University Sétif 1 FERHAT ABBAS Faculty of Sciences
Détail de l'auteur
Auteur Ammar Mosbah |
Documents disponibles écrits par cet auteur
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Titre : Etude des couches minces d'oxyde de zinc élaborées par pulvérisation Type de document : texte imprimé Auteurs : Loubna Melaab, ; Ammar Mosbah, Directeur de thèse Année de publication : 2017 Importance : 1 vol (42 f.) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : films minces ZnO : Al Pulvérisation magnétron Température du substrat oxyde
transparent conducteur Ingénierie des MatériauxIndex. décimale : 530 Physique Résumé : L'oxyde de zinc dopé en aluminium (ZnO:Al) a connu une attention particulière comme
étant un très bon oxyde transparent conducteur pour des applications photovoltaïques. Dans
ce travail, des films ZnO : Al ont été déposés sur des substrats en verre par pulvérisation
magnétron en courant continu. L’influence de la température de substrat sur les propriétés
structurales, morphologiques, optiques et électriques des films ZnO : Al a été étudiée.
Les résultats obtenus indiquent que tous les films ZnO : Al présentent une structure
hexagonale avec une orientation préférentielle suivant l'axe c. Les caractérisations
morphologiques, optiques et électriques ont révélé que la température du substrat a une forte
influence sur la microstructure, les propriétés optiques et électriques des films ZnO : Al. Les
films ZnO:Al sont fortement transparent dans la gamme du visible jusqu'Ã le proche
infrarouge avec une transparence moyenne supérieure à 80%. La résistivité minimale atteinte
est de 3.0 × 10-5 Ω.cm. Les plus grandes valeurs obtenues de la concentration et de la mobilité
des porteurs enregistrées sont 8.55 × 1020 cm-3 et 241.9 cm2/Vs respectivementCôte titre : MAPH/0196 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1Yzdf4MQ-9I0PDUXdjrmq2XeYAMz0yt2Z/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude des couches minces d'oxyde de zinc élaborées par pulvérisation [texte imprimé] / Loubna Melaab, ; Ammar Mosbah, Directeur de thèse . - 2017 . - 1 vol (42 f.).
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : films minces ZnO : Al Pulvérisation magnétron Température du substrat oxyde
transparent conducteur Ingénierie des MatériauxIndex. décimale : 530 Physique Résumé : L'oxyde de zinc dopé en aluminium (ZnO:Al) a connu une attention particulière comme
étant un très bon oxyde transparent conducteur pour des applications photovoltaïques. Dans
ce travail, des films ZnO : Al ont été déposés sur des substrats en verre par pulvérisation
magnétron en courant continu. L’influence de la température de substrat sur les propriétés
structurales, morphologiques, optiques et électriques des films ZnO : Al a été étudiée.
Les résultats obtenus indiquent que tous les films ZnO : Al présentent une structure
hexagonale avec une orientation préférentielle suivant l'axe c. Les caractérisations
morphologiques, optiques et électriques ont révélé que la température du substrat a une forte
influence sur la microstructure, les propriétés optiques et électriques des films ZnO : Al. Les
films ZnO:Al sont fortement transparent dans la gamme du visible jusqu'Ã le proche
infrarouge avec une transparence moyenne supérieure à 80%. La résistivité minimale atteinte
est de 3.0 × 10-5 Ω.cm. Les plus grandes valeurs obtenues de la concentration et de la mobilité
des porteurs enregistrées sont 8.55 × 1020 cm-3 et 241.9 cm2/Vs respectivementCôte titre : MAPH/0196 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1Yzdf4MQ-9I0PDUXdjrmq2XeYAMz0yt2Z/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0196 MAPH/0196 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Etude des propriétés physiques de couches minces ZnO dopé Type de document : texte imprimé Auteurs : Cylia Izountar ; Ammar Mosbah, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2021 Importance : 1 vol. (44 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Couches minces ZnO
Dopage
Pression d’azote
Structure
Morphologie
Propriétés optiques
Propriétés électriquesIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Le but de ce travail estl’élaboration et la caractérisation descouches mince d’oxyde de
zinc dopé en aluminium (ZnO:Al)préparées par pulvérisation magnétron. Les couches ont été
déposées sur des substrats de verre et de silicium. Dans le but de convertir la conduction du
type n en type p, nous avons ajouté de l’azote dans l’enceinte de dépôt. On a étudié
l’influence de la pression d’azote sur les propriétés structurales, morphologiques, optique et
électriques des films ZnO:Al.
Les résultats obtenus indiquent que tous les films ZnO:Al présentent une structure de
type hexagonale wurtzite avec une orientation préférentielle suivant l’axe (002). La valeur
minimale de la résistivité enregistrée est de 0.1529 Ω.cm pour l’échantillon préparé en
l’absence d’azote. Elle augmente ensuite avec l’augmentation de la pression d’azote.La
transparence est de l’ordre de 80 % avec un gap optique décroissant.L’ajout d’azote a
provoqué un changement dans les propriétés des couches déposées.Côte titre : MAPH/0476 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1uMsFVTSwEb_QLGxNo1fZMeFwIe4gfnyB/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude des propriétés physiques de couches minces ZnO dopé [texte imprimé] / Cylia Izountar ; Ammar Mosbah, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2021 . - 1 vol. (44 f.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Couches minces ZnO
Dopage
Pression d’azote
Structure
Morphologie
Propriétés optiques
Propriétés électriquesIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Le but de ce travail estl’élaboration et la caractérisation descouches mince d’oxyde de
zinc dopé en aluminium (ZnO:Al)préparées par pulvérisation magnétron. Les couches ont été
déposées sur des substrats de verre et de silicium. Dans le but de convertir la conduction du
type n en type p, nous avons ajouté de l’azote dans l’enceinte de dépôt. On a étudié
l’influence de la pression d’azote sur les propriétés structurales, morphologiques, optique et
électriques des films ZnO:Al.
Les résultats obtenus indiquent que tous les films ZnO:Al présentent une structure de
type hexagonale wurtzite avec une orientation préférentielle suivant l’axe (002). La valeur
minimale de la résistivité enregistrée est de 0.1529 Ω.cm pour l’échantillon préparé en
l’absence d’azote. Elle augmente ensuite avec l’augmentation de la pression d’azote.La
transparence est de l’ordre de 80 % avec un gap optique décroissant.L’ajout d’azote a
provoqué un changement dans les propriétés des couches déposées.Côte titre : MAPH/0476 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1uMsFVTSwEb_QLGxNo1fZMeFwIe4gfnyB/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0476 MAPH/0476 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFabrication and characterization of chromium nitride (CrN) based micro-supercapacitors / Abdelouadoud Guerra
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Titre : Fabrication and characterization of chromium nitride (CrN) based micro-supercapacitors Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdelouadoud Guerra, Auteur ; Ammar Mosbah, Directeur de thèse Année de publication : 2022 Importance : 1 vol (125 f .) Format : 29cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : micro:supercapacitors
areal capacitanceIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
The aim of this thesis work is the elaboration of micro-supercapacitor electrodes based on chromium nitride (CrN) deposited on a silicon current collector. Their electrochemical performance can be improved by increasing their specific surface area and/or porosity for better accessibility of the electrolyte to the active material to improve their charge storage.
The first part of the first chapter is devoted to the state of the art on supercapacitors and micro-supercapacitors as well as the different energy storage systems, various types and applications of supercapacitors and their storage mechanisms. In the second part, we describe the composition of a supercapacitor as well as materials and electrolytes used for the fabrication of supercapacitors.
The second chapter concerns the fabrication of electrodes based on a thin film of chromium nitride (CrN) deposited by bipolar magnetron sputtering at a glancing angle (PVD-GLAD). The use of this new technique allows controlling the morphology of the surface of the electrodes which directly affected their storage capacity. Subsequently, we will describe the fabrication of a micro-device with an inter-digital configuration based on chromium nitride with good electrochemical performances.
The third chapter is dedicated to the development of composite electrodes based on silicon nanowires (SiNWs) synthesized via a VLS mechanism and coated with a thin layer of highly pseudo-capacitive material of CrN. Post-coating SiNWs with CrN can offer benefits, such as enhanced faradaic capacitance and electrical conductivity of the composite made of the metal nitride and SiNWs. Furthermore, the double-layer capacitance of the SiNWs with a large specific surface area can be added to that of CrN.
The fourth chapter focuses on the development of composites electrodes made with carbon nanowalls (CNW) decorated with CrN. We will describe the benefits of using a template with a large specific surface area on the electrochemical performance of the composites electrodes. The large surface area of CNW and their good electrical conductivity allows improving not only the areal capacitance of CrN based electrodes but also its cycle life. Subsequently, we will describe the fabrication of a micro-device with a staked configuration based on CNW-CrN electrodes with robust electrochemical stability over 30000 cycles.Côte titre : DPH/0267 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/4026/1/GUERRA%20Thesi [...] Format de la ressource électronique : Fabrication and characterization of chromium nitride (CrN) based micro-supercapacitors [texte imprimé] / Abdelouadoud Guerra, Auteur ; Ammar Mosbah, Directeur de thèse . - 2022 . - 1 vol (125 f .) ; 29cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : micro:supercapacitors
areal capacitanceIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
The aim of this thesis work is the elaboration of micro-supercapacitor electrodes based on chromium nitride (CrN) deposited on a silicon current collector. Their electrochemical performance can be improved by increasing their specific surface area and/or porosity for better accessibility of the electrolyte to the active material to improve their charge storage.
The first part of the first chapter is devoted to the state of the art on supercapacitors and micro-supercapacitors as well as the different energy storage systems, various types and applications of supercapacitors and their storage mechanisms. In the second part, we describe the composition of a supercapacitor as well as materials and electrolytes used for the fabrication of supercapacitors.
The second chapter concerns the fabrication of electrodes based on a thin film of chromium nitride (CrN) deposited by bipolar magnetron sputtering at a glancing angle (PVD-GLAD). The use of this new technique allows controlling the morphology of the surface of the electrodes which directly affected their storage capacity. Subsequently, we will describe the fabrication of a micro-device with an inter-digital configuration based on chromium nitride with good electrochemical performances.
The third chapter is dedicated to the development of composite electrodes based on silicon nanowires (SiNWs) synthesized via a VLS mechanism and coated with a thin layer of highly pseudo-capacitive material of CrN. Post-coating SiNWs with CrN can offer benefits, such as enhanced faradaic capacitance and electrical conductivity of the composite made of the metal nitride and SiNWs. Furthermore, the double-layer capacitance of the SiNWs with a large specific surface area can be added to that of CrN.
The fourth chapter focuses on the development of composites electrodes made with carbon nanowalls (CNW) decorated with CrN. We will describe the benefits of using a template with a large specific surface area on the electrochemical performance of the composites electrodes. The large surface area of CNW and their good electrical conductivity allows improving not only the areal capacitance of CrN based electrodes but also its cycle life. Subsequently, we will describe the fabrication of a micro-device with a staked configuration based on CNW-CrN electrodes with robust electrochemical stability over 30000 cycles.Côte titre : DPH/0267 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/4026/1/GUERRA%20Thesi [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0267 DPH/0267 Thèse Bibliothéque des sciences Anglais Disponible
DisponibleInfluence de la densité de puissance sur les propriétés physique des couches minces de ZnO dopé / Mohamed Bouzidi
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Titre : Influence de la densité de puissance sur les propriétés physique des couches minces de ZnO dopé Type de document : texte imprimé Auteurs : Mohamed Bouzidi, Auteur ; Ammar Mosbah, Auteur Année de publication : 2022 Importance : 1 vol (35 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Oxyde transparent conducteur Index. décimale : 530 Physique Résumé :
L'oxyde de zinc dopé en aluminium (ZnO:Al) a connu une attention particulière comme étant
un très bon oxyde transparent conducteur pour des applications photovoltaïques. Dans ce
travail, des films ZnO:Al ont été déposés sur des substrats en verre et en Si par pulvérisation
magnétron en courant continu. L’influence de la densité de puissance sur les propriétés
structurales, optiques, électriques, et morphologiques des films ZnO:Al a été étudiée. Les
résultats obtenus indiquent que tous les films ZnO:Al présentent une structure hexagonale
avec une orientation préférentielle suivant l'axe c. Les caractérisations optiques, électriques et
morphologiques ont révélé que la densité de puissance a une forte influence sur les propriétés
optiques, électriques et la microstructure des films ZnO:Al. Les films ZnO:Al sont fortement
transparents dans la gamme du visible avec une transparence moyenne supérieure à 80%. La
résistivité minimale atteinte est de 0,1262 Ω.cmNote de contenu :
Sommaire
Introduction générale .............................................................................................................. 1
Chapitre I. Recherche bibliographique ................................................................................. 3
I .1. C’est quoi ZnO .............................................................................................................. 3
I.2. Techniques d’élaborations des couches minces .......................................................... 4
I.2.1 Processus chimique .................................................................................................... 5
I.2.2 Processus physique .................................................................................................... 7
I.3. Dopage du ZnO .............................................................................................................. 9
I.3.1. Dopage type n du ZnO .............................................................................................. 9
I.3.2. Dopage type p du ZnO : ............................................................................................ 9
I.4. Quelques applications des couches minces de ZnO .................................................. 10
I.4.1. Application aux cellules solaires : .......................................................................... 10
I.4.2. Applications optoélectroniques : ............................................................................ 11
I.4.3. Capteur de gaz : ...................................................................................................... 11
Chapitre II. Elaboration et Caractérisations ...................................................................... 12
II.1. Préparation des substrats .......................................................................................... 12
II.2. Dépôt par pulvérisation cathodique ......................................................................... 13
II.3. Techniques de caractérisation : ................................................................................ 13
II.3.1. Caractérisations structurales .................................................................................. 13
II.3.2. Caractérisation morphologique ............................................................................. 16
II.3.3. Caractérisation optique .......................................................................................... 18
II.3.4. Caractérisation électrique ...................................................................................... 20
Chapitre III. Résultats expérimentaux et discussions ........................................................ 22
III.1. Propriétés structurales ............................................................................................. 22
III.2. Propriétés morphologiques ..................................................................................
III.3. Propriétés optiques ................................................................................................... 27
III.3.1 Transmittance ........................................................................................................ 27
III.3.2 Gap optique ........................................................................................................... 28
III.4. Propriétés électriques ............................................................................................... 30
Conclusion générale ......................................................................... Erreur ! Signet non défini.
Liste des références ................................................................................................................ 33Côte titre : MAPH/0529 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1ANWPn_0Uq5T5liT1Fx7CTC8khXeNBRzJ/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Influence de la densité de puissance sur les propriétés physique des couches minces de ZnO dopé [texte imprimé] / Mohamed Bouzidi, Auteur ; Ammar Mosbah, Auteur . - 2022 . - 1 vol (35 f.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique Mots-clés : Oxyde transparent conducteur Index. décimale : 530 Physique Résumé :
L'oxyde de zinc dopé en aluminium (ZnO:Al) a connu une attention particulière comme étant
un très bon oxyde transparent conducteur pour des applications photovoltaïques. Dans ce
travail, des films ZnO:Al ont été déposés sur des substrats en verre et en Si par pulvérisation
magnétron en courant continu. L’influence de la densité de puissance sur les propriétés
structurales, optiques, électriques, et morphologiques des films ZnO:Al a été étudiée. Les
résultats obtenus indiquent que tous les films ZnO:Al présentent une structure hexagonale
avec une orientation préférentielle suivant l'axe c. Les caractérisations optiques, électriques et
morphologiques ont révélé que la densité de puissance a une forte influence sur les propriétés
optiques, électriques et la microstructure des films ZnO:Al. Les films ZnO:Al sont fortement
transparents dans la gamme du visible avec une transparence moyenne supérieure à 80%. La
résistivité minimale atteinte est de 0,1262 Ω.cmNote de contenu :
Sommaire
Introduction générale .............................................................................................................. 1
Chapitre I. Recherche bibliographique ................................................................................. 3
I .1. C’est quoi ZnO .............................................................................................................. 3
I.2. Techniques d’élaborations des couches minces .......................................................... 4
I.2.1 Processus chimique .................................................................................................... 5
I.2.2 Processus physique .................................................................................................... 7
I.3. Dopage du ZnO .............................................................................................................. 9
I.3.1. Dopage type n du ZnO .............................................................................................. 9
I.3.2. Dopage type p du ZnO : ............................................................................................ 9
I.4. Quelques applications des couches minces de ZnO .................................................. 10
I.4.1. Application aux cellules solaires : .......................................................................... 10
I.4.2. Applications optoélectroniques : ............................................................................ 11
I.4.3. Capteur de gaz : ...................................................................................................... 11
Chapitre II. Elaboration et Caractérisations ...................................................................... 12
II.1. Préparation des substrats .......................................................................................... 12
II.2. Dépôt par pulvérisation cathodique ......................................................................... 13
II.3. Techniques de caractérisation : ................................................................................ 13
II.3.1. Caractérisations structurales .................................................................................. 13
II.3.2. Caractérisation morphologique ............................................................................. 16
II.3.3. Caractérisation optique .......................................................................................... 18
II.3.4. Caractérisation électrique ...................................................................................... 20
Chapitre III. Résultats expérimentaux et discussions ........................................................ 22
III.1. Propriétés structurales ............................................................................................. 22
III.2. Propriétés morphologiques ..................................................................................
III.3. Propriétés optiques ................................................................................................... 27
III.3.1 Transmittance ........................................................................................................ 27
III.3.2 Gap optique ........................................................................................................... 28
III.4. Propriétés électriques ............................................................................................... 30
Conclusion générale ......................................................................... Erreur ! Signet non défini.
Liste des références ................................................................................................................ 33Côte titre : MAPH/0529 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1ANWPn_0Uq5T5liT1Fx7CTC8khXeNBRzJ/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0529 MAPH/0529 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleInfluence des paramètres de dépôt sur les propriétés physiques de couches minces ZnO dopé Al / Nisrine Bedroune
![]()
Titre : Influence des paramètres de dépôt sur les propriétés physiques de couches minces ZnO dopé Al Type de document : texte imprimé Auteurs : Nisrine Bedroune ; Ammar Mosbah, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2021 Importance : 1 vol. (45 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Couches minces
Oxydes transparents conducteurs (TCO)
Oxyde de zinc
ZnOIndex. décimale : 530 Physique Note de contenu :
Tables des matières
Introduction générale : ........................................................................................................... 1
Chapitre I: Les oxydes transparents conducteurs (TCO) et L’oxyde de zinc.
I.1.Les oxydes transparents conducteurs (TCO) : ................................................................... 3
I.1.1.Aperçu historique des OTC : .......................................................................................3
I.1.2.Définition de TCO : ....................................................................................................3
I.1.3.Application TCO :.....................................................................................................3
I.2.L’oxyde de zinc : .............................................................................................................. 4
I.2.2.Quelque application des couches minces de ZnO : ....................................................5
I.2.2.1.Application aux cellules solaires : .........................................................................5
I.2.2.2. Applications optoélectroniques : ..........................................................................5
I.2.2.3.Capteur de gaz : ....................................................................................................6
I.2.3.Les principaux avantages du ZnO ...............................................................................6
I.3.Propriétés de Zn O :.......................................................................................................... 7
I.3.1.Propriétés structurales : ...............................................................................................7
I.3.2.Structure de bandes électronique de ZnO : ..................................................................8
I.3.3.Propriétés électriques de ZnO :. ..................................................................................9
I.3.4.Propriétés optiques : ....................................................................................................9
Chapitre II: Méthodes d’élaborations et Techniques de Caractérisation couches minces de ZnO dopé Al.
II.1. Méthodes d’élaborations des couches minces : ............................................................ 10
II.1.1. Méthodes physiques :.............................................................................................. 11
II.1.1.1. Dépôt physique en phase vapeur(PVD) : .......................................................... 11
II.1.2. Méthodes chimique : ............................................................................................... 13
II.1.2.1. Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) :......................................................... 13
II.2. Préparation des échantillons : ....................................................................................... 16
II.2.1.Couches de ZnO dopées Al déposées par pulvérisation magnétron:.......................... 16
II.2.2.Substrats utilisés :Les couches minces de ZnO : ...................................................... 17
II.3.Conditions de dépôts des couches minces de ZnO: Al : ................................................. 18
II.4. Techniques de Caractérisation couches minces de ZnO: Al : ........................................ 18
II.4.1.Caractérisation structurale :...................................................................................... 18
II.4.1.1.Difractions des rayons X : ................................................................................. 18
II.4.1.2.Principe de fonctionnement du diffractomètre : ................................................. 19
II.4.2. Caractérisation morphologique : ............................................................................. 23
II.4.2.1. Microscopie à force atomique : ......................................................................... 23
II.4.3.Caractérisation Optique : ......................................................................................... 24
II.4.3.1.spectrophotométrie UV Visible : ....................................................................... 24
II.4.3.2.Les spectres de transmission : ............................................................................ 25
II.4.4.Caractérisation électrique par la méthode de quatre points : ..................................... 26
II.4.4.1. Mesure de la résistivité par la technique quatre points : ................................... 26
Chapitre III : Résultats et discussions.
III.1. Vitesse de Croissance : ............................................................................................... 29
III.2. Propriétés structurelles : .............................................................................................. 30
III.3. Propriétés morphologiques : ........................................................................................ 33
III.4. Propriétés optiques des couches minces de ZnO:Al : ................................................... 36
III.4.a. Détermination d’énergie de Gap optique Eg : ......................................................... 37
III.4.b. Energie d’Urbach (désordre) :................................................................................ 37
III.5. Propriétés électriques : ............................................................................................. 39
Conclusion générale : .......................................................................................................... 40
Bibliographie ....................................................................................................................... 42
Côte titre : MAPH/0484 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1ZsSxEwf2ae5c_SwQCyiApnD1T6KHTB_e/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Influence des paramètres de dépôt sur les propriétés physiques de couches minces ZnO dopé Al [texte imprimé] / Nisrine Bedroune ; Ammar Mosbah, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2021 . - 1 vol. (45 f.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Couches minces
Oxydes transparents conducteurs (TCO)
Oxyde de zinc
ZnOIndex. décimale : 530 Physique Note de contenu :
Tables des matières
Introduction générale : ........................................................................................................... 1
Chapitre I: Les oxydes transparents conducteurs (TCO) et L’oxyde de zinc.
I.1.Les oxydes transparents conducteurs (TCO) : ................................................................... 3
I.1.1.Aperçu historique des OTC : .......................................................................................3
I.1.2.Définition de TCO : ....................................................................................................3
I.1.3.Application TCO :.....................................................................................................3
I.2.L’oxyde de zinc : .............................................................................................................. 4
I.2.2.Quelque application des couches minces de ZnO : ....................................................5
I.2.2.1.Application aux cellules solaires : .........................................................................5
I.2.2.2. Applications optoélectroniques : ..........................................................................5
I.2.2.3.Capteur de gaz : ....................................................................................................6
I.2.3.Les principaux avantages du ZnO ...............................................................................6
I.3.Propriétés de Zn O :.......................................................................................................... 7
I.3.1.Propriétés structurales : ...............................................................................................7
I.3.2.Structure de bandes électronique de ZnO : ..................................................................8
I.3.3.Propriétés électriques de ZnO :. ..................................................................................9
I.3.4.Propriétés optiques : ....................................................................................................9
Chapitre II: Méthodes d’élaborations et Techniques de Caractérisation couches minces de ZnO dopé Al.
II.1. Méthodes d’élaborations des couches minces : ............................................................ 10
II.1.1. Méthodes physiques :.............................................................................................. 11
II.1.1.1. Dépôt physique en phase vapeur(PVD) : .......................................................... 11
II.1.2. Méthodes chimique : ............................................................................................... 13
II.1.2.1. Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) :......................................................... 13
II.2. Préparation des échantillons : ....................................................................................... 16
II.2.1.Couches de ZnO dopées Al déposées par pulvérisation magnétron:.......................... 16
II.2.2.Substrats utilisés :Les couches minces de ZnO : ...................................................... 17
II.3.Conditions de dépôts des couches minces de ZnO: Al : ................................................. 18
II.4. Techniques de Caractérisation couches minces de ZnO: Al : ........................................ 18
II.4.1.Caractérisation structurale :...................................................................................... 18
II.4.1.1.Difractions des rayons X : ................................................................................. 18
II.4.1.2.Principe de fonctionnement du diffractomètre : ................................................. 19
II.4.2. Caractérisation morphologique : ............................................................................. 23
II.4.2.1. Microscopie à force atomique : ......................................................................... 23
II.4.3.Caractérisation Optique : ......................................................................................... 24
II.4.3.1.spectrophotométrie UV Visible : ....................................................................... 24
II.4.3.2.Les spectres de transmission : ............................................................................ 25
II.4.4.Caractérisation électrique par la méthode de quatre points : ..................................... 26
II.4.4.1. Mesure de la résistivité par la technique quatre points : ................................... 26
Chapitre III : Résultats et discussions.
III.1. Vitesse de Croissance : ............................................................................................... 29
III.2. Propriétés structurelles : .............................................................................................. 30
III.3. Propriétés morphologiques : ........................................................................................ 33
III.4. Propriétés optiques des couches minces de ZnO:Al : ................................................... 36
III.4.a. Détermination d’énergie de Gap optique Eg : ......................................................... 37
III.4.b. Energie d’Urbach (désordre) :................................................................................ 37
III.5. Propriétés électriques : ............................................................................................. 39
Conclusion générale : .......................................................................................................... 40
Bibliographie ....................................................................................................................... 42
Côte titre : MAPH/0484 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1ZsSxEwf2ae5c_SwQCyiApnD1T6KHTB_e/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0484 MAPH/0484 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponiblePermalinkStudy of fundamentals physicals properties of the layered BaFAgCh (Ch=S, Se and Te) by first principles methods / Boudiaf,Khadidja
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