Physique des semiconducteurs et des composants électroniques / Henry Mathieu

Public ISBD Titre : Physique des semiconducteurs et des composants électroniques : problèmes résolus Type de document : texte imprimé Auteurs : Henry Mathieu (1940-....), Auteur ; Thierry Bretagnon (1960-....), Auteur ; Pierre Lefebvre (1963-....), Auteur Editeur : Paris : Dunod Année de publication : 2001 Collection : Sciences sup Importance : 1 vol (188 p.) Présentation : ill., couv. ill. en coul. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-004662-1 Note générale : La couv. porte en plus : "2e et 3e cycles, écoles d'ingénieurs" Index Langues : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Semiconducteurs : Problèmes et exercices Composants électroniques Index. décimale : 537.5 Physique de l'électronique Résumé : Ce recueil de 42 problèmes résolus complète le cours Physique des semi-conducteurs et des composants électroniques de Henry Mathieu. Les problèmes sont répartis en cinq parties • la première aborde les différents phénomènes et effets physiques qui régissent les caractéristiques des électrons dans les semi-conducteurs ; • la deuxième est consacrée aux composants bipolaires et aux propriétés de la jonction pn qui constitue la structure de base de ces composants; • la troisième partie traite des composants unipolaires avec les hétérostructures (contact métal/semi-conducteur ; métal/isolant/ semi-conducteur) ainsi que des composants actifs, tels que les différents types de transistors à effet de champ ; • dans la quatrième partie, le domaine important des composants optoélectroniques est abordé en traitant les phénomènes d'interaction du rayonnement avec le semi-conducteur et avec les cellules photoconductrices, photodiodes, cellules solaires, diodes électroluminescentes et diodes lasers ; • la dernière traite des effets quantiques rencontrés dans les hétérostructures semi-conductrices. Certains problèmes, dont la résolution est numérique, permettent de comparer les solutions exactes des équations aux solutions approchées. Les programmes utilisent le logiciel Maple V. Note de contenu : SOMMAIRE PARTIE 1 / PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS CHAPITRE 1 * SEMI-CONDUCTEURS HOMOGÈNES 1.1 Semiconducteur compensé 1.2 Semiconducteur non-dégénéré 1.3 Semiconducteur dégénéré 1.4 Effet de la température CHAPITRE 2 * SEMICONDUCTEURS À PROFIL DE DOPAGE QUELCONQUE 2.1 Profil de dopage - Distribution des porteurs 2.2 Profil de dopage - Charge d'espace 2.3 Profil de dopage - Résistivité CHAPITRE 3 * SEMICONDUCTEUR HORS ÉQUILIBRE 3.1 Effet Hall 3.2 Émission thermoélectronique 3.3 Effet Gunn PARTIE 2 / COMPOSANTS BIPOLAIRES CHAPITRE 4 * JONCTION pn À L'ÉQUILIBRE THERMODYNAMIQUE 4.1 Jonction pn abrupte 4.2 Jonction pn graduelle 4.3 Jonction pn à profil variable CHAPITRE 5 * JONCTION pn HORS ÉQUILIBRE 5.1 Jonction pn abrupte polarisée 5.2 Jonction pn - Courants de génération/recombinaison 5.3 Jonction pn - Injection des porteurs 5.4 Jonction pn en régime alternatif CHAPITRE 6 * MULTIJONCTIONS À L'ÉQUILIBRE THERMODYNAMIQUE 6.1 Jonction pin - Capacité 6.2 Structure CCD - Distribution des champs et potentiel électriques CHAPITRE 7 * TRANSISTORS BIPOLAIRES 7.1 Transistor à base homogène 7.2 Transistor à base exponentielle 7.3 Effet Early PARTIE 3 / COMPOSANTS UNIPOLAIRES CHAPITRE 8 * DIODES SCHOTTKY 8.1 Diode Schottky à l'équilibre 8.2 Diode Schottky polarisée 8.3 Diode Schottky : C(V) CHAPITRE 9 * STRUCTURE MÉTAL ISOLANT SEMICONDUCTEUR 9.1 Capacité MIS en régime stationnaire 9.2 Capacité MOS en régime transitoire CHAPITRE 10 * TRANSISTORS UNIPOLAIRES 10.1 Transistor JFET en régime linéaire 10.2 Transistor JFET en régime de saturation 10.3 Transistor MOSFET PARTIE 4 / COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES CHAPITRE 11 * INTERACTION RAYONNEMENT-SEMICONDUCTEUR 11.1 Photogénération de porteurs 11.2 Distribution des photoporteurs en régime stationnaire 11.3 Champ électrique interne 11.4 Éclairement stationnaire localisé 11.5 Éclairement variable localisé CHAPITRE 12 * PHOTODÉTECTEURS 12.1 Cellule photoconductrice 12.2 Cellule photovoltaïque 12.3 Photopile CHAPITRE 13 * PHOTOÉMETTEURS 13.1 Diode électroluminescente - LED 13.2 Diode laser - LD PARTIE 5 / EFFETS QUANTIQUES CHAPITRE 14 * HÉTÉROSTRUCTURES À EFFETS QUANTIQUES 14.1 Puits quantique GaAs/GaAIAs 14.2 Hétérostructures complexes : méthode des matrices de transfert INDEX Physique des semiconducteurs et des composants électroniques : problèmes résolus [texte imprimé] / Henry Mathieu (1940-....), Auteur ; Thierry Bretagnon (1960-....), Auteur ; Pierre Lefebvre (1963-....), Auteur . - Paris : Dunod, 2001 . - 1 vol (188 p.) : ill., couv. ill. en coul. ; 24 cm. - (Sciences sup) . ISBN : 978-2-10-004662-1 La couv. porte en plus : "2e et 3e cycles, écoles d'ingénieurs" Index Langues : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Semiconducteurs : Problèmes et exercices Composants électroniques Index. décimale : 537.5 Physique de l'électronique Résumé : Ce recueil de 42 problèmes résolus complète le cours Physique des semi-conducteurs et des composants électroniques de Henry Mathieu. Les problèmes sont répartis en cinq parties • la première aborde les différents phénomènes et effets physiques qui régissent les caractéristiques des électrons dans les semi-conducteurs ; • la deuxième est consacrée aux composants bipolaires et aux propriétés de la jonction pn qui constitue la structure de base de ces composants; • la troisième partie traite des composants unipolaires avec les hétérostructures (contact métal/semi-conducteur ; métal/isolant/ semi-conducteur) ainsi que des composants actifs, tels que les différents types de transistors à effet de champ ; • dans la quatrième partie, le domaine important des composants optoélectroniques est abordé en traitant les phénomènes d'interaction du rayonnement avec le semi-conducteur et avec les cellules photoconductrices, photodiodes, cellules solaires, diodes électroluminescentes et diodes lasers ; • la dernière traite des effets quantiques rencontrés dans les hétérostructures semi-conductrices. Certains problèmes, dont la résolution est numérique, permettent de comparer les solutions exactes des équations aux solutions approchées. Les programmes utilisent le logiciel Maple V. Note de contenu : SOMMAIRE PARTIE 1 / PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS CHAPITRE 1 * SEMI-CONDUCTEURS HOMOGÈNES 1.1 Semiconducteur compensé 1.2 Semiconducteur non-dégénéré 1.3 Semiconducteur dégénéré 1.4 Effet de la température CHAPITRE 2 * SEMICONDUCTEURS À PROFIL DE DOPAGE QUELCONQUE 2.1 Profil de dopage - Distribution des porteurs 2.2 Profil de dopage - Charge d'espace 2.3 Profil de dopage - Résistivité CHAPITRE 3 * SEMICONDUCTEUR HORS ÉQUILIBRE 3.1 Effet Hall 3.2 Émission thermoélectronique 3.3 Effet Gunn PARTIE 2 / COMPOSANTS BIPOLAIRES CHAPITRE 4 * JONCTION pn À L'ÉQUILIBRE THERMODYNAMIQUE 4.1 Jonction pn abrupte 4.2 Jonction pn graduelle 4.3 Jonction pn à profil variable CHAPITRE 5 * JONCTION pn HORS ÉQUILIBRE 5.1 Jonction pn abrupte polarisée 5.2 Jonction pn - Courants de génération/recombinaison 5.3 Jonction pn - Injection des porteurs 5.4 Jonction pn en régime alternatif CHAPITRE 6 * MULTIJONCTIONS À L'ÉQUILIBRE THERMODYNAMIQUE 6.1 Jonction pin - Capacité 6.2 Structure CCD - Distribution des champs et potentiel électriques CHAPITRE 7 * TRANSISTORS BIPOLAIRES 7.1 Transistor à base homogène 7.2 Transistor à base exponentielle 7.3 Effet Early PARTIE 3 / COMPOSANTS UNIPOLAIRES CHAPITRE 8 * DIODES SCHOTTKY 8.1 Diode Schottky à l'équilibre 8.2 Diode Schottky polarisée 8.3 Diode Schottky : C(V) CHAPITRE 9 * STRUCTURE MÉTAL ISOLANT SEMICONDUCTEUR 9.1 Capacité MIS en régime stationnaire 9.2 Capacité MOS en régime transitoire CHAPITRE 10 * TRANSISTORS UNIPOLAIRES 10.1 Transistor JFET en régime linéaire 10.2 Transistor JFET en régime de saturation 10.3 Transistor MOSFET PARTIE 4 / COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES CHAPITRE 11 * INTERACTION RAYONNEMENT-SEMICONDUCTEUR 11.1 Photogénération de porteurs 11.2 Distribution des photoporteurs en régime stationnaire 11.3 Champ électrique interne 11.4 Éclairement stationnaire localisé 11.5 Éclairement variable localisé CHAPITRE 12 * PHOTODÉTECTEURS 12.1 Cellule photoconductrice 12.2 Cellule photovoltaïque 12.3 Photopile CHAPITRE 13 * PHOTOÉMETTEURS 13.1 Diode électroluminescente - LED 13.2 Diode laser - LD PARTIE 5 / EFFETS QUANTIQUES CHAPITRE 14 * HÉTÉROSTRUCTURES À EFFETS QUANTIQUES 14.1 Puits quantique GaAs/GaAIAs 14.2 Hétérostructures complexes : méthode des matrices de transfert INDEX

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Fs/1708	Fs/1708-1710	Livre	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible
Fs/1709	Fs/1708-1710	Livre	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible
Fs/1710	Fs/1708-1710	Livre	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible

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