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Auteur Saadi Lamari |
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Effets de la géométrie et du potentiel externe sur les propriétés électroniques des puits quantiques a base d'arséniure de gallium / Manel Bouzid,
Titre : Effets de la géométrie et du potentiel externe sur les propriétés électroniques des puits quantiques a base d'arséniure de gallium Type de document : texte imprimé Auteurs : Manel Bouzid, ; Saadi Lamari, Directeur de thèse Année de publication : 2017 Importance : 1 vol (30 f.) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Théorique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans ce travail théorique nous avons considéré un puits quantique d'arséniure de gallium
ayant une marche de potentiel.
Nous avons d'abord formulé le problème des valeurs et fonctions propres de l'Hamiltonien et
puis nous avons mené une étude numérique du spectre et fonctions d'ondes. En particulier,
nous avons exploré les changements que subissent le spectre d'énergie et les fonctions
d'ondes quand on change la largeur de la marche de potentiel ou bien l'intensité du champ
électrique appliqué.
Nous avons ensuite étudié numériquement la diffusion inélastique des électrons par les
phonons optiques polaires. Nous avons considérés ces processus aussi bien dans la première
sous-bande que dans la deuxième et ce pour l'absorption et l'émission. Nous avons également
examiné l'effet de la marche et celui du champ externe sur ces processusCôte titre : MAPH/0180 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1H43-Hy9kP27m9NPhpoyNnvjBVYvQphKs/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Effets de la géométrie et du potentiel externe sur les propriétés électroniques des puits quantiques a base d'arséniure de gallium [texte imprimé] / Manel Bouzid, ; Saadi Lamari, Directeur de thèse . - 2017 . - 1 vol (30 f.).
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Théorique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans ce travail théorique nous avons considéré un puits quantique d'arséniure de gallium
ayant une marche de potentiel.
Nous avons d'abord formulé le problème des valeurs et fonctions propres de l'Hamiltonien et
puis nous avons mené une étude numérique du spectre et fonctions d'ondes. En particulier,
nous avons exploré les changements que subissent le spectre d'énergie et les fonctions
d'ondes quand on change la largeur de la marche de potentiel ou bien l'intensité du champ
électrique appliqué.
Nous avons ensuite étudié numériquement la diffusion inélastique des électrons par les
phonons optiques polaires. Nous avons considérés ces processus aussi bien dans la première
sous-bande que dans la deuxième et ce pour l'absorption et l'émission. Nous avons également
examiné l'effet de la marche et celui du champ externe sur ces processusCôte titre : MAPH/0180 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1H43-Hy9kP27m9NPhpoyNnvjBVYvQphKs/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0180 MAPH/0180 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEffets de la nonparabolicité sur la structure électronique et les taux de diffusion des électrons par les phonons / Loubna Djenane
Titre : Effets de la nonparabolicité sur la structure électronique et les taux de diffusion des électrons par les phonons Type de document : texte imprimé Auteurs : Loubna Djenane ; Saadi Lamari, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2021 Importance : 1 vol. (31 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Diffusion des électrons
Phonons
AsGa
Spectres d'énergieIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Sommaire
Introduction 3
Chapitre 1
La structure électronique quantifiée des puits à base d'AsGa
I. Introduction 4
II. Structure de bandes de l'AsGa massif 5 III. Hétérojonction et offset de bande 8
IV. Etats quantifiés d’un puits de potentiel 8
A- Formulation théorique pour une masse effective constante 9
i)-La fonction enveloppe 8
ii)-Modèle du puits à barrières infinies 10
B-Introduction du non parabolicité 10
i) -Le modèle de la masse effective dépendant de l'énergie 10
C- Résultats numériques 12
i) -Cas du semi-conducteur massif 12
a) -Spectre d'énergie 12
b) -Niveau de Fermi 12
ii) -Cas d'un puits quantique 13
a) - Fonctions d'ondes et spectre d'énergie 13
b) -Séparation inter-sous-bandes 15
c) -Transformées de Fourier de la densité de probabilité 18
d) -Transformées de Fourier du recouvrement 18
inter-sous-bandes
e) - Modules au carré de la transformée 19
V. Conclusion 19
Chapitre 2
Diffusion inélastique des électrons par les modes optiques polaires
I. Introduction 21
II. Cadre analytique général 22
A- Potentiel de fronlich 22
B- Règle d’or de fermi appliquée aux processus de diffusion 22
III. Résultats numériques 23
A. Cas 3D massif 24
i. Absorbation d’un phonon 24
ii. Emission d’un phonon 25
B. Cas 2d du puits 26
i. Absorption intra-sous-bande 26
ii. Emission intra-sous-bande 27
IV- Conclusion 28
Conclusion générale 29
Références 30Côte titre : MAPH/0492 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1WrF17ZaDwh4-2JpD2LsZIDmlpKOtWH-3/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Effets de la nonparabolicité sur la structure électronique et les taux de diffusion des électrons par les phonons [texte imprimé] / Loubna Djenane ; Saadi Lamari, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2021 . - 1 vol. (31 f.) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Diffusion des électrons
Phonons
AsGa
Spectres d'énergieIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Sommaire
Introduction 3
Chapitre 1
La structure électronique quantifiée des puits à base d'AsGa
I. Introduction 4
II. Structure de bandes de l'AsGa massif 5 III. Hétérojonction et offset de bande 8
IV. Etats quantifiés d’un puits de potentiel 8
A- Formulation théorique pour une masse effective constante 9
i)-La fonction enveloppe 8
ii)-Modèle du puits à barrières infinies 10
B-Introduction du non parabolicité 10
i) -Le modèle de la masse effective dépendant de l'énergie 10
C- Résultats numériques 12
i) -Cas du semi-conducteur massif 12
a) -Spectre d'énergie 12
b) -Niveau de Fermi 12
ii) -Cas d'un puits quantique 13
a) - Fonctions d'ondes et spectre d'énergie 13
b) -Séparation inter-sous-bandes 15
c) -Transformées de Fourier de la densité de probabilité 18
d) -Transformées de Fourier du recouvrement 18
inter-sous-bandes
e) - Modules au carré de la transformée 19
V. Conclusion 19
Chapitre 2
Diffusion inélastique des électrons par les modes optiques polaires
I. Introduction 21
II. Cadre analytique général 22
A- Potentiel de fronlich 22
B- Règle d’or de fermi appliquée aux processus de diffusion 22
III. Résultats numériques 23
A. Cas 3D massif 24
i. Absorbation d’un phonon 24
ii. Emission d’un phonon 25
B. Cas 2d du puits 26
i. Absorption intra-sous-bande 26
ii. Emission intra-sous-bande 27
IV- Conclusion 28
Conclusion générale 29
Références 30Côte titre : MAPH/0492 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1WrF17ZaDwh4-2JpD2LsZIDmlpKOtWH-3/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0492 MAPH/0492 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Relaxation dans les semiconducteurs Type de document : texte imprimé Auteurs : Mohamed Boumaza ; Saadi Lamari, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2016 Importance : 1 vol. (166 f.) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Bande de valence
Trous
Taux de diffusion
Phonon
Temps de relaxation de l'impulsionIndex. décimale : 530 Physique Note de contenu :
Chapitre I: Structure électronique et bandes d'énergie
-Chapitre II: Dynamique du réseau
-Chapitre III:Interaction trou-phonon dans le modèle massif des phonons
-Chapitre IV: Interaction des trous avec les phonons optiques polaires confinés et d'interfaces
-Chapitre V:Temps de relaxation de l'impulsion des trous lourds dus aux phonons optiques polairesCôte titre : DPH/0200 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1r2_e466kNbQAespZ3GiszwJh1zIRRlZB/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Relaxation dans les semiconducteurs [texte imprimé] / Mohamed Boumaza ; Saadi Lamari, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2016 . - 1 vol. (166 f.) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Bande de valence
Trous
Taux de diffusion
Phonon
Temps de relaxation de l'impulsionIndex. décimale : 530 Physique Note de contenu :
Chapitre I: Structure électronique et bandes d'énergie
-Chapitre II: Dynamique du réseau
-Chapitre III:Interaction trou-phonon dans le modèle massif des phonons
-Chapitre IV: Interaction des trous avec les phonons optiques polaires confinés et d'interfaces
-Chapitre V:Temps de relaxation de l'impulsion des trous lourds dus aux phonons optiques polairesCôte titre : DPH/0200 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1r2_e466kNbQAespZ3GiszwJh1zIRRlZB/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0200 DPH/0200 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleTaux de diffusion intra et inter-sous-bandes des electrons par les phonos optiques polaires dans les puits quantiques de l’AsGa / Nour El Houda Fellahi
Titre : Taux de diffusion intra et inter-sous-bandes des electrons par les phonos optiques polaires dans les puits quantiques de l’AsGa Type de document : texte imprimé Auteurs : Nour El Houda Fellahi ; Saadi Lamari, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2016 Importance : 1 vol (44 f.) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Théorique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans ce travail nous avons utilisé un modèle simple pour évaluer les taux de diffusionpar les phonons optiques polaires des électrons d'un gaz d'électrons bidimensionnel occupant les états liés d'un puits de type AlxGa1-xAs /GaAs/ AlyGa1-yAs.
Le calcul est d'abord fait analytiquement avant d'être complété par un traitement numérique et l'existence de seuils énergétiques pour les différents processus est clairement expliqué. De façon générale, à mesure que l'énergie de l'électron augmente dans la sous-bande concernée (énergie initiale), le taux de diffusion diminue.
De plus pour une même sous-bande, les taux d'absorption sont inférieurs aux taux d'émission comme il se doit.
Pour les diffusions intra-sous-bandes, nous trouvons que plus le puits est mince plus les taux sont légèrement plus élevés. En outre, pour une même largeur de puits les taux augmentent avec l'augmentation de la hauteur des barrières.
L'exploration numérique des diffusions inter-sous-bandes montre qu'ils sont plus faibles que leurs homologues intra-sous-bandes.
Note de contenu : Table des Matières
Introduction ………………………………………………………….................................................................. 3
Chapitre I
Notion générales sur les puits quantiques à semiconducteurs à base de GaAs
I. Introduction............................................................................ 5
II. Structure de bande, gap et masse effective d’un semiconducteur ................ 6
III. Système inhomogène et notion d’offset .................................................. 8
IV. Etats Electroniques d’un puits quantique .................................................. 9
A- Valeurs propres .................................................................................. 11
B- Fonction Propre .......................................................................... 12
V. Vibrations du réseau ................................................................. 12
A- Chaine diatomique linéaire ......................................... 13
B- Mode acoustique ............................................................................ 14
C- Modes optiques ........................................................................... 15
VI. Conclusion ................................................................................ 15
Chapitre II
Taux de diffusion des électrons par les modes optiques polaires
I. Introduction ....................................................... 16
II. Hamiltonien de Fröhlich ................................................................... 16
III. Calcul analytique général du taux de diffusion ............................................... 17
A- Application de la règle d’or de Fermi .................................................... 17
B- Éléments de matrice et règle de conservation .................................. 18
C- L’élément matriciel ( ) ................................................................ 19
D- La conservation de l’énergie .............................................................. 24
IV. Processus Intra sous-bandes ................................................................... 24
A- Absorption ........................................................................................ 24
B- Emission ...................................................................................... 26
1- Formulation ..................................................................................... 26
2- Existence d’un seuil .................................................................................. 27
C- Résultats numériques ........................................................................................... 28
1- Influence de la largeur du puits .................................................. 28
2- Influence de la hauteur des barrières .................................... 31
3- Puits asymétriques ..................................................................................... 33
4- Comparaison entre différents taux de diffusion ....... 35
V. Processus Inter sous-bandes ………………………........................................................................ 37
A- Absorption ……………………………………................................................................. 37
1- Formulation ………………………………...................................................... 37
2- Seuil d’absorption ………………………….............................................. 37
B- Emission …………………………………………................................................................ 38
1- Formulation …………………………………............................................... 38
2- Seuil d’émission ……………………………................................................. 38
C- Résultats numériques …………………………...................................................... 39
1- Influence de la largeur du puits ................................................... 39
2- Influence de la hauteur des barrières ..................................... 40
VI- Conclusion ..........................................................................................................41
Conclusion générale …....................................................................................... 42
Références bibliographiques ............................................................................................. 43Côte titre : MAPH/0134 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1kpDPGtH2P_0Spr7O84miQn8qnebuCt9Z/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Taux de diffusion intra et inter-sous-bandes des electrons par les phonos optiques polaires dans les puits quantiques de l’AsGa [texte imprimé] / Nour El Houda Fellahi ; Saadi Lamari, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2016 . - 1 vol (44 f.) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Théorique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans ce travail nous avons utilisé un modèle simple pour évaluer les taux de diffusionpar les phonons optiques polaires des électrons d'un gaz d'électrons bidimensionnel occupant les états liés d'un puits de type AlxGa1-xAs /GaAs/ AlyGa1-yAs.
Le calcul est d'abord fait analytiquement avant d'être complété par un traitement numérique et l'existence de seuils énergétiques pour les différents processus est clairement expliqué. De façon générale, à mesure que l'énergie de l'électron augmente dans la sous-bande concernée (énergie initiale), le taux de diffusion diminue.
De plus pour une même sous-bande, les taux d'absorption sont inférieurs aux taux d'émission comme il se doit.
Pour les diffusions intra-sous-bandes, nous trouvons que plus le puits est mince plus les taux sont légèrement plus élevés. En outre, pour une même largeur de puits les taux augmentent avec l'augmentation de la hauteur des barrières.
L'exploration numérique des diffusions inter-sous-bandes montre qu'ils sont plus faibles que leurs homologues intra-sous-bandes.
Note de contenu : Table des Matières
Introduction ………………………………………………………….................................................................. 3
Chapitre I
Notion générales sur les puits quantiques à semiconducteurs à base de GaAs
I. Introduction............................................................................ 5
II. Structure de bande, gap et masse effective d’un semiconducteur ................ 6
III. Système inhomogène et notion d’offset .................................................. 8
IV. Etats Electroniques d’un puits quantique .................................................. 9
A- Valeurs propres .................................................................................. 11
B- Fonction Propre .......................................................................... 12
V. Vibrations du réseau ................................................................. 12
A- Chaine diatomique linéaire ......................................... 13
B- Mode acoustique ............................................................................ 14
C- Modes optiques ........................................................................... 15
VI. Conclusion ................................................................................ 15
Chapitre II
Taux de diffusion des électrons par les modes optiques polaires
I. Introduction ....................................................... 16
II. Hamiltonien de Fröhlich ................................................................... 16
III. Calcul analytique général du taux de diffusion ............................................... 17
A- Application de la règle d’or de Fermi .................................................... 17
B- Éléments de matrice et règle de conservation .................................. 18
C- L’élément matriciel ( ) ................................................................ 19
D- La conservation de l’énergie .............................................................. 24
IV. Processus Intra sous-bandes ................................................................... 24
A- Absorption ........................................................................................ 24
B- Emission ...................................................................................... 26
1- Formulation ..................................................................................... 26
2- Existence d’un seuil .................................................................................. 27
C- Résultats numériques ........................................................................................... 28
1- Influence de la largeur du puits .................................................. 28
2- Influence de la hauteur des barrières .................................... 31
3- Puits asymétriques ..................................................................................... 33
4- Comparaison entre différents taux de diffusion ....... 35
V. Processus Inter sous-bandes ………………………........................................................................ 37
A- Absorption ……………………………………................................................................. 37
1- Formulation ………………………………...................................................... 37
2- Seuil d’absorption ………………………….............................................. 37
B- Emission …………………………………………................................................................ 38
1- Formulation …………………………………............................................... 38
2- Seuil d’émission ……………………………................................................. 38
C- Résultats numériques …………………………...................................................... 39
1- Influence de la largeur du puits ................................................... 39
2- Influence de la hauteur des barrières ..................................... 40
VI- Conclusion ..........................................................................................................41
Conclusion générale …....................................................................................... 42
Références bibliographiques ............................................................................................. 43Côte titre : MAPH/0134 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1kpDPGtH2P_0Spr7O84miQn8qnebuCt9Z/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0134 MAPH/0134 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible