University Sétif 1 FERHAT ABBAS Faculty of Sciences
Simulation du profil de concentration atomique après implantation des ions N+ et O+ à faible énergie sur C-Si et étude particulière de la pulvérisation par les ions He+ et Ar+ / Houria Gueddaoui
Simulation du profil de concentration atomique après implantation des ions N+ et O+ à faible énergie sur C-Si et étude particulière de la pulvérisation par les ions He+ et Ar+ [texte imprimé] / Houria Gueddaoui ; O. Benkherourou, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2000 . - 1 vol (61 f .) ; 29 cm.
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Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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MPH/0261 | MPH/0261 | Mémoire | Bibliothéque des sciences | Français | Disponible Disponible |