Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium / Annie Baudrant

Public ISBD Titre : Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Annie Baudrant Editeur : Paris : Hermès science publications-Lavoisier Année de publication : 2011 Collection : Traité EGEM. Série Électronique et micro-électronique Sous-collection : Électronique et micro-électronique Importance : 1 vol. (365 p.) Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-3130-6 Note générale : 978-2-7462-3130-6 Langues : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Silicium : Substrats Silicium : Traitement thermique Technologie silicium sur isolant Ions : Implantation Index. décimale : 621.3 Éclairage, électronique, électrotechnique, génie informatique, optique appliquée Résumé : Cet ouvrage propose au lecteur une vision de l'élaboration des couches actives, modifiant la structure de surface du substrat silicium massif : principes de base, mise en applications en fonction des filières technologiques, limites et contraintes, avec un focus sur les dernières avancées. Son objectif n'est pas de faire le tour de la question pour tous les procédés élémentaires d'un assemblage technologique, mais de rappeler les données essentielles et fondamentales seulement pour les procédés qui visent à utiliser et à améliorer les propriétés du matériau ou du semi-conducteur silicium, tant pour les composants électroniques que pour les microsystèmes.Sont ainsi développés l'oxydation silicium, l'implantation ionique, la diffusion et l'épitaxie d'hétérostructures. Note de contenu : Sommaire Oxydation du silicium et du carbure de silicium JeanJacques GANEM et Isabelle TRIMAILLE Implantation ionique JeanJacques GROB Modélisation et enjeux technologiques Daniel MATHIOT Epitaxie dhétérostructures contraintes SiSi1x Gex JeanMichel HARTMANN Index Côte titre : Fs/13925-13927,Fs/12059-12060 Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium [texte imprimé] / Annie Baudrant . - Paris : Hermès science publications-Lavoisier, 2011 . - 1 vol. (365 p.) : ill. ; 24 cm. - (Traité EGEM. Série Électronique et micro-électronique. Ã‰lectronique et micro-électronique) . ISBN : 978-2-7462-3130-6 978-2-7462-3130-6 Langues : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Silicium : Substrats Silicium : Traitement thermique Technologie silicium sur isolant Ions : Implantation Index. décimale : 621.3 Éclairage, électronique, électrotechnique, génie informatique, optique appliquée Résumé : Cet ouvrage propose au lecteur une vision de l'élaboration des couches actives, modifiant la structure de surface du substrat silicium massif : principes de base, mise en applications en fonction des filières technologiques, limites et contraintes, avec un focus sur les dernières avancées. Son objectif n'est pas de faire le tour de la question pour tous les procédés élémentaires d'un assemblage technologique, mais de rappeler les données essentielles et fondamentales seulement pour les procédés qui visent à utiliser et à améliorer les propriétés du matériau ou du semi-conducteur silicium, tant pour les composants électroniques que pour les microsystèmes.Sont ainsi développés l'oxydation silicium, l'implantation ionique, la diffusion et l'épitaxie d'hétérostructures. Note de contenu : Sommaire Oxydation du silicium et du carbure de silicium JeanJacques GANEM et Isabelle TRIMAILLE Implantation ionique JeanJacques GROB Modélisation et enjeux technologiques Daniel MATHIOT Epitaxie dhétérostructures contraintes SiSi1x Gex JeanMichel HARTMANN Index Côte titre : Fs/13925-13927,Fs/12059-12060

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
Fs/12059	Fs/12059-12060	livre	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible
Fs/12060	Fs/12059-12060	livre	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible
Fs/13925	Fs/13925-13927	Livre	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible
Fs/13926	Fs/13925-13927	livre	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible
Fs/13927	Fs/13925-13927	livre	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible

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