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1 résultat(s) recherche sur le mot-clé 'Siliciures Intercouche Nickel Tungstène'
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Etude de formation des siliciures de Ni en présence du W comme barrière de diffusion / Benathmane,Halima
Titre : Etude de formation des siliciures de Ni en présence du W comme barrière de diffusion Type de document : texte imprimé Auteurs : Benathmane,Halima, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2019 Importance : 1 vol (50 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Siliciures
Intercouche
Nickel
TungstèneIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Le but de ce travail est d’étudier l’effet de W en intercouche avec le nickel Ni(50nm)/W(1nm)/Si(100) sur la séquence et la stabilité de formation des siliciures de nickel, lors des différent traitements thermiques.
Nous avons utilisé les techniques de caractérisations suivantes : la diffraction des rayons X, les mesures de résistivité par la méthode des 4 pointes, microscopie électronique à balayage (MEB), analyse dispersion d’énergie des rayons X (EDX) et la microscopie à force atomique (AFM).
Les résultats obtenus montrent la stabilité thermique et morphologique de la phase NiSi par l’ajoute de W et la formation de WSi2 à la surfaceNote de contenu :
Sommaire
Introduction générale .................................................................................................................. 1
I.1. Formation des siliciures ....................................................................................................... 2
I.1.1. La germination .............................................................................................................. 3
I.1.2. La diffusion réactive ...................................................................................................... 4
I.2. Le système nickel/silicium ................................................................................................... 5
I.2.1. Diagramme de phase Ni/Si ............................................................................................ 5
I.2.2. Formation des siliciures de nickel en films minces ....................................................... 6
I.2.3. Intérêt de la siliciuration ................................................................................................ 8
I.2.4. Dégradation du NiSi à haute température ..................................................................... 8
a) Formation de NiSi2 ...................................................................................................... 8
b) Les enjeux de la stabilité morphologique de la couche de NiSi .................................. 9
I.3. Barrière à la diffusion de nickel ........................................................................................... 9
I.4. Application de NiSi dans l’industrie .................................................................................. 10
I.4.1. Principe de fonctionnement du transistor .................................................................... 10
Chapitre II : Techniques expérimentales utilisées
II.1. Technique d’élaboration des couches minces................................................................... 12
II.1.1. Principe de la pulvérisation cathodique .................................................................... 12
II.1.2. Préparation des substrats ............................................................................................ 13
II.1.3. Dépôts des échantillons .............................................................................................. 13
II.1.4. Recuit thermique rapide ............................................................................................. 13
II.2. Techniques de caractérisations ......................................................................................... 14
II.2.1. Diffraction des rayons X (DRX) ................................................................................ 14
II.2.2. Mesure de la résistance de couche (Rs) : la méthode de 4 pointes ........................... 15
II.2.3. Microscopie électronique à balayage (MEB) et microanalyse (EDX) ...................... 16
II.2.3.1. Microscopie électronique à balayage (MEB) ...................................................... 16
II.2.4. Microscopie à force atomique (AFM) ....................................................................... 17
Chapitre III : Résultats et interprétations
III.1. Analyse structurale par DRX .......................................................................................... 18
III.2: Mesure de résistivité surfacique Rs ................................................................................. 26
III.3: Etude de morphologie par MEB et analyse par EDX ..................................................... 28
III.4. Analyse par microscopie à force atomique (AFM) ......................................................... 31
Conclusion générale ................................................................................................................. 33
Annexe
RéférencesCôte titre : MAPH/0320 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1o55pXUTu4XRUwAuvlD_f1YQaGfE8B8Nw/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude de formation des siliciures de Ni en présence du W comme barrière de diffusion [texte imprimé] / Benathmane,Halima, Auteur ; Achour Derafa, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (50 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Siliciures
Intercouche
Nickel
TungstèneIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Le but de ce travail est d’étudier l’effet de W en intercouche avec le nickel Ni(50nm)/W(1nm)/Si(100) sur la séquence et la stabilité de formation des siliciures de nickel, lors des différent traitements thermiques.
Nous avons utilisé les techniques de caractérisations suivantes : la diffraction des rayons X, les mesures de résistivité par la méthode des 4 pointes, microscopie électronique à balayage (MEB), analyse dispersion d’énergie des rayons X (EDX) et la microscopie à force atomique (AFM).
Les résultats obtenus montrent la stabilité thermique et morphologique de la phase NiSi par l’ajoute de W et la formation de WSi2 à la surfaceNote de contenu :
Sommaire
Introduction générale .................................................................................................................. 1
I.1. Formation des siliciures ....................................................................................................... 2
I.1.1. La germination .............................................................................................................. 3
I.1.2. La diffusion réactive ...................................................................................................... 4
I.2. Le système nickel/silicium ................................................................................................... 5
I.2.1. Diagramme de phase Ni/Si ............................................................................................ 5
I.2.2. Formation des siliciures de nickel en films minces ....................................................... 6
I.2.3. Intérêt de la siliciuration ................................................................................................ 8
I.2.4. Dégradation du NiSi à haute température ..................................................................... 8
a) Formation de NiSi2 ...................................................................................................... 8
b) Les enjeux de la stabilité morphologique de la couche de NiSi .................................. 9
I.3. Barrière à la diffusion de nickel ........................................................................................... 9
I.4. Application de NiSi dans l’industrie .................................................................................. 10
I.4.1. Principe de fonctionnement du transistor .................................................................... 10
Chapitre II : Techniques expérimentales utilisées
II.1. Technique d’élaboration des couches minces................................................................... 12
II.1.1. Principe de la pulvérisation cathodique .................................................................... 12
II.1.2. Préparation des substrats ............................................................................................ 13
II.1.3. Dépôts des échantillons .............................................................................................. 13
II.1.4. Recuit thermique rapide ............................................................................................. 13
II.2. Techniques de caractérisations ......................................................................................... 14
II.2.1. Diffraction des rayons X (DRX) ................................................................................ 14
II.2.2. Mesure de la résistance de couche (Rs) : la méthode de 4 pointes ........................... 15
II.2.3. Microscopie électronique à balayage (MEB) et microanalyse (EDX) ...................... 16
II.2.3.1. Microscopie électronique à balayage (MEB) ...................................................... 16
II.2.4. Microscopie à force atomique (AFM) ....................................................................... 17
Chapitre III : Résultats et interprétations
III.1. Analyse structurale par DRX .......................................................................................... 18
III.2: Mesure de résistivité surfacique Rs ................................................................................. 26
III.3: Etude de morphologie par MEB et analyse par EDX ..................................................... 28
III.4. Analyse par microscopie à force atomique (AFM) ......................................................... 31
Conclusion générale ................................................................................................................. 33
Annexe
RéférencesCôte titre : MAPH/0320 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1o55pXUTu4XRUwAuvlD_f1YQaGfE8B8Nw/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0320 MAPH/0320 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
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