Titre :	Caractérisation des phases formées dans le système Mo/Si en couches minces
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Abdelhakim Terbouche, ; A Derafa, Directeur de thèse
Année de publication :	2017
Catégories :	Thèses & Mémoires:Physique
Mots-clés :	silicium, molybdène, siliciure, germination, diffusion, diagramme de phase, pulvérisation, recuit, DRX in situ, AFM, Rs Ingénierie des Matériaux
Index. décimale :	530 Physique
Résumé :	Le présent travail porte sur l’étude de formation de siliciures à partir du système Mo/Si(111). Les échantillons sont obtenus par dépôt d’une couche métallique de molybdène par pulvérisation cathodique sur un substrat de silicium monocristallin (100). Pour amorcer la réaction de siliciuration en phase solide, ces échantillons ont subi différents recuits. Nous avons utilisé trois techniques de caractérisation, à savoir, la diffraction des rayons X in situ et ex situ, pour les caractérisations structurales, la mesure de la résistivité in situ et la microscopie à force atomique. Après analyse des résultats obtenus, nous avons observés la formation de la phase MoSi2 de structure hexagonale à environ de 570°C puis la transformation de h-MoSi2 vers la phase tétragonale t-MoSi2 à 790°C. La caractérisation par la méthode de quatre pointes in situ montre une anomalie sur la courbe de la résistivité puis diminue après. Cette anomalie coïncide avec l’apparition de la phase h-MoSi2. Les images AFM nous a permis de constater l’évolution de l’état de la surface de nos échantillons qui devient peut rugueuse en augmentant la température.
Côte titre :	MAPH/0190
En ligne :	https://drive.google.com/file/d/1rnsgv30nO7hAApKbdzBZnwp3WCzZyBlm/view?usp=shari [...]
Format de la ressource électronique :	pdf

Caractérisation des phases formées dans le système Mo/Si en couches minces [texte imprimé] / Abdelhakim Terbouche, ; A Derafa, Directeur de thèse . - 2017.

Catégories :	Thèses & Mémoires:Physique
Mots-clés :	silicium, molybdène, siliciure, germination, diffusion, diagramme de phase, pulvérisation, recuit, DRX in situ, AFM, Rs Ingénierie des Matériaux
Index. décimale :	530 Physique
Résumé :	Le présent travail porte sur l’étude de formation de siliciures à partir du système Mo/Si(111). Les échantillons sont obtenus par dépôt d’une couche métallique de molybdène par pulvérisation cathodique sur un substrat de silicium monocristallin (100). Pour amorcer la réaction de siliciuration en phase solide, ces échantillons ont subi différents recuits. Nous avons utilisé trois techniques de caractérisation, à savoir, la diffraction des rayons X in situ et ex situ, pour les caractérisations structurales, la mesure de la résistivité in situ et la microscopie à force atomique. Après analyse des résultats obtenus, nous avons observés la formation de la phase MoSi2 de structure hexagonale à environ de 570°C puis la transformation de h-MoSi2 vers la phase tétragonale t-MoSi2 à 790°C. La caractérisation par la méthode de quatre pointes in situ montre une anomalie sur la courbe de la résistivité puis diminue après. Cette anomalie coïncide avec l’apparition de la phase h-MoSi2. Les images AFM nous a permis de constater l’évolution de l’état de la surface de nos échantillons qui devient peut rugueuse en augmentant la température.
Côte titre :	MAPH/0190
En ligne :	https://drive.google.com/file/d/1rnsgv30nO7hAApKbdzBZnwp3WCzZyBlm/view?usp=shari [...]
Format de la ressource électronique :	pdf