Contribution à l'étude de l'influence de s couches barrières sur le phénomène de diffusion à l'interface métal/silicium pour des couche minces formées par évaporation par effet joule : cas du système : Cu/Sb/Si(100), Cu/Sb/Si(110), Cu/Sb/Si(111) / Reffas , mounir

Public ISBD Titre : Contribution à l'étude de l'influence de s couches barrières sur le phénomène de diffusion à l'interface métal/silicium pour des couche minces formées par évaporation par effet joule : cas du système : Cu/Sb/Si(100), Cu/Sb/Si(110), Cu/Sb/Si(111) Type de document : texte imprimé Auteurs : Reffas , mounir Contribution à l'étude de l'influence de s couches barrières sur le phénomène de diffusion à l'interface métal/silicium pour des couche minces formées par évaporation par effet joule : cas du système : Cu/Sb/Si(100), Cu/Sb/Si(110), Cu/Sb/Si(111) [texte imprimé] / Reffas , mounir . - [s.d.].

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Dopage de la pérovskite CaFeO3/Application photocatalytique de l’eau / Ghanem, Nassima  

Public ISBD Titre : Dopage de la pérovskite CaFeO3/Application photocatalytique de l’eau Type de document : texte imprimé Auteurs : Ghanem, Nassima ; Reffas , mounir, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2021 Importance : 1 vol. (63 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Pérovskite CaFeO3 Photodégradation Sol-gel DRX FTIR EDX ATG UV visible Bleu de Méthylène (BM) Index. décimale : 530 Physique Résumé : L’objectif de ce travail est la synthèse par voie sol-gel et caractérisation par différentes techniques d’analyse : DRX, FTIR, ATG, EDX, et MEB d’un oxyde de structure pérovskite CaFeO3, Nous avons testé ces échantillons comme photocatalyseurs. L'activité photocatalytique des échantillons synthétisés a été étudiée par photodégradation du colorant bleu de méthylène sous irradiation visible, suivie par une analyse optique réalisé par spectroscopique UV-visible. Côte titre : MAPH/0487 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1mtujZYABRjrLyBhFnIASPRSF6cj3Uwks/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf Dopage de la pérovskite CaFeO3/Application photocatalytique de l’eau [texte imprimé] / Ghanem, Nassima ; Reffas , mounir, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2021 . - 1 vol. (63 f.) ; 29 cm. Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Pérovskite CaFeO3 Photodégradation Sol-gel DRX FTIR EDX ATG UV visible Bleu de Méthylène (BM) Index. décimale : 530 Physique Résumé : L’objectif de ce travail est la synthèse par voie sol-gel et caractérisation par différentes techniques d’analyse : DRX, FTIR, ATG, EDX, et MEB d’un oxyde de structure pérovskite CaFeO3, Nous avons testé ces échantillons comme photocatalyseurs. L'activité photocatalytique des échantillons synthétisés a été étudiée par photodégradation du colorant bleu de méthylène sous irradiation visible, suivie par une analyse optique réalisé par spectroscopique UV-visible. Côte titre : MAPH/0487 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1mtujZYABRjrLyBhFnIASPRSF6cj3Uwks/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf

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Élaboration et caractérisation des couches minces Co/Ni/Si (100) / Hameur ,Laine Asma  

Public ISBD Titre : Élaboration et caractérisation des couches minces Co/Ni/Si (100) Type de document : texte imprimé Auteurs : Hameur ,Laine Asma, Auteur ; Reffas , mounir, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2020 Importance : 1 vol (45 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 - Physique Côte titre : MAPH/0387 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1IxdmHv2IY6ETsHsJr0-Jkc236NM8LKgq/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf Élaboration et caractérisation des couches minces Co/Ni/Si (100) [texte imprimé] / Hameur ,Laine Asma, Auteur ; Reffas , mounir, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2020 . - 1 vol (45 f .) ; 29 cm. Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 - Physique Côte titre : MAPH/0387 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1IxdmHv2IY6ETsHsJr0-Jkc236NM8LKgq/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf

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Étude des propriétés physiques de quelques matériaux cristallins par la méthode PP-PW / Reffas , mounir  

Public ISBD Titre : Étude des propriétés physiques de quelques matériaux cristallins par la méthode PP-PW Type de document : texte imprimé Auteurs : Reffas , mounir ; Bouhemadou,A, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2017 Importance : 1 vol. (152 f.) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : PP-PW DFT Propriétés structurales Pression hydrostatique Constante élastiques. Résumé : Dans le présent travail, nous avons effectué un calcul de premier principe qui est basé sur la théorie fonctionnelle de densité (DFT) et la méthode de pseudopotentiel d’onde plane (PP-PW) sur l’investigation de quelques propriétés physiques fondamentales pour deux systèmes : les deux spinelles SnX2O4 (X = Mg et Zn) et les deux intermétalliques XCu2Si2 (X : Ca et Sr). Pour le système SnX2O4 (X = Mg et Zn), le paramètre du réseau et le paramètre interne calculés sont en bon accord avec les données expérimentales et théoriques disponibles. Les constantes élastiques et leur dépendance de pression sont calculés et présentant une variation linéaire en fonction de la pression. Les modules d’élasticité dans le cas polycristallin sont numériquement estimés en utilisant la méthode de Voigt- Reuss-Hill pour les deux composés étudiés. L’analyse de la structure des bandes électroniques montre que SnMg2O4 et SnZn2O4 ayant un caractère d’un semi-conducteur avec un gap direct (Г- Г). L’analyse des spectres de la densité d’états électronique et le transfert de charge en utilisant l’analyse de Millikan montre que les liaisons chimiques présentent une mixture covalenteionique dans les deux composés étudiés. Les propriétés optiques sont calculées pour un rayonnement allant jusqu'à 40 eV. La constante diélectrique ε1(0) statique et l'indice de réfraction n (0) sont étudiés en fonction de la pression. Nous avons aussi exploré et discuté la variation de quelques paramètres thermodynamiques tels que en fonction de la température à des pressions données et en fonction de la pression à des températures données en utilisant le modèle quasi harmonique de Debye. Concernant le système XCu2Si2 (X : Ca et Sr), les paramètres structuraux d’équilibre calculés sont en bon accord avec les données expérimentales existantes dans la littérature. L'analyse de la structure des bandes électroniques et la densité d’état révèle le caractère d’un métal caractérise les deux composés à étudier et qu’une mixture entre le caractère ionique et le caractère covalent des liaisons chimiques. Les constantes élastiques Cij pour CaCu2Si2 et SrCu2Si2 sont explorées dans une gamme de pression de 0 à 40 GPa. Nous avons calculé certains modules élastiques macroscopiques dans le cas polycristallin pour les composés CaCu2Si2 et SrCu2Si2. Employant le modèle quasi harmonique de Debye, nous avons exploré et discuté la variation de quelques paramètres thermodynamiques en fonction de la température à des pressions données et en fonction de la pression à des températures données pour CaCu2Si2 et SrCu2Si2. Côte titre : DPH/0197 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1GMMKAoLM1pyWe0ZzIPzcfg1HYe4V7PF9/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf Étude des propriétés physiques de quelques matériaux cristallins par la méthode PP-PW [texte imprimé] / Reffas , mounir ; Bouhemadou,A, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2017 . - 1 vol. (152 f.). Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : PP-PW DFT Propriétés structurales Pression hydrostatique Constante élastiques. Résumé : Dans le présent travail, nous avons effectué un calcul de premier principe qui est basé sur la théorie fonctionnelle de densité (DFT) et la méthode de pseudopotentiel d’onde plane (PP-PW) sur l’investigation de quelques propriétés physiques fondamentales pour deux systèmes : les deux spinelles SnX2O4 (X = Mg et Zn) et les deux intermétalliques XCu2Si2 (X : Ca et Sr). Pour le système SnX2O4 (X = Mg et Zn), le paramètre du réseau et le paramètre interne calculés sont en bon accord avec les données expérimentales et théoriques disponibles. Les constantes élastiques et leur dépendance de pression sont calculés et présentant une variation linéaire en fonction de la pression. Les modules d’élasticité dans le cas polycristallin sont numériquement estimés en utilisant la méthode de Voigt- Reuss-Hill pour les deux composés étudiés. L’analyse de la structure des bandes électroniques montre que SnMg2O4 et SnZn2O4 ayant un caractère d’un semi-conducteur avec un gap direct (Г- Г). L’analyse des spectres de la densité d’états électronique et le transfert de charge en utilisant l’analyse de Millikan montre que les liaisons chimiques présentent une mixture covalenteionique dans les deux composés étudiés. Les propriétés optiques sont calculées pour un rayonnement allant jusqu'à 40 eV. La constante diélectrique ε1(0) statique et l'indice de réfraction n (0) sont étudiés en fonction de la pression. Nous avons aussi exploré et discuté la variation de quelques paramètres thermodynamiques tels que en fonction de la température à des pressions données et en fonction de la pression à des températures données en utilisant le modèle quasi harmonique de Debye. Concernant le système XCu2Si2 (X : Ca et Sr), les paramètres structuraux d’équilibre calculés sont en bon accord avec les données expérimentales existantes dans la littérature. L'analyse de la structure des bandes électroniques et la densité d’état révèle le caractère d’un métal caractérise les deux composés à étudier et qu’une mixture entre le caractère ionique et le caractère covalent des liaisons chimiques. Les constantes élastiques Cij pour CaCu2Si2 et SrCu2Si2 sont explorées dans une gamme de pression de 0 à 40 GPa. Nous avons calculé certains modules élastiques macroscopiques dans le cas polycristallin pour les composés CaCu2Si2 et SrCu2Si2. Employant le modèle quasi harmonique de Debye, nous avons exploré et discuté la variation de quelques paramètres thermodynamiques en fonction de la température à des pressions données et en fonction de la pression à des températures données pour CaCu2Si2 et SrCu2Si2. Côte titre : DPH/0197 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1GMMKAoLM1pyWe0ZzIPzcfg1HYe4V7PF9/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf

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Etude des propriétés structurelles, électriques et magnétiques des couches minces Ni/Co/Si élaborées par évaporation à effet joule / Talbi, Imane  

Public ISBD Titre : Etude des propriétés structurelles, électriques et magnétiques des couches minces Ni/Co/Si élaborées par évaporation à effet joule Type de document : texte imprimé Auteurs : Talbi, Imane, Auteur ; Reffas , mounir, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2018 Importance : 1 vol (45 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Couches minces Nickel Cobalt Siliciures Résistance carrée Index. décimale : 530 Physique Résumé : Ce travail porte sur l’étude de la formation de siliciures par réaction à l’état solide dans les systèmes Ni/Co/Si(111) Les échantillons sont obtenus par évaporation thermique suivie par des recuits réalisés sous vide dans l’intervalle des températures de 300-800 °C. Pour la caractérisation des échantillons Ni/Co/Si(111) on utilise la diffraction des rayons X , la mesure de la résistivité électrique par la méthode des quatre points , la fluorescence X (XRF), et le magnétomètre à échantillon vibrant (VSM) pour étudier les propriétés magnétiques. Pour le système Ni/Co/Si(111), l’étude permet de remarquer la formation de plusieurs siliciures à différentes températures. . En effet, il est mis en évidence la coexistence des deux phases Ni2Si et Ni3Si à 300 °C, la formation de mono siliciure de cobalt et de nickel NiSi à 600°C, suivi par la formation des binaires riches en silicium NiSi2 et CoSi2 à et l’apparition de la phase ternaire (CoxNi1-x)Si a lieu après recuit effectué à 800°C . Note de contenu : Sommaire Introduction générale……………………………………………………..……………….1 Chapitre 1 : Généralité sur les contacts silicium 1.1. Introduction .......................................................................................................................... 3 1.2. Définition d’une couche mince ............................................................................................ 3 1.3. Formation des siliciures ....................................................................................................... 3 I.4. Les types des siliciures ......................................................................................................... 5 1.6. Cinétique de croissance des siliciures .................................................................................. 6 1.4.1. Cinétique gouvernée par la diffusion ................................................................................ 7 1.4. 2. Cinétique gouvernée par la réaction ................................................................................ 7 1.4.3.Cinétique gouvernée par la nucléation ............................................................................... 8 1.5. Siliciures de cobalt : ............................................................................................................. 8 1.5.1. Formation du siliciure de cobalt ....................................................................................... 9 1.5.2. Diagramme de phase de cobalt-silicium et structures cristallines .................................... 9 1.6. Siliciures de nickel ............................................................................................................. 11 1.6.1. Formation du siliciure de nickel ..................................................................................... 11 1.6.2. Diagramme de phase de nickel-silicium et structures cristallines .................................. 11 1.7. Références bibliographiques .............................................................................................. 14 Chapitre 2 : Méthode de dépôt et techniques de caractérisations. 2.1. Introduction ........................................................................................................................ 15 2.2. Élaboration des échantillons .............................................................................................. 15 2.2.1. Dépôt physique en phase vapeur (PVD) ..................................................................... …15 2.3. Techniques de Caractérisation utilisées ............................................................................. 19 2.3.1. Diffraction des rayons X (DRX) ..................................................................................... 19 2.3.1.1. Principe de la technique ............................................................................................... 19 2.3.1.2. Méthodes de mesure ................................................................................................... .19 2.3.1.3. Recherche et sélection de phase ............................................................................... …20 2.3.1.4. Détermination de la taille des grains (Méthode de Scherrer) ........................................ 21 2.3.2. Fluorescence des rayons X (XRF) ........................................................................... …….23 2.3.2.1. Principe de la technique ................................................................................................. 23 2.3.2.2. Rayons X et fluorescence............................................................................................... 23 2.3.3. La méthode de quatre points ............................................................................................. 24 2.3.4. Magnétomètre à échantillon vibrant – VSM ................................................................ ….25 2.4. Références bibliographiques…………………………...…………………………….…...27 Chapitre 3 : Résultat et discussions 3.1. Introduction .......................................................................................................................... 28 3.2.1. Processus de nettoyage du substrat Si ........................................................................... …28 3.2.3. Recuits thermiques des échantillons (Ni/Co/Si) ............................................................... 29 3.3. Résultats d’analyse du système Ni/Co/Si (111) ................................................................... 30 3.3.1. Caractérisations structurales par diffraction des rayons X ............................................... 30 3.3.1.1. Paramètres de maille ...................................................................................................... 34 3.3.1.2. Détermination de la taille des grains ............................................................................. 35 3.3.2. Spectrométrie de fluorescence X ...................................................................................... 36 3.3. 3. Caractérisations électriques par la méthode des quatre pointes ....................................... 39 3.3.3.1. Mesure électrique ........................................................................................................... 39 3.3.4. Comportement magnétique des films Ni/Co/Si ................................................................ 40 3.3.4.1 Cycle hystérésis .............................................................................................................. 40 3.3.4.2. Étude de paramètres magnétiques……………………………………......................…42 Conclusion générale…………………………………………………….………………...........44 Côte titre : MAPH/0265 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1Z_9dXpt_zhYS8vLtTYiatp-QOlBz9dUO/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf Etude des propriétés structurelles, électriques et magnétiques des couches minces Ni/Co/Si élaborées par évaporation à effet joule [texte imprimé] / Talbi, Imane, Auteur ; Reffas , mounir, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2018 . - 1 vol (45 f .) ; 29 cm. Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Couches minces Nickel Cobalt Siliciures Résistance carrée Index. décimale : 530 Physique Résumé : Ce travail porte sur l’étude de la formation de siliciures par réaction à l’état solide dans les systèmes Ni/Co/Si(111) Les échantillons sont obtenus par évaporation thermique suivie par des recuits réalisés sous vide dans l’intervalle des températures de 300-800 °C. Pour la caractérisation des échantillons Ni/Co/Si(111) on utilise la diffraction des rayons X , la mesure de la résistivité électrique par la méthode des quatre points , la fluorescence X (XRF), et le magnétomètre à échantillon vibrant (VSM) pour étudier les propriétés magnétiques. Pour le système Ni/Co/Si(111), l’étude permet de remarquer la formation de plusieurs siliciures à différentes températures. . En effet, il est mis en évidence la coexistence des deux phases Ni2Si et Ni3Si à 300 °C, la formation de mono siliciure de cobalt et de nickel NiSi à 600°C, suivi par la formation des binaires riches en silicium NiSi2 et CoSi2 à et l’apparition de la phase ternaire (CoxNi1-x)Si a lieu après recuit effectué à 800°C . Note de contenu : Sommaire Introduction générale……………………………………………………..……………….1 Chapitre 1 : Généralité sur les contacts silicium 1.1. Introduction .......................................................................................................................... 3 1.2. Définition d’une couche mince ............................................................................................ 3 1.3. Formation des siliciures ....................................................................................................... 3 I.4. Les types des siliciures ......................................................................................................... 5 1.6. Cinétique de croissance des siliciures .................................................................................. 6 1.4.1. Cinétique gouvernée par la diffusion ................................................................................ 7 1.4. 2. Cinétique gouvernée par la réaction ................................................................................ 7 1.4.3.Cinétique gouvernée par la nucléation ............................................................................... 8 1.5. Siliciures de cobalt : ............................................................................................................. 8 1.5.1. Formation du siliciure de cobalt ....................................................................................... 9 1.5.2. Diagramme de phase de cobalt-silicium et structures cristallines .................................... 9 1.6. Siliciures de nickel ............................................................................................................. 11 1.6.1. Formation du siliciure de nickel ..................................................................................... 11 1.6.2. Diagramme de phase de nickel-silicium et structures cristallines .................................. 11 1.7. Références bibliographiques .............................................................................................. 14 Chapitre 2 : Méthode de dépôt et techniques de caractérisations. 2.1. Introduction ........................................................................................................................ 15 2.2. Élaboration des échantillons .............................................................................................. 15 2.2.1. Dépôt physique en phase vapeur (PVD) ..................................................................... …15 2.3. Techniques de Caractérisation utilisées ............................................................................. 19 2.3.1. Diffraction des rayons X (DRX) ..................................................................................... 19 2.3.1.1. Principe de la technique ............................................................................................... 19 2.3.1.2. Méthodes de mesure ................................................................................................... .19 2.3.1.3. Recherche et sélection de phase ............................................................................... …20 2.3.1.4. Détermination de la taille des grains (Méthode de Scherrer) ........................................ 21 2.3.2. Fluorescence des rayons X (XRF) ........................................................................... …….23 2.3.2.1. Principe de la technique ................................................................................................. 23 2.3.2.2. Rayons X et fluorescence............................................................................................... 23 2.3.3. La méthode de quatre points ............................................................................................. 24 2.3.4. Magnétomètre à échantillon vibrant – VSM ................................................................ ….25 2.4. Références bibliographiques…………………………...…………………………….…...27 Chapitre 3 : Résultat et discussions 3.1. Introduction .......................................................................................................................... 28 3.2.1. Processus de nettoyage du substrat Si ........................................................................... …28 3.2.3. Recuits thermiques des échantillons (Ni/Co/Si) ............................................................... 29 3.3. Résultats d’analyse du système Ni/Co/Si (111) ................................................................... 30 3.3.1. Caractérisations structurales par diffraction des rayons X ............................................... 30 3.3.1.1. Paramètres de maille ...................................................................................................... 34 3.3.1.2. Détermination de la taille des grains ............................................................................. 35 3.3.2. Spectrométrie de fluorescence X ...................................................................................... 36 3.3. 3. Caractérisations électriques par la méthode des quatre pointes ....................................... 39 3.3.3.1. Mesure électrique ........................................................................................................... 39 3.3.4. Comportement magnétique des films Ni/Co/Si ................................................................ 40 3.3.4.1 Cycle hystérésis .............................................................................................................. 40 3.3.4.2. Étude de paramètres magnétiques……………………………………......................…42 Conclusion générale…………………………………………………….………………...........44 Côte titre : MAPH/0265 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1Z_9dXpt_zhYS8vLtTYiatp-QOlBz9dUO/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf

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Etudes de propriétés structurelles, morphologiques, optiques et électriques du ferrites Mgx Ni1-x Fe2O4 / Foudia, Lamis  

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Study of Fundamental Physical Properties of the Cubic Perovskite - BiGaO3- / Abdelkader Ladjadj

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