Titre :	Etude de formation des siliciures de nickel en presence de l'yttrium
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Sayah, Fares, Auteur ; A Derafa, Directeur de thèse
Editeur :	Setif:UFA
Année de publication :	2018
Importance :	1 vol (30 f .)
Format :	29 cm
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Thèses & Mémoires:Informatique
Mots-clés :	Terre rares Siliciures Implantation ionique yttrium DRX
Index. décimale :	004 - Informatique
Résumé :	Le présent travail porte sur l’effet présence de l’yttrium, implanter dans le substrat de silicium par implantation ionique avec une dose de 2x1017Y+/cm2 et une énergie égale à 195keV, sur la formation des siliciures de nickel. Nous commençons d’abord par l’étude de système binaire Ni(50nm)/Si(100) lors des différents traitements thermiques. Par la suite nous avons étudies le système Ni(50nm)/Y(2x1017Y+/cm2)/Si(100). Nous avons utilisé la diffraction des rayons X pour la caractérisation structurales, microstructurale et à l’étude de la croissance etconsommation de Ni dans le Si. Les résultats obtenus par DRX montrent que l’implantation d'yttrium dans le substrat de silicium a une influence sur la formation des siliciures de nickel.
Note de contenu :	Sommaire Introduction générale ………………………………………………………………….. 1 Chapitre I : Généralités sur les réactions métal/silicium I.1. Introduction………………………………………………………………………... 2 I.2. Formation des siliciures……………………………………………………………. 2 I.2.1. La germination………………………………………………………………. 3 I.2.2. La diffusion réactive………………………………………………………… 4 I.3. Propriétés des siliciures de nickel………………………………………………….. 5 I.3.1. Le diagramme de phase Ni-Si……………………………………………… 5 I.3.2. Formation des siliciures de nickel en films minces………………………… 6 I.3.3. Dégradation du NiSi à haute température…………………………………… 8 I.3.3.a. Formation de NiSi2………………………………………………….. 8 I.3.3.b. L'agglomération du NiSi…………………………………………… 8 I.4. Application de NiSi dans l’industrie………………………………………………. 9 I.4.1. Constitution d’un MOSFET et représentation symbolique…………………. 9 I.4.2. Principe de fonctionnement du Transistor..…………………………………. 9 I.4.3. Technologie ‘’saliciure ‘’ en micro-électronique…………………………… 10 I.5. Elément d’alliage et barrière de diffusion de nickel………………………………. 12 Chapitre II : Techniques expérimentale utilisées II.1. Introduction………………………………………………………………………. 13 II.2. Technique d’élaboration des couches minces……………………………………. 13 II.2.1. Nettoyage du substrat……………………………………………………… 13 II.2.2. Pulvérisation cathodique…………………………………………………... 13 II.2.2.1. Principe de pulvérisation cathodique…………………………….. 13 II.2.2.2. Présentation du dispositif expérimental…………………………. 15 II.2.3. Recuits thermiques rapides……………………………………………….. 16 II.2.4. L'implantation ionique……………………………………………………. 17 II.2.4.1. Principe de l'implantation ionique………………………………... 17 II.2.4.2. L’implanteur ionique……………………………………………... 17 II.2.4.3. Ralentissement et arrêt des ions dans un matériau………………. 18 a) Collisions élastiques…………………………………………. 18 b) Collisions inélastiques……………………………………….. 18 II.2.4.4. Simulation des trajectoires de particules………………………… 19 II.3. Technique de caractérisation……………………………………………………… 20 II.3.1. Diffraction du rayon X…………………………………………………….. 20 II.3.2. Dispositif experimental……………………………………………………. 23 Chapitre III : Résultats expérimentaux et interprétation III.1. Analyse structurale par diffraction des rayons X (DRX)………………………… 24 III. 1.1. Systèmes Ni(50nm) /Si (100) (référence)……………………………….. 24 III.1.2. Etude de la cinétique de consommation nickel dans le silicium…………. 27 III.1.3. Systèmes Y-Si(111)………………………………………………………. 28 III.1.4. Systèmes Ni(50nm) /Y-Si (111)………………………………………….. 28 Conclusion générale……………………………………………………………………. 31 Annexe ………………………………………………………………………………… 32 Références………………………………………………………………………………
Côte titre :	MAPH/0296

Etude de formation des siliciures de nickel en presence de l'yttrium [texte imprimé] / Sayah, Fares, Auteur ; A Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2018 . - 1 vol (30 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)

Catégories :	Thèses & Mémoires:Informatique
Mots-clés :	Terre rares Siliciures Implantation ionique yttrium DRX
Index. décimale :	004 - Informatique
Résumé :	Le présent travail porte sur l’effet présence de l’yttrium, implanter dans le substrat de silicium par implantation ionique avec une dose de 2x1017Y+/cm2 et une énergie égale à 195keV, sur la formation des siliciures de nickel. Nous commençons d’abord par l’étude de système binaire Ni(50nm)/Si(100) lors des différents traitements thermiques. Par la suite nous avons étudies le système Ni(50nm)/Y(2x1017Y+/cm2)/Si(100). Nous avons utilisé la diffraction des rayons X pour la caractérisation structurales, microstructurale et à l’étude de la croissance etconsommation de Ni dans le Si. Les résultats obtenus par DRX montrent que l’implantation d'yttrium dans le substrat de silicium a une influence sur la formation des siliciures de nickel.
Note de contenu :	Sommaire Introduction générale ………………………………………………………………….. 1 Chapitre I : Généralités sur les réactions métal/silicium I.1. Introduction………………………………………………………………………... 2 I.2. Formation des siliciures……………………………………………………………. 2 I.2.1. La germination………………………………………………………………. 3 I.2.2. La diffusion réactive………………………………………………………… 4 I.3. Propriétés des siliciures de nickel………………………………………………….. 5 I.3.1. Le diagramme de phase Ni-Si……………………………………………… 5 I.3.2. Formation des siliciures de nickel en films minces………………………… 6 I.3.3. Dégradation du NiSi à haute température…………………………………… 8 I.3.3.a. Formation de NiSi2………………………………………………….. 8 I.3.3.b. L'agglomération du NiSi…………………………………………… 8 I.4. Application de NiSi dans l’industrie………………………………………………. 9 I.4.1. Constitution d’un MOSFET et représentation symbolique…………………. 9 I.4.2. Principe de fonctionnement du Transistor..…………………………………. 9 I.4.3. Technologie ‘’saliciure ‘’ en micro-électronique…………………………… 10 I.5. Elément d’alliage et barrière de diffusion de nickel………………………………. 12 Chapitre II : Techniques expérimentale utilisées II.1. Introduction………………………………………………………………………. 13 II.2. Technique d’élaboration des couches minces……………………………………. 13 II.2.1. Nettoyage du substrat……………………………………………………… 13 II.2.2. Pulvérisation cathodique…………………………………………………... 13 II.2.2.1. Principe de pulvérisation cathodique…………………………….. 13 II.2.2.2. Présentation du dispositif expérimental…………………………. 15 II.2.3. Recuits thermiques rapides……………………………………………….. 16 II.2.4. L'implantation ionique……………………………………………………. 17 II.2.4.1. Principe de l'implantation ionique………………………………... 17 II.2.4.2. L’implanteur ionique……………………………………………... 17 II.2.4.3. Ralentissement et arrêt des ions dans un matériau………………. 18 a) Collisions élastiques…………………………………………. 18 b) Collisions inélastiques……………………………………….. 18 II.2.4.4. Simulation des trajectoires de particules………………………… 19 II.3. Technique de caractérisation……………………………………………………… 20 II.3.1. Diffraction du rayon X…………………………………………………….. 20 II.3.2. Dispositif experimental……………………………………………………. 23 Chapitre III : Résultats expérimentaux et interprétation III.1. Analyse structurale par diffraction des rayons X (DRX)………………………… 24 III. 1.1. Systèmes Ni(50nm) /Si (100) (référence)……………………………….. 24 III.1.2. Etude de la cinétique de consommation nickel dans le silicium…………. 27 III.1.3. Systèmes Y-Si(111)………………………………………………………. 28 III.1.4. Systèmes Ni(50nm) /Y-Si (111)………………………………………….. 28 Conclusion générale……………………………………………………………………. 31 Annexe ………………………………………………………………………………… 32 Références………………………………………………………………………………
Côte titre :	MAPH/0296