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Auteur Mouna Ghomid |
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Cristallisation de silicium amorphe non hydrogéné par la méthode cristallisation induite par aluminium(CIA) / Mouna Ghomid
Titre : Cristallisation de silicium amorphe non hydrogéné par la méthode cristallisation induite par aluminium(CIA) Type de document : texte imprimé Auteurs : Mouna Ghomid ; Fouzia Kezzoula, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2015/2016 Importance : 1 vol (37 f.) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Ingénierie des Matériaux
Silicium amorphe
Cristallisation Induite par Aluminium (CIA)
Spectroscopie
Raman
Silicium polycristallin.Résumé : Résumé
Ce travail est consacré à l’étude de l’effet de température de recuite sur la
cristallisation d’une couche mince de silicium amorphe non hydrogéné par la méthode de
Cristallisation Induite par Aluminium (CIA). A cet effet, nous avons déposé des couches
minces d’a-Si non hydrogéné par pulvérisation cathodique magnétron DC sur deux types de
substrats Corning (verre) et silicium cristallin (c-Si type N). Une couche d’aluminium a été
par la suite déposée sur la couche d’a-Si par la technique d’évaporation thermique. Les
échantillons ainsi préparés, sont soumis à des recuits thermiques aux différentes températures
pendant trois heures. Des caractérisations de ces échantillons ont été effectuées par
spectroscopie Raman, DRX, MEB, microscope optique, spectrophotomètre et Effet Hall.
Les résultats ont montrés que la couche de silicium amorphe non hydrogéné recuite Ã
une température de 550°C a présenté une meilleure cristallisation. Nous avons montrés aussi,
que l’augmentation de la température de recuit, favorise l’amélioration de la qualité optique et
électrique des couches poly-Si formé.Côte titre : MAPH/0153 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1XLXx3Dxn_2ZkgUbLEP2bqaoKkRWs2OaM/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Cristallisation de silicium amorphe non hydrogéné par la méthode cristallisation induite par aluminium(CIA) [texte imprimé] / Mouna Ghomid ; Fouzia Kezzoula, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2015/2016 . - 1 vol (37 f.).
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Ingénierie des Matériaux
Silicium amorphe
Cristallisation Induite par Aluminium (CIA)
Spectroscopie
Raman
Silicium polycristallin.Résumé : Résumé
Ce travail est consacré à l’étude de l’effet de température de recuite sur la
cristallisation d’une couche mince de silicium amorphe non hydrogéné par la méthode de
Cristallisation Induite par Aluminium (CIA). A cet effet, nous avons déposé des couches
minces d’a-Si non hydrogéné par pulvérisation cathodique magnétron DC sur deux types de
substrats Corning (verre) et silicium cristallin (c-Si type N). Une couche d’aluminium a été
par la suite déposée sur la couche d’a-Si par la technique d’évaporation thermique. Les
échantillons ainsi préparés, sont soumis à des recuits thermiques aux différentes températures
pendant trois heures. Des caractérisations de ces échantillons ont été effectuées par
spectroscopie Raman, DRX, MEB, microscope optique, spectrophotomètre et Effet Hall.
Les résultats ont montrés que la couche de silicium amorphe non hydrogéné recuite Ã
une température de 550°C a présenté une meilleure cristallisation. Nous avons montrés aussi,
que l’augmentation de la température de recuit, favorise l’amélioration de la qualité optique et
électrique des couches poly-Si formé.Côte titre : MAPH/0153 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1XLXx3Dxn_2ZkgUbLEP2bqaoKkRWs2OaM/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0153 MAPH/0153 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
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