Titre :	Influence de la résistance série Rs et de la conductance d'oxyde Gox sur les caractéristiques capacité-tension et conductance -tension d'une structure MIS tunnel
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Noureddine Adjeroud ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse
Editeur :	Setif:UFA
Année de publication :	2001
Importance :	1 vol (71 f .)
Format :	29 cm
Catégories :	Thèses & Mémoires:Physique
Mots-clés :	Structure MIS tunnel Extraction des états d'interface Isolant inhomogène
Index. décimale :	530 Physique
Résumé :	Les états d'interface jouent un rô1e capital, le plus souvent néfaste' dans le fonctionnement des dispositifs à semi-conducteur. Aussi s'éfforce-t-on en général de réduire leur densité le plus possible. Pour cela, il faut pouvoir évaluer leur densité' leur répartition dans la bande interdite et, si possible, leurs caractéristiques (section efficace' constante de temps etc.). Cette thèse peut être résumée sous trois chapitres:Dans le premier chapitre,nous avons rappel6 quelques aspects th6oriques concernant les semi-conducteurs et en particulier les structures MIS-MOS. Quelques méthodes de caractérisation électriques de ces structures ont été également présentées' Dans le deuxième chapitre, nous avons présenté un nouveau développé,Pour la représentation de la structure Mls tunnel.Ce considération toutes les grandeurs électriques utilisées séparément antérieurs, en particulier la résistance série et la conductance d'oxyde' Dans le troisième chapitre nous avons étudié les caractéristques capacité-tension d,une structure MIS et f influence de la conductance d'oxyde et de la résistance série sur ces caractéristiques. La dépendance en fréquence de la conductance due aux états d'interface a été aussi étudiée. I1 a été montré que la densité d'états d'interface est fortement influencée par la résistance s6rie. Finalement, nous avons étudié L’effet d'un éventuel bruit dans les caractéristiques c-v et G-V sur la précision de calcul de la densité d'états d'interface ainsi que la constante de temps.
Côte titre :	MPH/0263

Influence de la résistance série Rs et de la conductance d'oxyde Gox sur les caractéristiques capacité-tension et conductance -tension d'une structure MIS tunnel [texte imprimé] / Noureddine Adjeroud ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2001 . - 1 vol (71 f .) ; 29 cm.

Catégories :	Thèses & Mémoires:Physique
Mots-clés :	Structure MIS tunnel Extraction des états d'interface Isolant inhomogène
Index. décimale :	530 Physique
Résumé :	Les états d'interface jouent un rô1e capital, le plus souvent néfaste' dans le fonctionnement des dispositifs à semi-conducteur. Aussi s'éfforce-t-on en général de réduire leur densité le plus possible. Pour cela, il faut pouvoir évaluer leur densité' leur répartition dans la bande interdite et, si possible, leurs caractéristiques (section efficace' constante de temps etc.). Cette thèse peut être résumée sous trois chapitres:Dans le premier chapitre,nous avons rappel6 quelques aspects th6oriques concernant les semi-conducteurs et en particulier les structures MIS-MOS. Quelques méthodes de caractérisation électriques de ces structures ont été également présentées' Dans le deuxième chapitre, nous avons présenté un nouveau développé,Pour la représentation de la structure Mls tunnel.Ce considération toutes les grandeurs électriques utilisées séparément antérieurs, en particulier la résistance série et la conductance d'oxyde' Dans le troisième chapitre nous avons étudié les caractéristques capacité-tension d,une structure MIS et f influence de la conductance d'oxyde et de la résistance série sur ces caractéristiques. La dépendance en fréquence de la conductance due aux états d'interface a été aussi étudiée. I1 a été montré que la densité d'états d'interface est fortement influencée par la résistance s6rie. Finalement, nous avons étudié L’effet d'un éventuel bruit dans les caractéristiques c-v et G-V sur la précision de calcul de la densité d'états d'interface ainsi que la constante de temps.
Côte titre :	MPH/0263