Titre :	Etude des couches minces d'oxyde de zinc élaborées par pulvérisation
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Loubna Melaab, ; Ammar Mosbah, Directeur de thèse
Année de publication :	2017
Importance :	1 vol (42 f.)
Catégories :	Thèses & Mémoires:Physique
Mots-clés :	films minces ZnO : Al  Pulvérisation magnétron  Température du substrat  oxyde transparent conducteur  Ingénierie des Matériaux
Index. décimale :	530 Physique
Résumé :	L'oxyde de zinc dopé en aluminium (ZnO:Al) a connu une attention particulière comme étant un très bon oxyde transparent conducteur pour des applications photovoltaïques. Dans ce travail, des films ZnO : Al ont été déposés sur des substrats en verre par pulvérisation magnétron en courant continu. L’influence de la température de substrat sur les propriétés structurales, morphologiques, optiques et électriques des films ZnO : Al a été étudiée. Les résultats obtenus indiquent que tous les films ZnO : Al présentent une structure hexagonale avec une orientation préférentielle suivant l'axe c. Les caractérisations morphologiques, optiques et électriques ont révélé que la température du substrat a une forte influence sur la microstructure, les propriétés optiques et électriques des films ZnO : Al. Les films ZnO:Al sont fortement transparent dans la gamme du visible jusqu'à le proche infrarouge avec une transparence moyenne supérieure à 80%. La résistivité minimale atteinte est de 3.0 × 10-5 Ω.cm. Les plus grandes valeurs obtenues de la concentration et de la mobilité des porteurs enregistrées sont 8.55 × 1020 cm-3 et 241.9 cm2/Vs respectivement
Côte titre :	MAPH/0196
En ligne :	https://drive.google.com/file/d/1Yzdf4MQ-9I0PDUXdjrmq2XeYAMz0yt2Z/view?usp=shari [...]
Format de la ressource électronique :	pdf

Etude des couches minces d'oxyde de zinc élaborées par pulvérisation [texte imprimé] / Loubna Melaab, ; Ammar Mosbah, Directeur de thèse . - 2017 . - 1 vol (42 f.).

Catégories :	Thèses & Mémoires:Physique
Mots-clés :	films minces ZnO : Al  Pulvérisation magnétron  Température du substrat  oxyde transparent conducteur  Ingénierie des Matériaux
Index. décimale :	530 Physique
Résumé :	L'oxyde de zinc dopé en aluminium (ZnO:Al) a connu une attention particulière comme étant un très bon oxyde transparent conducteur pour des applications photovoltaïques. Dans ce travail, des films ZnO : Al ont été déposés sur des substrats en verre par pulvérisation magnétron en courant continu. L’influence de la température de substrat sur les propriétés structurales, morphologiques, optiques et électriques des films ZnO : Al a été étudiée. Les résultats obtenus indiquent que tous les films ZnO : Al présentent une structure hexagonale avec une orientation préférentielle suivant l'axe c. Les caractérisations morphologiques, optiques et électriques ont révélé que la température du substrat a une forte influence sur la microstructure, les propriétés optiques et électriques des films ZnO : Al. Les films ZnO:Al sont fortement transparent dans la gamme du visible jusqu'à le proche infrarouge avec une transparence moyenne supérieure à 80%. La résistivité minimale atteinte est de 3.0 × 10-5 Ω.cm. Les plus grandes valeurs obtenues de la concentration et de la mobilité des porteurs enregistrées sont 8.55 × 1020 cm-3 et 241.9 cm2/Vs respectivement
Côte titre :	MAPH/0196
En ligne :	https://drive.google.com/file/d/1Yzdf4MQ-9I0PDUXdjrmq2XeYAMz0yt2Z/view?usp=shari [...]
Format de la ressource électronique :	pdf