Effet de l’implantation ionique de silicium sur la diffusion des atomes de Nickel / Samira Saadoun  

Public ISBD Titre : Effet de l’implantation ionique de silicium sur la diffusion des atomes de Nickel Type de document : texte imprimé Auteurs : Samira Saadoun ; Achour Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2021 Importance : 1 vol. (35 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Nickel Implantation ionique Rayons X Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le présent travail porte sur l'effet de la présence de l'yttrium, implanter dans le substrat de silicium par implantation ionique avec une dose de 2x1017 Y+/cm2 et une énergie égale à 195 kev, sur la formation des siliciure de nickel. Nous commençons d'abord par l’étude de système binaire Ni(50nm)/Si(100) lors des différents traitement thermiques. par la suite nous avons étudies le système Ni(50nm)/SiY(2x1017Y+/cm2)/(111) Nous avons utilisé la diffraction des rayons X in situ pour la caractérisation structurales et à l’étude de croissance et consommation de Ni dans le Si. Les résultats obtenus par DRX montrent que l'implantation de l'yttrium dans le substrat de silicium a une infuence sur la formation des siliciures de nickel. Côte titre : MAPH/0468 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1GIkavqzO7wqEo17MOfCBDwpPgyL8m3nH/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf Effet de l’implantation ionique de silicium sur la diffusion des atomes de Nickel [texte imprimé] / Samira Saadoun ; Achour Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2021 . - 1 vol. (35 f.) ; 29 cm. Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Nickel Implantation ionique Rayons X Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le présent travail porte sur l'effet de la présence de l'yttrium, implanter dans le substrat de silicium par implantation ionique avec une dose de 2x1017 Y+/cm2 et une énergie égale à 195 kev, sur la formation des siliciure de nickel. Nous commençons d'abord par l’étude de système binaire Ni(50nm)/Si(100) lors des différents traitement thermiques. par la suite nous avons étudies le système Ni(50nm)/SiY(2x1017Y+/cm2)/(111) Nous avons utilisé la diffraction des rayons X in situ pour la caractérisation structurales et à l’étude de croissance et consommation de Ni dans le Si. Les résultats obtenus par DRX montrent que l'implantation de l'yttrium dans le substrat de silicium a une infuence sur la formation des siliciures de nickel. Côte titre : MAPH/0468 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1GIkavqzO7wqEo17MOfCBDwpPgyL8m3nH/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf

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Etude du contact entre métal de transition et silicium monocristallin : effet des éléments d'alliage / HADJI, Souad

Public ISBD Titre : Etude du contact entre métal de transition et silicium monocristallin : effet des éléments d'alliage Type de document : texte imprimé Auteurs : HADJI, Souad ; Achour Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2013 Importance : 1 vol (42 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Ingénierie des Matériaux Contact entre métal Transition Silicium monocristallin Eléments d'alliage Index. décimale : 530 Physique Côte titre : MAPH/0017-0018 Etude du contact entre métal de transition et silicium monocristallin : effet des éléments d'alliage [texte imprimé] / HADJI, Souad ; Achour Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2013 . - 1 vol (42 f.) ; 29 cm. Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Ingénierie des Matériaux Contact entre métal Transition Silicium monocristallin Eléments d'alliage Index. décimale : 530 Physique Côte titre : MAPH/0017-0018

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Etude des domaines de stabilité des phases à l’état solide du système Ni Mo Si / Mokrani ,Nadjet  

Public ISBD Titre : Etude des domaines de stabilité des phases à l’état solide du système Ni Mo Si Type de document : texte imprimé Auteurs : Mokrani ,Nadjet, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2020 Importance : 1 vol (39 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique des Matériaux Index. décimale : 530 - Physique Résumé : Dans ce travail, l'effet du Mo comme troisième élément sur la séquence et la formation du siliciure de Ni dans le système Ni (Mo) / Si (100) sont étudiés. La diffraction des rayons X, et résistivité quatre pointes ont été utilisées pour étudier la séquence des phases, la cinétique, la stabilité des intervalles des siliciures et la résistivité à basse température. Les mesures DRX montrent que la présence de l'élément Mo dans la formation de siliciure de Ni entraîne la formation de -Ni2Si et NiSi, et indiquent un changement de séquence de phase. La phase NiSi apparaît en fin de consommation de Ni en même temps que la formation de la phase δ-Ni2Si. La température de formation de la phase NiSi2 est retardée à haute température dans le cas d'une couche intermédiaire jusqu'à 2nm Mo ou jusqu'à 5% d'alliage Mo. Les mesures Rs confirment la formation d'une phase faiblement résistive. Cependant, l'ajout de 5nm Mo, comme couche intermédiaire, conduit à la suppression de toute la phase riche en Ni. À haute température, la DRX montre que la formation de phases MoSi2 a une structure hexagonale dans tous les échantillons d'intercalaire Mo ou d'alliage Mo. Côte titre : MAPH/0366 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1dL8zCSiHKHGOEroCLxgcr1yZEZLyjD17/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf Etude des domaines de stabilité des phases à l’état solide du système Ni Mo Si [texte imprimé] / Mokrani ,Nadjet, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2020 . - 1 vol (39 f .) ; 29 cm. Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique des Matériaux Index. décimale : 530 - Physique Résumé : Dans ce travail, l'effet du Mo comme troisième élément sur la séquence et la formation du siliciure de Ni dans le système Ni (Mo) / Si (100) sont étudiés. La diffraction des rayons X, et résistivité quatre pointes ont été utilisées pour étudier la séquence des phases, la cinétique, la stabilité des intervalles des siliciures et la résistivité à basse température. Les mesures DRX montrent que la présence de l'élément Mo dans la formation de siliciure de Ni entraîne la formation de -Ni2Si et NiSi, et indiquent un changement de séquence de phase. La phase NiSi apparaît en fin de consommation de Ni en même temps que la formation de la phase δ-Ni2Si. La température de formation de la phase NiSi2 est retardée à haute température dans le cas d'une couche intermédiaire jusqu'à 2nm Mo ou jusqu'à 5% d'alliage Mo. Les mesures Rs confirment la formation d'une phase faiblement résistive. Cependant, l'ajout de 5nm Mo, comme couche intermédiaire, conduit à la suppression de toute la phase riche en Ni. À haute température, la DRX montre que la formation de phases MoSi2 a une structure hexagonale dans tous les échantillons d'intercalaire Mo ou d'alliage Mo. Côte titre : MAPH/0366 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1dL8zCSiHKHGOEroCLxgcr1yZEZLyjD17/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf

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Etude de formation des siliciures de Ni en présence du W comme barrière de diffusion / Benathmane,Halima  

Public ISBD Titre : Etude de formation des siliciures de Ni en présence du W comme barrière de diffusion Type de document : texte imprimé Auteurs : Benathmane,Halima, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2019 Importance : 1 vol (50 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Siliciures Intercouche Nickel Tungstène Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce travail est d’étudier l’effet de W en intercouche avec le nickel Ni(50nm)/W(1nm)/Si(100) sur la séquence et la stabilité de formation des siliciures de nickel, lors des différent traitements thermiques. Nous avons utilisé les techniques de caractérisations suivantes : la diffraction des rayons X, les mesures de résistivité par la méthode des 4 pointes, microscopie électronique à balayage (MEB), analyse dispersion d’énergie des rayons X (EDX) et la microscopie à force atomique (AFM). Les résultats obtenus montrent la stabilité thermique et morphologique de la phase NiSi par l’ajoute de W et la formation de WSi2 à la surface Note de contenu : Sommaire Introduction générale .................................................................................................................. 1 I.1. Formation des siliciures ....................................................................................................... 2 I.1.1. La germination .............................................................................................................. 3 I.1.2. La diffusion réactive ...................................................................................................... 4 I.2. Le système nickel/silicium ................................................................................................... 5 I.2.1. Diagramme de phase Ni/Si ............................................................................................ 5 I.2.2. Formation des siliciures de nickel en films minces ....................................................... 6 I.2.3. Intérêt de la siliciuration ................................................................................................ 8 I.2.4. Dégradation du NiSi à haute température ..................................................................... 8 a) Formation de NiSi2 ...................................................................................................... 8 b) Les enjeux de la stabilité morphologique de la couche de NiSi .................................. 9 I.3. Barrière à la diffusion de nickel ........................................................................................... 9 I.4. Application de NiSi dans l’industrie .................................................................................. 10 I.4.1. Principe de fonctionnement du transistor .................................................................... 10 Chapitre II : Techniques expérimentales utilisées II.1. Technique d’élaboration des couches minces................................................................... 12 II.1.1. Principe de la pulvérisation cathodique .................................................................... 12 II.1.2. Préparation des substrats ............................................................................................ 13 II.1.3. Dépôts des échantillons .............................................................................................. 13 II.1.4. Recuit thermique rapide ............................................................................................. 13 II.2. Techniques de caractérisations ......................................................................................... 14 II.2.1. Diffraction des rayons X (DRX) ................................................................................ 14 II.2.2. Mesure de la résistance de couche (Rs) : la méthode de 4 pointes ........................... 15 II.2.3. Microscopie électronique à balayage (MEB) et microanalyse (EDX) ...................... 16 II.2.3.1. Microscopie électronique à balayage (MEB) ...................................................... 16 II.2.4. Microscopie à force atomique (AFM) ....................................................................... 17 Chapitre III : Résultats et interprétations III.1. Analyse structurale par DRX .......................................................................................... 18 III.2: Mesure de résistivité surfacique Rs ................................................................................. 26 III.3: Etude de morphologie par MEB et analyse par EDX ..................................................... 28 III.4. Analyse par microscopie à force atomique (AFM) ......................................................... 31 Conclusion générale ................................................................................................................. 33 Annexe Références Côte titre : MAPH/0320 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1o55pXUTu4XRUwAuvlD_f1YQaGfE8B8Nw/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf Etude de formation des siliciures de Ni en présence du W comme barrière de diffusion [texte imprimé] / Benathmane,Halima, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (50 f .) ; 29 cm. Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Siliciures Intercouche Nickel Tungstène Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce travail est d’étudier l’effet de W en intercouche avec le nickel Ni(50nm)/W(1nm)/Si(100) sur la séquence et la stabilité de formation des siliciures de nickel, lors des différent traitements thermiques. Nous avons utilisé les techniques de caractérisations suivantes : la diffraction des rayons X, les mesures de résistivité par la méthode des 4 pointes, microscopie électronique à balayage (MEB), analyse dispersion d’énergie des rayons X (EDX) et la microscopie à force atomique (AFM). Les résultats obtenus montrent la stabilité thermique et morphologique de la phase NiSi par l’ajoute de W et la formation de WSi2 à la surface Note de contenu : Sommaire Introduction générale .................................................................................................................. 1 I.1. Formation des siliciures ....................................................................................................... 2 I.1.1. La germination .............................................................................................................. 3 I.1.2. La diffusion réactive ...................................................................................................... 4 I.2. Le système nickel/silicium ................................................................................................... 5 I.2.1. Diagramme de phase Ni/Si ............................................................................................ 5 I.2.2. Formation des siliciures de nickel en films minces ....................................................... 6 I.2.3. Intérêt de la siliciuration ................................................................................................ 8 I.2.4. Dégradation du NiSi à haute température ..................................................................... 8 a) Formation de NiSi2 ...................................................................................................... 8 b) Les enjeux de la stabilité morphologique de la couche de NiSi .................................. 9 I.3. Barrière à la diffusion de nickel ........................................................................................... 9 I.4. Application de NiSi dans l’industrie .................................................................................. 10 I.4.1. Principe de fonctionnement du transistor .................................................................... 10 Chapitre II : Techniques expérimentales utilisées II.1. Technique d’élaboration des couches minces................................................................... 12 II.1.1. Principe de la pulvérisation cathodique .................................................................... 12 II.1.2. Préparation des substrats ............................................................................................ 13 II.1.3. Dépôts des échantillons .............................................................................................. 13 II.1.4. Recuit thermique rapide ............................................................................................. 13 II.2. Techniques de caractérisations ......................................................................................... 14 II.2.1. Diffraction des rayons X (DRX) ................................................................................ 14 II.2.2. Mesure de la résistance de couche (Rs) : la méthode de 4 pointes ........................... 15 II.2.3. Microscopie électronique à balayage (MEB) et microanalyse (EDX) ...................... 16 II.2.3.1. Microscopie électronique à balayage (MEB) ...................................................... 16 II.2.4. Microscopie à force atomique (AFM) ....................................................................... 17 Chapitre III : Résultats et interprétations III.1. Analyse structurale par DRX .......................................................................................... 18 III.2: Mesure de résistivité surfacique Rs ................................................................................. 26 III.3: Etude de morphologie par MEB et analyse par EDX ..................................................... 28 III.4. Analyse par microscopie à force atomique (AFM) ......................................................... 31 Conclusion générale ................................................................................................................. 33 Annexe Références Côte titre : MAPH/0320 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1o55pXUTu4XRUwAuvlD_f1YQaGfE8B8Nw/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf

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Etude de formation des siliciures de Tungstène à haute température / Djebabra ,Hakima  

Public ISBD Titre : Etude de formation des siliciures de Tungstène à haute température Type de document : texte imprimé Auteurs : Djebabra ,Hakima, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2020 Importance : 1 vol (20 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Silicium Tungstène Siliciure Germination Index. décimale : 530 - Physique Résumé : Le but de ce travail est d’étudier de formation de siliciures à partir du système W/Si(100). Les échantillons sont obtenus par dépôt d’une couche métallique de tungstène par pulvérisation sur un substrat de silicium monocristallin pour initier la réaction de siliciuration en phase solide, ces échantillons ont subi différents recuit. Nous avons utilisé les techniques des caractérisations suivantes : la diffraction des rayons X pour les caractérisations structurales, la mesure de la résistivité et la microscopie électronique à balayage, microanalyse et microscopie à force atomique. En raison du confinement, nous n’avons pas effectué les analyses MEB, EDX, AFM et mesure de résistivité. Après l'analyse des résultats obtenus, nous avons observé la formation de la phase WSi2 de la structure tétragonale à environ 700 ° C et est restée stable même lorsque la température a été élevée jusqu'à 900 ° C. Côte titre : MAPH/0365 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1X8q_qoQHsY_myn6l5c1CoHpVMJxWPnjF/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf Etude de formation des siliciures de Tungstène à haute température [texte imprimé] / Djebabra ,Hakima, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2020 . - 1 vol (20 f .) ; 29 cm. Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Silicium Tungstène Siliciure Germination Index. décimale : 530 - Physique Résumé : Le but de ce travail est d’étudier de formation de siliciures à partir du système W/Si(100). Les échantillons sont obtenus par dépôt d’une couche métallique de tungstène par pulvérisation sur un substrat de silicium monocristallin pour initier la réaction de siliciuration en phase solide, ces échantillons ont subi différents recuit. Nous avons utilisé les techniques des caractérisations suivantes : la diffraction des rayons X pour les caractérisations structurales, la mesure de la résistivité et la microscopie électronique à balayage, microanalyse et microscopie à force atomique. En raison du confinement, nous n’avons pas effectué les analyses MEB, EDX, AFM et mesure de résistivité. Après l'analyse des résultats obtenus, nous avons observé la formation de la phase WSi2 de la structure tétragonale à environ 700 ° C et est restée stable même lorsque la température a été élevée jusqu'à 900 ° C. Côte titre : MAPH/0365 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1X8q_qoQHsY_myn6l5c1CoHpVMJxWPnjF/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf

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Etude isothermique des siliciures de nickel (50 nm) /si (111 / Bouthaina Ferdi  

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Studies of the thermal stability of the tungsten silicide at different temperatures / Ayoub Henchour

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