction ......... 96
IV.2. Propriétés optiques .......................................................................................................... 98
IV.2.1. Introduction .............................................................................................................. 98
IV.2.2. Indice de réfraction .................................................................................................. 99
IV.2.3. Constante diélectrique de haute fréquence ............................................................. 103
4. 2. 4. Constante diélectrique statique............................................................................... 106
IV. 3. Propriétés mécaniques .................................................................................................. 110
Références .............................................................................................................................. 117
Conclusion générale ............................................................................................................... 118Côte titre : DPH/0224-0226 En ligne : https://drive.google.com/file/d/19gmFxpdxUfOxY8vSvR6vMfs4VkJKUhz-/view?usp=shari [...] Exemplaires (3)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0224 DPH/0224-0226 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0225 DPH/0224-0226 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0226 DPH/0224-0226 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponiblePropriétés magnéto-optiques des couches ultraminces et des slabs à base de métaux de transition / Mebarek Boukelkoul
Titre : Propriétés magnéto-optiques des couches ultraminces et des slabs à base de métaux de transition Type de document : texte imprimé Auteurs : Mebarek Boukelkoul ; A. Haroun, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Importance : 1 vol (90 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Métaux de transition
Magnéto-optiquesIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : DPH/0150-0151 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/1967/1/Th%c3%a8se-Doc [...] Propriétés magnéto-optiques des couches ultraminces et des slabs à base de métaux de transition [texte imprimé] / Mebarek Boukelkoul ; A. Haroun, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, [s.d.] . - 1 vol (90 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Métaux de transition
Magnéto-optiquesIndex. décimale : 530 Physique Côte titre : DPH/0150-0151 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/1967/1/Th%c3%a8se-Doc [...] Exemplaires (2)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0152 DPH/0152-0153 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleDPH/0153 DPH/0152-0153 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponiblePropriétés mécaniques optiques et électroniques des semi-conducteurs II-x(x=s,se et Te) / ZERROUG, Samir
Titre : Propriétés mécaniques optiques et électroniques des semi-conducteurs II-x(x=s,se et Te) Type de document : texte imprimé Auteurs : ZERROUG, Samir ; F. Ali Sahraoui, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Importance : 1 vol (96 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique du sogide Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Le Sujet De cette thèse a pour but la détermination des propriétés mécaniques, électroniques et optiques des composés II-X (X= S, Se et Te) à savoir les composés ZnS, MgS, MgSe, MgTe et CdSxTe1-x, en utilisant le calcul ab-initio basé sur les méthodes : PP-PW (Pseudopotential Planes Waves) et FP-LAPW (Full-Potential Linearized Augmented Planes Waves). Les résultats obtenus révèlent que les systèmes étudiés présentent en majorité la phase B3 comme la phase la plus stable dans les conditions normales de pression. Les pressions de transition Pt se comparent bien avec les donnés théoriques et expérimentales disponibles. Les constantes élastiques vérifiant bien les critères de stabilités mécaniques, exhibent un comportement linéaire en fonction de la pression. Les composés CdSxTe1-x qui sont des semiconducteur dans la phase B3 présentent un caractère métallique dans la phase B1 (P>4 GPa) sauf le CdS qui reste semiconducteur mais en passant d'un gap direct (Γ-Γ) à un gap indirect (L-X). Les différents gaps d’énergies montrent une variation croissante que se soit avec la pression ou la composition (x) en soufre. Les propriétés optiques de l’alliage CdSxTe1-x montrent que les résultats obtenus de la constante diélectrique ε(ω), le coefficient d’absorption k(ω) et l’indice de réfraction n(ω) sont en général en bon accord avec les données disponibles et notamment pour les binaires CdS et CdTe à pression nulle.Côte titre : DPH/0100 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/2674/1/Th%c3%a8se%20f [...] Propriétés mécaniques optiques et électroniques des semi-conducteurs II-x(x=s,se et Te) [texte imprimé] / ZERROUG, Samir ; F. Ali Sahraoui, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, [s.d.] . - 1 vol (96 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique du sogide Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Le Sujet De cette thèse a pour but la détermination des propriétés mécaniques, électroniques et optiques des composés II-X (X= S, Se et Te) à savoir les composés ZnS, MgS, MgSe, MgTe et CdSxTe1-x, en utilisant le calcul ab-initio basé sur les méthodes : PP-PW (Pseudopotential Planes Waves) et FP-LAPW (Full-Potential Linearized Augmented Planes Waves). Les résultats obtenus révèlent que les systèmes étudiés présentent en majorité la phase B3 comme la phase la plus stable dans les conditions normales de pression. Les pressions de transition Pt se comparent bien avec les donnés théoriques et expérimentales disponibles. Les constantes élastiques vérifiant bien les critères de stabilités mécaniques, exhibent un comportement linéaire en fonction de la pression. Les composés CdSxTe1-x qui sont des semiconducteur dans la phase B3 présentent un caractère métallique dans la phase B1 (P>4 GPa) sauf le CdS qui reste semiconducteur mais en passant d'un gap direct (Γ-Γ) à un gap indirect (L-X). Les différents gaps d’énergies montrent une variation croissante que se soit avec la pression ou la composition (x) en soufre. Les propriétés optiques de l’alliage CdSxTe1-x montrent que les résultats obtenus de la constante diélectrique ε(ω), le coefficient d’absorption k(ω) et l’indice de réfraction n(ω) sont en général en bon accord avec les données disponibles et notamment pour les binaires CdS et CdTe à pression nulle.Côte titre : DPH/0100 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/2674/1/Th%c3%a8se%20f [...] Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0100 DPH/0100 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponiblePropriétés physiques de couches minces de Co100-x Pdx élaborées sous vide par évaporation thermique / Bourez,Ahlem
Titre : Propriétés physiques de couches minces de Co100-x Pdx élaborées sous vide par évaporation thermique Type de document : texte imprimé Auteurs : Bourez,Ahlem, Auteur ; A Kharmouche, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2018 Importance : 1 vol (100 p.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique
couches minces
VSM
champ coercitifIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Ce travail de thèse porte sur l’étude des propriétés structurales et magnétiques
des couches minces de CoPd d’épaisseur 150 nm, évaporées sous vide sur des
substrats de GaAs(100) et de Si(100). Les concentrations atomiques de Pd sont
confinées entre 8 et 31%, valeurs déterminées par la techniques XRF. L’étude
par DRX a montré que les films CoPd/GaAs sont monocristallins et ont une
structure cubique à faces centrées (c.f.c.) et les films CoPd/Si ont une structure
hexagonale compacte (h.c.p.). La taille des grains des échantillons CoPd/GaAs
est confinée entre 4.8 et 21.6 nm et varie entre 81.6 et 107.7nm pour les
échantillons CoPd/Si. Par ailleurs, la microscopie AFM révèle des images
topographiques de surface lisse pour la plupart des échantillons; les valeurs de la
rugosité sont comprises entre 0.7 et 8.4nm. Les mesures d’aimantation ont
montré que les films sont ferromagnétiques, avec une anisotropie planaire. Le
champ coercitif est compris entre 20 et 251 Oe. L’aimantation à saturation est
comprise entre 192 et 1152emu/cm3 et diminue avec l’augmentation de la
concentration de Pd.Note de contenu : Sommaire
Introduction et état de l’art
Chapitre I : Généralités sur le magnétisme
Chapitre II : Techniques expérimentales
Chapitre III : Propriétés structurales
Chapitre IV : Propriétés magnétiques
Conclusion générale
AnnexesCôte titre : DPH/0219 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1Kq5dpntKK1rTpz9NABu6jnRinHesMf4l/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Propriétés physiques de couches minces de Co100-x Pdx élaborées sous vide par évaporation thermique [texte imprimé] / Bourez,Ahlem, Auteur ; A Kharmouche, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2018 . - 1 vol (100 p.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique
couches minces
VSM
champ coercitifIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Ce travail de thèse porte sur l’étude des propriétés structurales et magnétiques
des couches minces de CoPd d’épaisseur 150 nm, évaporées sous vide sur des
substrats de GaAs(100) et de Si(100). Les concentrations atomiques de Pd sont
confinées entre 8 et 31%, valeurs déterminées par la techniques XRF. L’étude
par DRX a montré que les films CoPd/GaAs sont monocristallins et ont une
structure cubique à faces centrées (c.f.c.) et les films CoPd/Si ont une structure
hexagonale compacte (h.c.p.). La taille des grains des échantillons CoPd/GaAs
est confinée entre 4.8 et 21.6 nm et varie entre 81.6 et 107.7nm pour les
échantillons CoPd/Si. Par ailleurs, la microscopie AFM révèle des images
topographiques de surface lisse pour la plupart des échantillons; les valeurs de la
rugosité sont comprises entre 0.7 et 8.4nm. Les mesures d’aimantation ont
montré que les films sont ferromagnétiques, avec une anisotropie planaire. Le
champ coercitif est compris entre 20 et 251 Oe. L’aimantation à saturation est
comprise entre 192 et 1152emu/cm3 et diminue avec l’augmentation de la
concentration de Pd.Note de contenu : Sommaire
Introduction et état de l’art
Chapitre I : Généralités sur le magnétisme
Chapitre II : Techniques expérimentales
Chapitre III : Propriétés structurales
Chapitre IV : Propriétés magnétiques
Conclusion générale
AnnexesCôte titre : DPH/0219 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1Kq5dpntKK1rTpz9NABu6jnRinHesMf4l/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0219 DPH/0219 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponiblePropriétés physiques des matériaux pour l'électronique / Vanbésien ,Olivier
Titre : Propriétés physiques des matériaux pour l'électronique : Cours et exercices corrigés Type de document : texte imprimé Auteurs : Vanbésien ,Olivier, Auteur Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : 2017 Importance : 1 vol (327 p.) Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-340-02246-1 Note générale : 978-2-340-02246-1 Langues : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Cet ouvrage de physique appliquée combine les approches de la physique statistique, de la physique du solide et de la physique quantique (mécanique ondulatoire) pour proposer des modèles analytiques permettant d’exploiter les différents matériaux disponibles pour mettre en perspective à la fois les fonctionnalités les plus classiques de l’électronique mais aussi les approches reliées aux avancées de la nanoélectronique. Une large importance est accordée aux matériaux semi-conducteurs et à l’étude détaillée des jonctions réalisées à base de ces derniers. Chaque thème est abordé sous forme d’un cours auquel sont généralement associés des exercices et leurs corrigés détaillés. L’approche est progressive et ce livre est conçu pour accompagner les étudiants à partir de la deuxième année de licence (sciences exactes et sciences pour l’ingénieur) jusqu’au master (dans les domaines de l’EEACôte titre : Fs/23909 Propriétés physiques des matériaux pour l'électronique : Cours et exercices corrigés [texte imprimé] / Vanbésien ,Olivier, Auteur . - Paris : Ellipses, 2017 . - 1 vol (327 p.) ; 24 cm.
ISBN : 978-2-340-02246-1
978-2-340-02246-1
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Cet ouvrage de physique appliquée combine les approches de la physique statistique, de la physique du solide et de la physique quantique (mécanique ondulatoire) pour proposer des modèles analytiques permettant d’exploiter les différents matériaux disponibles pour mettre en perspective à la fois les fonctionnalités les plus classiques de l’électronique mais aussi les approches reliées aux avancées de la nanoélectronique. Une large importance est accordée aux matériaux semi-conducteurs et à l’étude détaillée des jonctions réalisées à base de ces derniers. Chaque thème est abordé sous forme d’un cours auquel sont généralement associés des exercices et leurs corrigés détaillés. L’approche est progressive et ce livre est conçu pour accompagner les étudiants à partir de la deuxième année de licence (sciences exactes et sciences pour l’ingénieur) jusqu’au master (dans les domaines de l’EEACôte titre : Fs/23909 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Fs/23909 Fs/23909 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponiblePropriétés structurale, élastiques et électronique d'alliages de nitrure des métaux de transitions / Mohamed Benhamida
PermalinkPropriétés structurales et élastiques des intermétalliques ternaires : ScTSi (T= Co, Ni, Cu, Ru, Rh, Pd, Ir, Pt), YTX (T = Ni, Ir et X = Si, Ge, Sn, Pb), REMgGa (RE = Y, Ce-Nd, Sm-Tm, Lu) et REAuGe (RE = Sc, Y, La-Nd, Sm, Gd-Tm, Lu) / Nassima Sebihi
PermalinkPropriétés structurales, morphologiques et électriques des couches minces Fe85/ITO par l’électrodéposition / Soumia Khermache
PermalinkPropritétés magnétiques des couches minces de fe déposées sur al si (100) et verr / Mebarki ,Mourad
PermalinkProspection géophysique / Belkadid,Jamal
PermalinkLa Q-dérive d'ordre N modes collectifs moléculaire en nucléaire Q-déformes / Raouf Beddiaf
PermalinkQualitative aspects and applications of nonlinear evolution equations:Proceedings of the workshop / H.Beirao Da Viega
PermalinkQuantitative texture analysis / H-J Bunge
PermalinkQuantum field theory and critical phenomena / Zinn-Justin, Jean
PermalinkQuantum groups in two-dimensional physics / Gómez, César
PermalinkQuantum many-particle systems / Negele, John W
PermalinkQuantum Mechanics and Path Integrals / Feynman, Richard Phillips
PermalinkQuantum mechanics of one and two-electron atoms / Hans A. Bethe, Edwin E. Salpeter
PermalinkQuantum Optics / VOGEL,Werner
PermalinkQuantum Optics / Scullay ,Marlon o
PermalinkQuantum theory of solids / Charles Kittel
PermalinkQuantum theory of the optical and electronic properties of semiconductors / Hartmut Haug
PermalinkQuantum tunneling in complex systems / Aoachim,Joachim
PermalinkRadiation Protection / Shapiro, Jacob
PermalinkRadiation Protection in Medical Radiography / Mary Alice Statkiewicz Sherer
Permalink