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Auteur A Derafa |
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Titre : Caractérisation des phases formées dans le système Mo/Si en couches minces Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdelhakim Terbouche, ; A Derafa, Directeur de thèse Année de publication : 2017 Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : silicium, molybdène, siliciure, germination, diffusion, diagramme de phase, pulvérisation, recuit, DRX in situ, AFM, Rs
Ingénierie des MatériauxIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Le présent travail porte sur l’étude de formation de siliciures à partir du système Mo/Si(111). Les échantillons sont obtenus par dépôt d’une couche métallique de molybdène par pulvérisation cathodique sur un substrat de silicium monocristallin (100). Pour amorcer la réaction de siliciuration en phase solide, ces échantillons ont subi différents recuits.
Nous avons utilisé trois techniques de caractérisation, à savoir, la diffraction des rayons X in situ et ex situ, pour les caractérisations structurales, la mesure de la résistivité in situ et la microscopie à force atomique.
Après analyse des résultats obtenus, nous avons observés la formation de la phase MoSi2 de structure hexagonale à environ de 570°C puis la transformation de h-MoSi2 vers la phase tétragonale t-MoSi2 à 790°C. La caractérisation par la méthode de quatre pointes in situ montre une anomalie sur la courbe de la résistivité puis diminue après. Cette anomalie coïncide avec l’apparition de la phase h-MoSi2. Les images AFM nous a permis de constater l’évolution de l’état de la surface de nos échantillons qui devient peut rugueuse en augmentant la température.Côte titre : MAPH/0190 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1rnsgv30nO7hAApKbdzBZnwp3WCzZyBlm/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Caractérisation des phases formées dans le système Mo/Si en couches minces [texte imprimé] / Abdelhakim Terbouche, ; A Derafa, Directeur de thèse . - 2017.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : silicium, molybdène, siliciure, germination, diffusion, diagramme de phase, pulvérisation, recuit, DRX in situ, AFM, Rs
Ingénierie des MatériauxIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Le présent travail porte sur l’étude de formation de siliciures à partir du système Mo/Si(111). Les échantillons sont obtenus par dépôt d’une couche métallique de molybdène par pulvérisation cathodique sur un substrat de silicium monocristallin (100). Pour amorcer la réaction de siliciuration en phase solide, ces échantillons ont subi différents recuits.
Nous avons utilisé trois techniques de caractérisation, à savoir, la diffraction des rayons X in situ et ex situ, pour les caractérisations structurales, la mesure de la résistivité in situ et la microscopie à force atomique.
Après analyse des résultats obtenus, nous avons observés la formation de la phase MoSi2 de structure hexagonale à environ de 570°C puis la transformation de h-MoSi2 vers la phase tétragonale t-MoSi2 à 790°C. La caractérisation par la méthode de quatre pointes in situ montre une anomalie sur la courbe de la résistivité puis diminue après. Cette anomalie coïncide avec l’apparition de la phase h-MoSi2. Les images AFM nous a permis de constater l’évolution de l’état de la surface de nos échantillons qui devient peut rugueuse en augmentant la température.Côte titre : MAPH/0190 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1rnsgv30nO7hAApKbdzBZnwp3WCzZyBlm/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0190 MAPH/0190 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Effet d’une barrière de tungstène sur la stabilité de Ni/Si(100) Type de document : texte imprimé Auteurs : Radhwan Benzenoune ; A Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2014/2015 Importance : 1 vol (28 f.) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Ingénierie des Matériaux Côte titre : MAPH/0117 Effet d’une barrière de tungstène sur la stabilité de Ni/Si(100) [texte imprimé] / Radhwan Benzenoune ; A Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2014/2015 . - 1 vol (28 f.).
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Ingénierie des Matériaux Côte titre : MAPH/0117 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0117 MAPH/0117 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Effet des sandwiches Ni/M/Ni/Si sur la formation des siliciures de nickel Type de document : texte imprimé Auteurs : Ahlem Kolli, ; A Derafa, Directeur de thèse Année de publication : 2017 Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Siliciure, sandwiche, fer, molybdène, NiSi, DRX , spectrocopie Raman, résistivité
surfacique, AFM .Ingénierie des MatériauxIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce travail est d’étudier l’effet de Fe et Mo en sandwiche avec le nickel sur
la séquence, la texture et la stabilité thermique de formation des siliciures de nickel. Nous
commençons d’abord par l’étude de système binaire Ni(50nm)/Si(100), lors des différents
traitements thermiques. Par la suite, nous avons étudiés le système
Ni(25nm)/Fe(2nm)/Ni(25nm)/Si(100) et Ni(25nm)/Mo(2nm)/Ni(25nm)/Si.
Nous avons utilisé quatre techniques de caractérisation, à savoir, la diffraction des
rayons X, La spectroscopie Raman, les mesures de résistivité par la méthode des 4 pointes et
la microscopie à force atomique (AFM).
Les résultats obtenus par DRX, spectroscopie Raman et les mesures de la résistivité
surfacique montrent la stabilité thermique de la phase NiSi par l’ajout de Fe et Mo.
Cependant l’analyse par le microscope à force atomique montre la formation de MoSi2 à la
surface.
Côte titre : MAPH/0194 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1UX3jT0NHVFfn2tlDf83pR22-26CXkK8O/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Effet des sandwiches Ni/M/Ni/Si sur la formation des siliciures de nickel [texte imprimé] / Ahlem Kolli, ; A Derafa, Directeur de thèse . - 2017.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Siliciure, sandwiche, fer, molybdène, NiSi, DRX , spectrocopie Raman, résistivité
surfacique, AFM .Ingénierie des MatériauxIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce travail est d’étudier l’effet de Fe et Mo en sandwiche avec le nickel sur
la séquence, la texture et la stabilité thermique de formation des siliciures de nickel. Nous
commençons d’abord par l’étude de système binaire Ni(50nm)/Si(100), lors des différents
traitements thermiques. Par la suite, nous avons étudiés le système
Ni(25nm)/Fe(2nm)/Ni(25nm)/Si(100) et Ni(25nm)/Mo(2nm)/Ni(25nm)/Si.
Nous avons utilisé quatre techniques de caractérisation, à savoir, la diffraction des
rayons X, La spectroscopie Raman, les mesures de résistivité par la méthode des 4 pointes et
la microscopie à force atomique (AFM).
Les résultats obtenus par DRX, spectroscopie Raman et les mesures de la résistivité
surfacique montrent la stabilité thermique de la phase NiSi par l’ajout de Fe et Mo.
Cependant l’analyse par le microscope à force atomique montre la formation de MoSi2 à la
surface.
Côte titre : MAPH/0194 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1UX3jT0NHVFfn2tlDf83pR22-26CXkK8O/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0194 MAPH/0194 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Etude de formation des siliciures de l’alliage Pd-Ge Type de document : texte imprimé Auteurs : Kadri, Khalissa, Auteur ; A Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2019 Importance : 1 vol (32 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans ce travaille, nous avons étudié la nature des phases qui se forment lors de la réaction du film métallique de Pd10nm/PdGe40nm avec un substrat de silicium subi à un recuit thermique rapide (RTP) déposées par pulvérisation cathodique. Cette étude a été réalisé principalement en utilisant les techniques de caractérisation suivantes : la diffraction des rayons X (DRX), microscopie à force atomique (AFM), microscopie électronique à balayage (MEB), analyse dispersion d’énergie des rayons X (EDX).
Les résultats obtenus par DRX montrent que le traitement thermique à 400°C conduit à la formation des phases Pd2Si et Pd2Ge. Ce qui indique qu’une réaction a consommé totalement le PdGe et a engendré la formation d’autres siliciures plus stables.Note de contenu : Sommaire
Introduction générale .............................................................................................................. 1
Chapitre I : Généralités sur les réactions métal/ silicium
I.1. Introduction ...................................................................................................................... 2
I.2. Formation des siliciures ................................................................................................... 2
I.2.1 La germination ................................................................................................................... 4
I.2.2. Rappel sur la diffusion ...................................................................................................... 5
I.2.3 Cinétique de croissance des siliciures ................................................................................ 5
I.3. Propriétés des siliciures de palladium .............................................................................. 6
I.3.1. Diagramme de phase Pd-Si ............................................................................................... 6
I.3.2. Formation des siliciures de palladium en filme minces .................................................... 7
I.4. Application de PdSi dans l’industrie ................................................................................ 8
I.4.1. Constitution d’un MOSFET .............................................................................................. 8
I.4.2. principe de fonctionnement ............................................................................................... 9
I.4.3. Différents type de construction ....................................................................................... 11
I.4.4. Le procédé SALICIDE : autoalignement du siliciure ..................................................... 11
I.5. Effet des éléments d’alliages sur la siliciuration ............................................................ 13
Chapitre II : Techniques expérimentale utilisées
II.1. Introduction ................................................................................................................... 14
II.2. Techniques d’élaboration des couches minces ............................................................. 14
II.2.1. Nettoyage du substrat .................................................................................................... 14
II.2.2. Pulvérisation cathodique ................................................................................................ 14
II.2.2.1. Principe de pulvérisation cathodique .......................................................................... 14
II.2.2.2. Dispositif expérimental ............................................................................................... 15
II.2.3. Recuit thermique rapide ................................................................................................. 16
II.3. Caractérisation structurale ............................................................................................ 17
II.3.1. Diffraction des rayons X (DRX) ................................................................................... 17
II.3.2. Dispositif de diffraction ................................................................................................. 18
II.4. Caractérisation morphologique ..................................................................................... 20
II.4.1. Microscope à force atomique (AFM) ............................................................................ 20
II.4.2. Microscope électronique à balayage (MEB) ................................................................. 21
II.4.3. Analyse EDX (Energy dispersives (x-ray) spectrometry) ............................................. 22
Chapitre III : Résultats expérimentaux et interprétation
III.1.Introduction .................................................................................................................. 23
III.2 Analyse structurale par diffraction des rayons X (DRX) ............................................. 23
III.2.1. Systèmes Pd10nm/PdGe40nm/Si(100) avant recuit thermique ................................... 23
III.2.2. Systèmes Pd10nm/PdGe40nm/Si(100) après recuit thermique ................................... 25
III.2.3. Paramètres de maille et taille des grains ...................................................................... 27
III.3. Caractérisation morphologique .................................................................................... 29
III.3.1. Microscope à force atomique (AFM) .......................................................................... 29
III.3.2. étude morphologie par MEB et analyse par EDX ........................................................ 30
Conclusion générale ................................................................................................................. 32
Annexes……………………….…………………………………………………………………………………………………………..…….33
Références ................................................................................................................................ 41Côte titre : MAPH/0304 En ligne : https://drive.google.com/file/d/10kawMaRVjI0mrtFl_n9hyjX1u1sQVDbh/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude de formation des siliciures de l’alliage Pd-Ge [texte imprimé] / Kadri, Khalissa, Auteur ; A Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (32 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans ce travaille, nous avons étudié la nature des phases qui se forment lors de la réaction du film métallique de Pd10nm/PdGe40nm avec un substrat de silicium subi à un recuit thermique rapide (RTP) déposées par pulvérisation cathodique. Cette étude a été réalisé principalement en utilisant les techniques de caractérisation suivantes : la diffraction des rayons X (DRX), microscopie à force atomique (AFM), microscopie électronique à balayage (MEB), analyse dispersion d’énergie des rayons X (EDX).
Les résultats obtenus par DRX montrent que le traitement thermique à 400°C conduit à la formation des phases Pd2Si et Pd2Ge. Ce qui indique qu’une réaction a consommé totalement le PdGe et a engendré la formation d’autres siliciures plus stables.Note de contenu : Sommaire
Introduction générale .............................................................................................................. 1
Chapitre I : Généralités sur les réactions métal/ silicium
I.1. Introduction ...................................................................................................................... 2
I.2. Formation des siliciures ................................................................................................... 2
I.2.1 La germination ................................................................................................................... 4
I.2.2. Rappel sur la diffusion ...................................................................................................... 5
I.2.3 Cinétique de croissance des siliciures ................................................................................ 5
I.3. Propriétés des siliciures de palladium .............................................................................. 6
I.3.1. Diagramme de phase Pd-Si ............................................................................................... 6
I.3.2. Formation des siliciures de palladium en filme minces .................................................... 7
I.4. Application de PdSi dans l’industrie ................................................................................ 8
I.4.1. Constitution d’un MOSFET .............................................................................................. 8
I.4.2. principe de fonctionnement ............................................................................................... 9
I.4.3. Différents type de construction ....................................................................................... 11
I.4.4. Le procédé SALICIDE : autoalignement du siliciure ..................................................... 11
I.5. Effet des éléments d’alliages sur la siliciuration ............................................................ 13
Chapitre II : Techniques expérimentale utilisées
II.1. Introduction ................................................................................................................... 14
II.2. Techniques d’élaboration des couches minces ............................................................. 14
II.2.1. Nettoyage du substrat .................................................................................................... 14
II.2.2. Pulvérisation cathodique ................................................................................................ 14
II.2.2.1. Principe de pulvérisation cathodique .......................................................................... 14
II.2.2.2. Dispositif expérimental ............................................................................................... 15
II.2.3. Recuit thermique rapide ................................................................................................. 16
II.3. Caractérisation structurale ............................................................................................ 17
II.3.1. Diffraction des rayons X (DRX) ................................................................................... 17
II.3.2. Dispositif de diffraction ................................................................................................. 18
II.4. Caractérisation morphologique ..................................................................................... 20
II.4.1. Microscope à force atomique (AFM) ............................................................................ 20
II.4.2. Microscope électronique à balayage (MEB) ................................................................. 21
II.4.3. Analyse EDX (Energy dispersives (x-ray) spectrometry) ............................................. 22
Chapitre III : Résultats expérimentaux et interprétation
III.1.Introduction .................................................................................................................. 23
III.2 Analyse structurale par diffraction des rayons X (DRX) ............................................. 23
III.2.1. Systèmes Pd10nm/PdGe40nm/Si(100) avant recuit thermique ................................... 23
III.2.2. Systèmes Pd10nm/PdGe40nm/Si(100) après recuit thermique ................................... 25
III.2.3. Paramètres de maille et taille des grains ...................................................................... 27
III.3. Caractérisation morphologique .................................................................................... 29
III.3.1. Microscope à force atomique (AFM) .......................................................................... 29
III.3.2. étude morphologie par MEB et analyse par EDX ........................................................ 30
Conclusion générale ................................................................................................................. 32
Annexes……………………….…………………………………………………………………………………………………………..…….33
Références ................................................................................................................................ 41Côte titre : MAPH/0304 En ligne : https://drive.google.com/file/d/10kawMaRVjI0mrtFl_n9hyjX1u1sQVDbh/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0304 MAPH/0304 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Etude de formation des siliciures de nickel en presence de l'yttrium Type de document : texte imprimé Auteurs : Sayah, Fares, Auteur ; A Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2018 Importance : 1 vol (30 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Terre rares
Siliciures
Implantation ionique
yttrium
DRXIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Le présent travail porte sur l’effet présence de l’yttrium, implanter dans le substrat de silicium par implantation ionique avec une dose de 2x1017Y+/cm2 et une énergie égale à 195keV, sur la formation des siliciures de nickel. Nous commençons d’abord par l’étude de système binaire Ni(50nm)/Si(100) lors des différents traitements thermiques. Par la suite nous avons étudies le système Ni(50nm)/Y(2x1017Y+/cm2)/Si(100).
Nous avons utilisé la diffraction des rayons X pour la caractérisation structurales, microstructurale et à l’étude de la croissance etconsommation de Ni dans le Si.
Les résultats obtenus par DRX montrent que l’implantation d'yttrium dans le substrat de silicium a une influence sur la formation des siliciures de nickel.Note de contenu :
Sommaire
Introduction générale …………………………………………………………………..1
Chapitre I : Généralités sur les réactions métal/silicium
I.1. Introduction………………………………………………………………………...2
I.2. Formation des siliciures…………………………………………………………….2
I.2.1. La germination……………………………………………………………….3
I.2.2. La diffusion réactive…………………………………………………………4
I.3. Propriétés des siliciures de nickel…………………………………………………..5
I.3.1. Le diagramme de phase Ni-Si………………………………………………5
I.3.2. Formation des siliciures de nickel en films minces…………………………6
I.3.3. Dégradation du NiSi à haute température……………………………………8
I.3.3.a. Formation de NiSi2…………………………………………………..8
I.3.3.b. L'agglomération du NiSi……………………………………………8
I.4. Application de NiSi dans l’industrie……………………………………………….9
I.4.1. Constitution d’un MOSFET et représentation symbolique………………….9
I.4.2. Principe de fonctionnement du Transistor..………………………………….9
I.4.3. Technologie ‘’saliciure ‘’ en micro-électronique……………………………10
I.5. Elément d’alliage et barrière de diffusion de nickel……………………………….12
Chapitre II : Techniques expérimentale utilisées
II.1. Introduction……………………………………………………………………….13
II.2. Technique d’élaboration des couches minces…………………………………….13
II.2.1. Nettoyage du substrat………………………………………………………13
II.2.2. Pulvérisation cathodique…………………………………………………...13
II.2.2.1. Principe de pulvérisation cathodique……………………………..13
II.2.2.2. Présentation du dispositif expérimental………………………….15
II.2.3. Recuits thermiques rapides………………………………………………..
16 II.2.4. L'implantation ionique…………………………………………………….17
II.2.4.1. Principe de l'implantation ionique………………………………...17
II.2.4.2. L’implanteur ionique……………………………………………...17
II.2.4.3. Ralentissement et arrêt des ions dans un matériau……………….18
a) Collisions élastiques………………………………………….18
b) Collisions inélastiques………………………………………..18
II.2.4.4. Simulation des trajectoires de particules…………………………19
II.3. Technique de caractérisation………………………………………………………20
II.3.1. Diffraction du rayon X……………………………………………………..20
II.3.2. Dispositif experimental…………………………………………………….23
Chapitre III : Résultats expérimentaux et interprétation
III.1. Analyse structurale par diffraction des rayons X (DRX)…………………………24
III. 1.1. Systèmes Ni(50nm) /Si (100) (référence)………………………………..24
III.1.2. Etude de la cinétique de consommation nickel dans le silicium………….27
III.1.3. Systèmes Y-Si(111)……………………………………………………….28
III.1.4. Systèmes Ni(50nm) /Y-Si (111)…………………………………………..28
Conclusion générale…………………………………………………………………….31
Annexe …………………………………………………………………………………32
Références………………………………………………………………………………Côte titre : MAPH/0296 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1otWVd2SSeg3tm6EO7Bd9lqLNCdSeI4-a/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude de formation des siliciures de nickel en presence de l'yttrium [texte imprimé] / Sayah, Fares, Auteur ; A Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2018 . - 1 vol (30 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Terre rares
Siliciures
Implantation ionique
yttrium
DRXIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Le présent travail porte sur l’effet présence de l’yttrium, implanter dans le substrat de silicium par implantation ionique avec une dose de 2x1017Y+/cm2 et une énergie égale à 195keV, sur la formation des siliciures de nickel. Nous commençons d’abord par l’étude de système binaire Ni(50nm)/Si(100) lors des différents traitements thermiques. Par la suite nous avons étudies le système Ni(50nm)/Y(2x1017Y+/cm2)/Si(100).
Nous avons utilisé la diffraction des rayons X pour la caractérisation structurales, microstructurale et à l’étude de la croissance etconsommation de Ni dans le Si.
Les résultats obtenus par DRX montrent que l’implantation d'yttrium dans le substrat de silicium a une influence sur la formation des siliciures de nickel.Note de contenu :
Sommaire
Introduction générale …………………………………………………………………..1
Chapitre I : Généralités sur les réactions métal/silicium
I.1. Introduction………………………………………………………………………...2
I.2. Formation des siliciures…………………………………………………………….2
I.2.1. La germination……………………………………………………………….3
I.2.2. La diffusion réactive…………………………………………………………4
I.3. Propriétés des siliciures de nickel…………………………………………………..5
I.3.1. Le diagramme de phase Ni-Si………………………………………………5
I.3.2. Formation des siliciures de nickel en films minces…………………………6
I.3.3. Dégradation du NiSi à haute température……………………………………8
I.3.3.a. Formation de NiSi2…………………………………………………..8
I.3.3.b. L'agglomération du NiSi……………………………………………8
I.4. Application de NiSi dans l’industrie……………………………………………….9
I.4.1. Constitution d’un MOSFET et représentation symbolique………………….9
I.4.2. Principe de fonctionnement du Transistor..………………………………….9
I.4.3. Technologie ‘’saliciure ‘’ en micro-électronique……………………………10
I.5. Elément d’alliage et barrière de diffusion de nickel……………………………….12
Chapitre II : Techniques expérimentale utilisées
II.1. Introduction……………………………………………………………………….13
II.2. Technique d’élaboration des couches minces…………………………………….13
II.2.1. Nettoyage du substrat………………………………………………………13
II.2.2. Pulvérisation cathodique…………………………………………………...13
II.2.2.1. Principe de pulvérisation cathodique……………………………..13
II.2.2.2. Présentation du dispositif expérimental………………………….15
II.2.3. Recuits thermiques rapides………………………………………………..
16 II.2.4. L'implantation ionique…………………………………………………….17
II.2.4.1. Principe de l'implantation ionique………………………………...17
II.2.4.2. L’implanteur ionique……………………………………………...17
II.2.4.3. Ralentissement et arrêt des ions dans un matériau……………….18
a) Collisions élastiques………………………………………….18
b) Collisions inélastiques………………………………………..18
II.2.4.4. Simulation des trajectoires de particules…………………………19
II.3. Technique de caractérisation………………………………………………………20
II.3.1. Diffraction du rayon X……………………………………………………..20
II.3.2. Dispositif experimental…………………………………………………….23
Chapitre III : Résultats expérimentaux et interprétation
III.1. Analyse structurale par diffraction des rayons X (DRX)…………………………24
III. 1.1. Systèmes Ni(50nm) /Si (100) (référence)………………………………..24
III.1.2. Etude de la cinétique de consommation nickel dans le silicium………….27
III.1.3. Systèmes Y-Si(111)……………………………………………………….28
III.1.4. Systèmes Ni(50nm) /Y-Si (111)…………………………………………..28
Conclusion générale…………………………………………………………………….31
Annexe …………………………………………………………………………………32
Références………………………………………………………………………………Côte titre : MAPH/0296 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1otWVd2SSeg3tm6EO7Bd9lqLNCdSeI4-a/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0296 MAPH/0296 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
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