Titre :	Evolution des contraintes lors de formation des siliciures de Nikel en couche mince
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Abdenour Sahari,M. ; Tellouche M., Directeur de thèse
Année de publication :	2017
Catégories :	Thèses & Mémoires:Physique
Mots-clés :	Siliciure, films minces, contraintes, champs de déformation, DRX. Ingénierie des Matériaux
Index. décimale :	530 Physique
Résumé :	La réaction entre un film de Ni (50nm) avec le substrat de Si(100) est étudiée par la diffraction des rayons X in situ. Les résultats obtenus montrent que la séquence de formation des phases riches en Ni est simultanée. Le -Ni2Si est le premier siliciure qui se forme suivie par le -Ni2Si ; les deux phases croissent simultanément au dépend du film de Ni. Quand le Ni est complétement consommé le NiSi commence sa croissance au dépend de -Ni2Si. Les modes de croissance de -Ni2Si et -Ni2Si sont déduit, en première approximation, à partir de leur taille des grains. La croissance de -Ni2Si est contrôlée par la diffusion alors que celle de -Ni2Si est contrôlée par la germination et la croissance latérale L'évolution des contraintes dans le film mince est étudiée à partir de l’évolution du champ de déformation lors du recuit isotherme à basse température, ce genre de recuit permet de ralentir les réactions et ainsi figer les phases de courtes durées de vie. Les résultats obtenus sont en concordance avec le modèle de Zhang et d’Heurle. La compétition de deux mécanismes compression et relaxation est mise en évidence : le développement de contraintes en compression dû à la formation d’une nouvelle phase suivis par la relaxation des contraintes du siliciure déjà formé
Côte titre :	MAPH/0200
En ligne :	https://drive.google.com/file/d/1a94W-G7rA7_AHWYf5JxYhltXaamFnM8R/view?usp=shari [...]
Format de la ressource électronique :	pdf

Evolution des contraintes lors de formation des siliciures de Nikel en couche mince [texte imprimé] / Abdenour Sahari,M. ; Tellouche M., Directeur de thèse . - 2017.

Catégories :	Thèses & Mémoires:Physique
Mots-clés :	Siliciure, films minces, contraintes, champs de déformation, DRX. Ingénierie des Matériaux
Index. décimale :	530 Physique
Résumé :	La réaction entre un film de Ni (50nm) avec le substrat de Si(100) est étudiée par la diffraction des rayons X in situ. Les résultats obtenus montrent que la séquence de formation des phases riches en Ni est simultanée. Le -Ni2Si est le premier siliciure qui se forme suivie par le -Ni2Si ; les deux phases croissent simultanément au dépend du film de Ni. Quand le Ni est complétement consommé le NiSi commence sa croissance au dépend de -Ni2Si. Les modes de croissance de -Ni2Si et -Ni2Si sont déduit, en première approximation, à partir de leur taille des grains. La croissance de -Ni2Si est contrôlée par la diffusion alors que celle de -Ni2Si est contrôlée par la germination et la croissance latérale L'évolution des contraintes dans le film mince est étudiée à partir de l’évolution du champ de déformation lors du recuit isotherme à basse température, ce genre de recuit permet de ralentir les réactions et ainsi figer les phases de courtes durées de vie. Les résultats obtenus sont en concordance avec le modèle de Zhang et d’Heurle. La compétition de deux mécanismes compression et relaxation est mise en évidence : le développement de contraintes en compression dû à la formation d’une nouvelle phase suivis par la relaxation des contraintes du siliciure déjà formé
Côte titre :	MAPH/0200
En ligne :	https://drive.google.com/file/d/1a94W-G7rA7_AHWYf5JxYhltXaamFnM8R/view?usp=shari [...]
Format de la ressource électronique :	pdf