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Auteur Z Ouennoughi |
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Titre : Etudes des composants électroniques (cellules solaires, diodes Schottky) en utilisant les algorithmes génétiques et le langage VHDL AMS Type de document : texte imprimé Auteurs : Sihem Toumi ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2012 Importance : 1 vol (136 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Composants électroniques
Diodes schottky)
Algorithmes genetiques
Langage VHDL AMSIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Dans ce Travail on a étudié les caractéristiques électriques I-V en fonction de la température T des structures Schottky (métal-4H-SiC) et des structures solaires (cellules-modules). Notre caractérisation a pour but d’analyser la distribution spatiale de la barrière de potentiel φB dans les diodes Schottky et de l’énergie de la bande interdite Eg dans les structures solaires. L’analyse de l’inhomogénéité de la barrière φB et de l’énergie Eg est un critère très important pour comprendre le comportement physique des interfaces à semiconducteurs. Une étude comparative est faite pour des structures homogènes. On a adopté comme modèles de travail des outils de caractérisation très puissant tel que la méthode d’optimisation verticale VOM en utilisant la fonction de Lambert W et le modèle de Werner. Dans la première partie de ce travail nous avons utilisé la VOM pour l’extraction des paramètres des diodes Schottky (homogènes et inhomogènes) et des cellules-modules solaires. Dans la deuxième partie de ce travail, nous avons utilisé le modèle de Werner pour expliquer la physique de la barrière de potentiel φB dans les diodes Schottky de puissance à base de carbure de Silicium (Mo/4H-SiC et W/4H-SiC ) et dans les structures solaires à partir des caractéristiques courant-tension en directe, à différents diamètres et à différentes températures. L’effet de l’inhomogénéité sur les performances des structures solaires tel que la tension de circuit ouvert Voc et le courant de court-circuit I sc a été aussi étudié. De meilleurs résultats ont été trouvés pour des caractéristiques (I-V-T) réelles et simulées, ce qui prouve la fiabilité et la puissance de nos programmes exécutés pour l’extraction des paramètres des structures Schottky et des structures solaires. Les résultats trouvés dans ce travail sont en très bon accord avec ceux donnés par la théorie.Côte titre : DPH/0149 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/2045/1/These%20Toumi. [...] Etudes des composants électroniques (cellules solaires, diodes Schottky) en utilisant les algorithmes génétiques et le langage VHDL AMS [texte imprimé] / Sihem Toumi ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2012 . - 1 vol (136 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Composants électroniques
Diodes schottky)
Algorithmes genetiques
Langage VHDL AMSIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Dans ce Travail on a étudié les caractéristiques électriques I-V en fonction de la température T des structures Schottky (métal-4H-SiC) et des structures solaires (cellules-modules). Notre caractérisation a pour but d’analyser la distribution spatiale de la barrière de potentiel φB dans les diodes Schottky et de l’énergie de la bande interdite Eg dans les structures solaires. L’analyse de l’inhomogénéité de la barrière φB et de l’énergie Eg est un critère très important pour comprendre le comportement physique des interfaces à semiconducteurs. Une étude comparative est faite pour des structures homogènes. On a adopté comme modèles de travail des outils de caractérisation très puissant tel que la méthode d’optimisation verticale VOM en utilisant la fonction de Lambert W et le modèle de Werner. Dans la première partie de ce travail nous avons utilisé la VOM pour l’extraction des paramètres des diodes Schottky (homogènes et inhomogènes) et des cellules-modules solaires. Dans la deuxième partie de ce travail, nous avons utilisé le modèle de Werner pour expliquer la physique de la barrière de potentiel φB dans les diodes Schottky de puissance à base de carbure de Silicium (Mo/4H-SiC et W/4H-SiC ) et dans les structures solaires à partir des caractéristiques courant-tension en directe, à différents diamètres et à différentes températures. L’effet de l’inhomogénéité sur les performances des structures solaires tel que la tension de circuit ouvert Voc et le courant de court-circuit I sc a été aussi étudié. De meilleurs résultats ont été trouvés pour des caractéristiques (I-V-T) réelles et simulées, ce qui prouve la fiabilité et la puissance de nos programmes exécutés pour l’extraction des paramètres des structures Schottky et des structures solaires. Les résultats trouvés dans ce travail sont en très bon accord avec ceux donnés par la théorie.Côte titre : DPH/0149 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/2045/1/These%20Toumi. [...] Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0149 DPH/0149 Thèse Bibliothéque des sciences Anglais Disponible
Disponible
Titre : Fowler-Nordheim Current and Surface Potential in MOS Structures Classical and Quantum Approximations Type de document : texte imprimé Auteurs : Benimeur,Houda, Auteur ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2019 Importance : 1 vol (38 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Theoretical physics Index. décimale : 530 Physique Résumé :
L’étude des dispositifs à semi-conducteurs repose sur deux méthodes principales: la simulation numérique et l’étude théorique.
Dans ce travail, nous développerons une tension de capacité C-V et une tension de courant I-V classique ainsi qu'un modèle quantique quasi statique d'une structure ultra-fine métal-oxyde-semi-conducteur (MOS) ultra-mince basée sur la solution autocohérente de l'équation de Schroïdinger et de Piosson.
Il est judicieux d’étudier d’abord les structures et les caractéristiques des dispositifs MOS et MOSFET concernés par cette analyse et d’établir un modèle théorique d’approximation analytique du potentiel de surface tenant compte des effets quantiques et mécaniques.
Ensuite, une formule générale pour une capacité de condensateur MOS est démontrée à la fois pour les cas de basses et hautes fréquences.
Dans le dernier chapitre, nous étudierons l’effet tunnel du MOS en déduisant l’expression de la densité de courant F-N avec la formule générale de la densité de courant utilisant le coefficient de transmission déduit de la méthode de WKB dans un potentiel triangulaire.
Ensuite, une nouvelle formule analytique pour la dépendance de la température actuelle F-N est dérivée de l'expression exacte utilisant l'expansion de Sommerfeld.
Les thèmes clés sont les concepts de MOS, tension de grille, potentiel de surface, tension de capacité, tension de courant, courant de Fowler Nordheim et autres caractéristiquesNote de contenu :
Sommaire
Table of Contents
 Acknowledgements…………………………………………...……………………………………………….
 Dedication…………………………………………………………………………………………………………
 Abstract…………………………………………………………………………………………………………….
 ملخص ……………………………….………………………………………………………………………………..
 List of Abbreviations………………………………………………………………………………………….
ï‚· Chapter One: General Introduction and Fundamental Concepts
 I.General Introduction…………………………………………………………………………..……..…. 1
 II.Fundamental Concepts………………………………………………………………….…….…..…….1
 1.Metal…………………………………………………………………………………………………………….1
 2.Oxide……………………………………………………………………………………………………………1
 3.A semiconductor ……………………………………………………………………………..…….……..2
 3.1.Intrinsic (pure) Semiconductors………………………………………………………..…..……2
 3.2.Extrinsic (impure) Semiconductors…………………………………………………………..…2
 4.Sorts of semiconductor according to addition of impurities………………………..…..2
 4.1.n-type semiconductor……………………………………………………………………………..….2
 4.2.p-type semiconductor………………………………………………………………………..….……3
 5.The MOS structure……………………………………………………………………………………...…3  6.The idea MOS……………………………………………………………………………………..……..…..4
 7.The Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor……..……………..…..……..…4
 8.Definition of Potentials ………………………………..…………………….…..…5
 9.The energy band diagrams of an MOScapacitor……………….…………….……6
 10.Region of operations………………………..………………………..………...….8
 10.1.Accumulation……………………………………………………..……..………8
 10.2.Depletion……………………………………………………………….….….…8
 10.3.Inversion……………………………………………………………………...…9
 11.Current in the MOS………………………………………………………………………………….…..9
ï‚· Chapter Two: Surface Potential and Metal Oxide Semiconductor Capacitor at Low and at High Frequencies
 1.INTRODUCTION …………………………………………………………………11
 2.SOME NOTIONS…………………………………………………………………..11
 2.1.Surface Potential ………………………………………………………….……..11
 2.2.The n-channel MOSFET…………………………………………………….……11
 2.3.The short-channel effects…………………………………………………….…...12
 3.THE MODELING DESCRIPTION…………………………………………….…..12
 3.1.Condition of quantization ……………………………………………………..….15
 3.2.Development of Analytical Approximation for the Surface Potential …………..16
 4.Calculation of low frequency Capacitance of a MOS Structure…………….……...19
 4.1.The oxide capacitance…………………………………………………………….20
 4.2.Low Frequency capacitance………………………………………………………20
 5. Calculation of High frequency Capacitance of a MOS Structure………….………23
ï‚· ChapterThree: Fowler-Nordheim Tunneling Current in the MOS structure
 1.Introduction…………………………………………………………………..……..27
 2.Schroïdinger Equation……………………………………………………….……...27
 3.WKB Approximation………………..……………………………………….……..27
 4.Coefficient of Transmission…………………………………………………..…….27
 5.Triangle Barrier………………………………………………………………..……28
 6.Fowler-Nordheim Current Density…………………………………………………28
 6.1.Equation F-N Current Density with Exponential and Pre-exponential Coefficients…………………………………………………………………………...28
 6.2.Equation F-N Current Density depent en temperature……………………………34
 APPENDIX I….. ……………………………………………………………………..36
 APPENDIX II………………….……………………………………………………..37
 Conclusion……………………………………………………………………………38
ï‚· Lisr of references……………………………………..………………………………39Côte titre : MAPH/0329 Fowler-Nordheim Current and Surface Potential in MOS Structures Classical and Quantum Approximations [texte imprimé] / Benimeur,Houda, Auteur ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (38 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Theoretical physics Index. décimale : 530 Physique Résumé :
L’étude des dispositifs à semi-conducteurs repose sur deux méthodes principales: la simulation numérique et l’étude théorique.
Dans ce travail, nous développerons une tension de capacité C-V et une tension de courant I-V classique ainsi qu'un modèle quantique quasi statique d'une structure ultra-fine métal-oxyde-semi-conducteur (MOS) ultra-mince basée sur la solution autocohérente de l'équation de Schroïdinger et de Piosson.
Il est judicieux d’étudier d’abord les structures et les caractéristiques des dispositifs MOS et MOSFET concernés par cette analyse et d’établir un modèle théorique d’approximation analytique du potentiel de surface tenant compte des effets quantiques et mécaniques.
Ensuite, une formule générale pour une capacité de condensateur MOS est démontrée à la fois pour les cas de basses et hautes fréquences.
Dans le dernier chapitre, nous étudierons l’effet tunnel du MOS en déduisant l’expression de la densité de courant F-N avec la formule générale de la densité de courant utilisant le coefficient de transmission déduit de la méthode de WKB dans un potentiel triangulaire.
Ensuite, une nouvelle formule analytique pour la dépendance de la température actuelle F-N est dérivée de l'expression exacte utilisant l'expansion de Sommerfeld.
Les thèmes clés sont les concepts de MOS, tension de grille, potentiel de surface, tension de capacité, tension de courant, courant de Fowler Nordheim et autres caractéristiquesNote de contenu :
Sommaire
Table of Contents
 Acknowledgements…………………………………………...……………………………………………….
 Dedication…………………………………………………………………………………………………………
 Abstract…………………………………………………………………………………………………………….
 ملخص ……………………………….………………………………………………………………………………..
 List of Abbreviations………………………………………………………………………………………….
ï‚· Chapter One: General Introduction and Fundamental Concepts
 I.General Introduction…………………………………………………………………………..……..…. 1
 II.Fundamental Concepts………………………………………………………………….…….…..…….1
 1.Metal…………………………………………………………………………………………………………….1
 2.Oxide……………………………………………………………………………………………………………1
 3.A semiconductor ……………………………………………………………………………..…….……..2
 3.1.Intrinsic (pure) Semiconductors………………………………………………………..…..……2
 3.2.Extrinsic (impure) Semiconductors…………………………………………………………..…2
 4.Sorts of semiconductor according to addition of impurities………………………..…..2
 4.1.n-type semiconductor……………………………………………………………………………..….2
 4.2.p-type semiconductor………………………………………………………………………..….……3
 5.The MOS structure……………………………………………………………………………………...…3  6.The idea MOS……………………………………………………………………………………..……..…..4
 7.The Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor……..……………..…..……..…4
 8.Definition of Potentials ………………………………..…………………….…..…5
 9.The energy band diagrams of an MOScapacitor……………….…………….……6
 10.Region of operations………………………..………………………..………...….8
 10.1.Accumulation……………………………………………………..……..………8
 10.2.Depletion……………………………………………………………….….….…8
 10.3.Inversion……………………………………………………………………...…9
 11.Current in the MOS………………………………………………………………………………….…..9
ï‚· Chapter Two: Surface Potential and Metal Oxide Semiconductor Capacitor at Low and at High Frequencies
 1.INTRODUCTION …………………………………………………………………11
 2.SOME NOTIONS…………………………………………………………………..11
 2.1.Surface Potential ………………………………………………………….……..11
 2.2.The n-channel MOSFET…………………………………………………….……11
 2.3.The short-channel effects…………………………………………………….…...12
 3.THE MODELING DESCRIPTION…………………………………………….…..12
 3.1.Condition of quantization ……………………………………………………..….15
 3.2.Development of Analytical Approximation for the Surface Potential …………..16
 4.Calculation of low frequency Capacitance of a MOS Structure…………….……...19
 4.1.The oxide capacitance…………………………………………………………….20
 4.2.Low Frequency capacitance………………………………………………………20
 5. Calculation of High frequency Capacitance of a MOS Structure………….………23
ï‚· ChapterThree: Fowler-Nordheim Tunneling Current in the MOS structure
 1.Introduction…………………………………………………………………..……..27
 2.Schroïdinger Equation……………………………………………………….……...27
 3.WKB Approximation………………..……………………………………….……..27
 4.Coefficient of Transmission…………………………………………………..…….27
 5.Triangle Barrier………………………………………………………………..……28
 6.Fowler-Nordheim Current Density…………………………………………………28
 6.1.Equation F-N Current Density with Exponential and Pre-exponential Coefficients…………………………………………………………………………...28
 6.2.Equation F-N Current Density depent en temperature……………………………34
 APPENDIX I….. ……………………………………………………………………..36
 APPENDIX II………………….……………………………………………………..37
 Conclusion……………………………………………………………………………38
ï‚· Lisr of references……………………………………..………………………………39Côte titre : MAPH/0329 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0329 MAPH/0329 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Influence de la résistance série Rs et de la conductance d'oxyde Gox sur les caractéristiques capacité-tension et conductance -tension d'une structure MIS tunnel Type de document : texte imprimé Auteurs : Noureddine Adjeroud ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2001 Importance : 1 vol (71 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Structure MIS tunnel
Extraction des états d'interface
Isolant inhomogèneIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Les états d'interface jouent un rô1e capital, le plus souvent néfaste' dans le
fonctionnement des dispositifs à semi-conducteur. Aussi s'éfforce-t-on en général de
réduire leur densité le plus possible. Pour cela, il faut pouvoir évaluer leur densité' leur
répartition dans la bande interdite et, si possible, leurs caractéristiques (section efficace'
constante de temps etc.).
Cette thèse peut être résumée sous trois chapitres:Dans le premier chapitre,nous
avons rappel6 quelques aspects th6oriques concernant les semi-conducteurs et en
particulier les structures MIS-MOS. Quelques méthodes de caractérisation électriques de
ces structures ont été également présentées'
Dans le deuxième chapitre, nous avons présenté un nouveau
développé,Pour la représentation de la structure Mls tunnel.Ce
considération toutes les grandeurs électriques utilisées séparément
antérieurs, en particulier la résistance série et la conductance d'oxyde'
Dans le troisième chapitre nous avons étudié les caractéristques capacité-tension
d,une structure MIS et f influence de la conductance d'oxyde et de la résistance série sur
ces caractéristiques. La dépendance en fréquence de la conductance due aux états
d'interface a été aussi étudiée. I1 a été montré que la densité d'états d'interface est
fortement influencée par la résistance s6rie. Finalement, nous avons étudié L’effet d'un
éventuel bruit dans les caractéristiques c-v et G-V sur la précision de calcul de la
densité d'états d'interface ainsi que la constante de temps.
Côte titre : MPH/0263 Influence de la résistance série Rs et de la conductance d'oxyde Gox sur les caractéristiques capacité-tension et conductance -tension d'une structure MIS tunnel [texte imprimé] / Noureddine Adjeroud ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2001 . - 1 vol (71 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Structure MIS tunnel
Extraction des états d'interface
Isolant inhomogèneIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Les états d'interface jouent un rô1e capital, le plus souvent néfaste' dans le
fonctionnement des dispositifs à semi-conducteur. Aussi s'éfforce-t-on en général de
réduire leur densité le plus possible. Pour cela, il faut pouvoir évaluer leur densité' leur
répartition dans la bande interdite et, si possible, leurs caractéristiques (section efficace'
constante de temps etc.).
Cette thèse peut être résumée sous trois chapitres:Dans le premier chapitre,nous
avons rappel6 quelques aspects th6oriques concernant les semi-conducteurs et en
particulier les structures MIS-MOS. Quelques méthodes de caractérisation électriques de
ces structures ont été également présentées'
Dans le deuxième chapitre, nous avons présenté un nouveau
développé,Pour la représentation de la structure Mls tunnel.Ce
considération toutes les grandeurs électriques utilisées séparément
antérieurs, en particulier la résistance série et la conductance d'oxyde'
Dans le troisième chapitre nous avons étudié les caractéristques capacité-tension
d,une structure MIS et f influence de la conductance d'oxyde et de la résistance série sur
ces caractéristiques. La dépendance en fréquence de la conductance due aux états
d'interface a été aussi étudiée. I1 a été montré que la densité d'états d'interface est
fortement influencée par la résistance s6rie. Finalement, nous avons étudié L’effet d'un
éventuel bruit dans les caractéristiques c-v et G-V sur la précision de calcul de la
densité d'états d'interface ainsi que la constante de temps.
Côte titre : MPH/0263 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MPH/0263 MPH/0263 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Influence de la résistance série RS et de la conductance d'oxyde Gox sur les caractéristiques tensions et conductance-tension d'une structure MIS tunnel Type de document : texte imprimé Auteurs : Noureddine Adjeroud ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2002 Importance : 1 vol (69 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Résistance série RS Index. décimale : 530 - Physique Côte titre : MPH/0056-0062 Influence de la résistance série RS et de la conductance d'oxyde Gox sur les caractéristiques tensions et conductance-tension d'une structure MIS tunnel [texte imprimé] / Noureddine Adjeroud ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2002 . - 1 vol (69 f.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Résistance série RS Index. décimale : 530 - Physique Côte titre : MPH/0056-0062 Exemplaires (7)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MPH/0056 MPH/0056-0062 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleMPH/0060 MPH/0056-0062 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleMPH/0059 MPH/0056-0062 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleMPH/0058 MPH/0056-0062 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleMPH/0057 MPH/0056-0062 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleMPH/0061 MPH/0056-0062 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleMPH/0062 MPH/0056-0062 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Modélisation des phénomènes de transport dans les structures MOS Type de document : texte imprimé Auteurs : BOUROUB, Farid ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2016 Importance : 1 vol. (109 f.) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Capacite MOS
4H-SiC
Caracterisation electrique I(V)
Modelisation
Emission
Fowler-Nordheim
Emission Poole-FrenkelRésumé :
La course a la miniaturisation des circuits integres provoque l'apparition d'un certain
nombre d'e ets parasites, venant degrader les caracteristiques electriques des
dispositifs. Ce sont les fuites de grille croissant avec la reduction de l'epaisseur
de dielectrique dans la capacite MOS. Dans ce cadre, il s'agit plus precisement
de realiser des structures (capacite) MOS/4H-SiC et d'etudier le comportement
electrique du systeme (SiO2=SiC) formes a n d'en evaluer sa qualite, dont le but
est d'acquerir une parfaite connaissance et une bonne maitrise des phenomenes
de transports de courant de fuite a travers l'oxyde de grille. Aussi, dans un premier
temps, a partir de cette caracterisation a temperature ambiante, di erents
mecanismes de conduction a travers l'oxyde sont apparus dans di erentes gammes
de champ electrique et avec la methode des moindres carres nous pouvons extraire
plusieurs parametres physiques de la structure. Nous nous interessons ensuite a
l'etude en temperature de l'emission Fowler-Nordheim, car il joue un r^ole dominant,
notamment dans la destruction des composants, en utilisant les trois modeles
proposes, le modele de Good-Muller, le modele de Snow-Lenzlinger et le modele de
Pananakakis, cette etude necessite l'utilisation des methodes d'optimisation non
deterministe comme la methode du recuit simule et la methode des algorithmes
genetiques. En n, nous avons etudier l'extraction des parametres physiques dans
les structures reelles a base de 4H-SiC en utilisant la methode des algorithmes
genetiques.Côte titre : DPH/0189 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1b-AUh_1_VfpqRA7HHg8m2t5uj2--dYyF/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Modélisation des phénomènes de transport dans les structures MOS [texte imprimé] / BOUROUB, Farid ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2016 . - 1 vol. (109 f.).
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Capacite MOS
4H-SiC
Caracterisation electrique I(V)
Modelisation
Emission
Fowler-Nordheim
Emission Poole-FrenkelRésumé :
La course a la miniaturisation des circuits integres provoque l'apparition d'un certain
nombre d'e ets parasites, venant degrader les caracteristiques electriques des
dispositifs. Ce sont les fuites de grille croissant avec la reduction de l'epaisseur
de dielectrique dans la capacite MOS. Dans ce cadre, il s'agit plus precisement
de realiser des structures (capacite) MOS/4H-SiC et d'etudier le comportement
electrique du systeme (SiO2=SiC) formes a n d'en evaluer sa qualite, dont le but
est d'acquerir une parfaite connaissance et une bonne maitrise des phenomenes
de transports de courant de fuite a travers l'oxyde de grille. Aussi, dans un premier
temps, a partir de cette caracterisation a temperature ambiante, di erents
mecanismes de conduction a travers l'oxyde sont apparus dans di erentes gammes
de champ electrique et avec la methode des moindres carres nous pouvons extraire
plusieurs parametres physiques de la structure. Nous nous interessons ensuite a
l'etude en temperature de l'emission Fowler-Nordheim, car il joue un r^ole dominant,
notamment dans la destruction des composants, en utilisant les trois modeles
proposes, le modele de Good-Muller, le modele de Snow-Lenzlinger et le modele de
Pananakakis, cette etude necessite l'utilisation des methodes d'optimisation non
deterministe comme la methode du recuit simule et la methode des algorithmes
genetiques. En n, nous avons etudier l'extraction des parametres physiques dans
les structures reelles a base de 4H-SiC en utilisant la methode des algorithmes
genetiques.Côte titre : DPH/0189 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1b-AUh_1_VfpqRA7HHg8m2t5uj2--dYyF/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0189 DPH/0189 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
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