Etude des propriétés structurelles, électriques et magnétiques des couches minces Ni/Co/Si élaborées par évaporation à effet joule / Talbi, Imane  

Public ISBD Titre : Etude des propriétés structurelles, électriques et magnétiques des couches minces Ni/Co/Si élaborées par évaporation à effet joule Type de document : texte imprimé Auteurs : Talbi, Imane, Auteur ; Reffas , mounir, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2018 Importance : 1 vol (45 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Couches minces Nickel Cobalt Siliciures Résistance carrée Index. décimale : 530 Physique Résumé : Ce travail porte sur l’étude de la formation de siliciures par réaction à l’état solide dans les systèmes Ni/Co/Si(111) Les échantillons sont obtenus par évaporation thermique suivie par des recuits réalisés sous vide dans l’intervalle des températures de 300-800 °C. Pour la caractérisation des échantillons Ni/Co/Si(111) on utilise la diffraction des rayons X , la mesure de la résistivité électrique par la méthode des quatre points , la fluorescence X (XRF), et le magnétomètre à échantillon vibrant (VSM) pour étudier les propriétés magnétiques. Pour le système Ni/Co/Si(111), l’étude permet de remarquer la formation de plusieurs siliciures à différentes températures. . En effet, il est mis en évidence la coexistence des deux phases Ni2Si et Ni3Si à 300 °C, la formation de mono siliciure de cobalt et de nickel NiSi à 600°C, suivi par la formation des binaires riches en silicium NiSi2 et CoSi2 à et l’apparition de la phase ternaire (CoxNi1-x)Si a lieu après recuit effectué à 800°C . Note de contenu : Sommaire Introduction générale……………………………………………………..……………….1 Chapitre 1 : Généralité sur les contacts silicium 1.1. Introduction .......................................................................................................................... 3 1.2. Définition d’une couche mince ............................................................................................ 3 1.3. Formation des siliciures ....................................................................................................... 3 I.4. Les types des siliciures ......................................................................................................... 5 1.6. Cinétique de croissance des siliciures .................................................................................. 6 1.4.1. Cinétique gouvernée par la diffusion ................................................................................ 7 1.4. 2. Cinétique gouvernée par la réaction ................................................................................ 7 1.4.3.Cinétique gouvernée par la nucléation ............................................................................... 8 1.5. Siliciures de cobalt : ............................................................................................................. 8 1.5.1. Formation du siliciure de cobalt ....................................................................................... 9 1.5.2. Diagramme de phase de cobalt-silicium et structures cristallines .................................... 9 1.6. Siliciures de nickel ............................................................................................................. 11 1.6.1. Formation du siliciure de nickel ..................................................................................... 11 1.6.2. Diagramme de phase de nickel-silicium et structures cristallines .................................. 11 1.7. Références bibliographiques .............................................................................................. 14 Chapitre 2 : Méthode de dépôt et techniques de caractérisations. 2.1. Introduction ........................................................................................................................ 15 2.2. Élaboration des échantillons .............................................................................................. 15 2.2.1. Dépôt physique en phase vapeur (PVD) ..................................................................... …15 2.3. Techniques de Caractérisation utilisées ............................................................................. 19 2.3.1. Diffraction des rayons X (DRX) ..................................................................................... 19 2.3.1.1. Principe de la technique ............................................................................................... 19 2.3.1.2. Méthodes de mesure ................................................................................................... .19 2.3.1.3. Recherche et sélection de phase ............................................................................... …20 2.3.1.4. Détermination de la taille des grains (Méthode de Scherrer) ........................................ 21 2.3.2. Fluorescence des rayons X (XRF) ........................................................................... …….23 2.3.2.1. Principe de la technique ................................................................................................. 23 2.3.2.2. Rayons X et fluorescence............................................................................................... 23 2.3.3. La méthode de quatre points ............................................................................................. 24 2.3.4. Magnétomètre à échantillon vibrant – VSM ................................................................ ….25 2.4. Références bibliographiques…………………………...…………………………….…...27 Chapitre 3 : Résultat et discussions 3.1. Introduction .......................................................................................................................... 28 3.2.1. Processus de nettoyage du substrat Si ........................................................................... …28 3.2.3. Recuits thermiques des échantillons (Ni/Co/Si) ............................................................... 29 3.3. Résultats d’analyse du système Ni/Co/Si (111) ................................................................... 30 3.3.1. Caractérisations structurales par diffraction des rayons X ............................................... 30 3.3.1.1. Paramètres de maille ...................................................................................................... 34 3.3.1.2. Détermination de la taille des grains ............................................................................. 35 3.3.2. Spectrométrie de fluorescence X ...................................................................................... 36 3.3. 3. Caractérisations électriques par la méthode des quatre pointes ....................................... 39 3.3.3.1. Mesure électrique ........................................................................................................... 39 3.3.4. Comportement magnétique des films Ni/Co/Si ................................................................ 40 3.3.4.1 Cycle hystérésis .............................................................................................................. 40 3.3.4.2. Étude de paramètres magnétiques……………………………………......................…42 Conclusion générale…………………………………………………….………………...........44 Côte titre : MAPH/0265 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1Z_9dXpt_zhYS8vLtTYiatp-QOlBz9dUO/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf Etude des propriétés structurelles, électriques et magnétiques des couches minces Ni/Co/Si élaborées par évaporation à effet joule [texte imprimé] / Talbi, Imane, Auteur ; Reffas , mounir, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2018 . - 1 vol (45 f .) ; 29 cm. Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Couches minces Nickel Cobalt Siliciures Résistance carrée Index. décimale : 530 Physique Résumé : Ce travail porte sur l’étude de la formation de siliciures par réaction à l’état solide dans les systèmes Ni/Co/Si(111) Les échantillons sont obtenus par évaporation thermique suivie par des recuits réalisés sous vide dans l’intervalle des températures de 300-800 °C. Pour la caractérisation des échantillons Ni/Co/Si(111) on utilise la diffraction des rayons X , la mesure de la résistivité électrique par la méthode des quatre points , la fluorescence X (XRF), et le magnétomètre à échantillon vibrant (VSM) pour étudier les propriétés magnétiques. Pour le système Ni/Co/Si(111), l’étude permet de remarquer la formation de plusieurs siliciures à différentes températures. . En effet, il est mis en évidence la coexistence des deux phases Ni2Si et Ni3Si à 300 °C, la formation de mono siliciure de cobalt et de nickel NiSi à 600°C, suivi par la formation des binaires riches en silicium NiSi2 et CoSi2 à et l’apparition de la phase ternaire (CoxNi1-x)Si a lieu après recuit effectué à 800°C . Note de contenu : Sommaire Introduction générale……………………………………………………..……………….1 Chapitre 1 : Généralité sur les contacts silicium 1.1. Introduction .......................................................................................................................... 3 1.2. Définition d’une couche mince ............................................................................................ 3 1.3. Formation des siliciures ....................................................................................................... 3 I.4. Les types des siliciures ......................................................................................................... 5 1.6. Cinétique de croissance des siliciures .................................................................................. 6 1.4.1. Cinétique gouvernée par la diffusion ................................................................................ 7 1.4. 2. Cinétique gouvernée par la réaction ................................................................................ 7 1.4.3.Cinétique gouvernée par la nucléation ............................................................................... 8 1.5. Siliciures de cobalt : ............................................................................................................. 8 1.5.1. Formation du siliciure de cobalt ....................................................................................... 9 1.5.2. Diagramme de phase de cobalt-silicium et structures cristallines .................................... 9 1.6. Siliciures de nickel ............................................................................................................. 11 1.6.1. Formation du siliciure de nickel ..................................................................................... 11 1.6.2. Diagramme de phase de nickel-silicium et structures cristallines .................................. 11 1.7. Références bibliographiques .............................................................................................. 14 Chapitre 2 : Méthode de dépôt et techniques de caractérisations. 2.1. Introduction ........................................................................................................................ 15 2.2. Élaboration des échantillons .............................................................................................. 15 2.2.1. Dépôt physique en phase vapeur (PVD) ..................................................................... …15 2.3. Techniques de Caractérisation utilisées ............................................................................. 19 2.3.1. Diffraction des rayons X (DRX) ..................................................................................... 19 2.3.1.1. Principe de la technique ............................................................................................... 19 2.3.1.2. Méthodes de mesure ................................................................................................... .19 2.3.1.3. Recherche et sélection de phase ............................................................................... …20 2.3.1.4. Détermination de la taille des grains (Méthode de Scherrer) ........................................ 21 2.3.2. Fluorescence des rayons X (XRF) ........................................................................... …….23 2.3.2.1. Principe de la technique ................................................................................................. 23 2.3.2.2. Rayons X et fluorescence............................................................................................... 23 2.3.3. La méthode de quatre points ............................................................................................. 24 2.3.4. Magnétomètre à échantillon vibrant – VSM ................................................................ ….25 2.4. Références bibliographiques…………………………...…………………………….…...27 Chapitre 3 : Résultat et discussions 3.1. Introduction .......................................................................................................................... 28 3.2.1. Processus de nettoyage du substrat Si ........................................................................... …28 3.2.3. Recuits thermiques des échantillons (Ni/Co/Si) ............................................................... 29 3.3. Résultats d’analyse du système Ni/Co/Si (111) ................................................................... 30 3.3.1. Caractérisations structurales par diffraction des rayons X ............................................... 30 3.3.1.1. Paramètres de maille ...................................................................................................... 34 3.3.1.2. Détermination de la taille des grains ............................................................................. 35 3.3.2. Spectrométrie de fluorescence X ...................................................................................... 36 3.3. 3. Caractérisations électriques par la méthode des quatre pointes ....................................... 39 3.3.3.1. Mesure électrique ........................................................................................................... 39 3.3.4. Comportement magnétique des films Ni/Co/Si ................................................................ 40 3.3.4.1 Cycle hystérésis .............................................................................................................. 40 3.3.4.2. Étude de paramètres magnétiques……………………………………......................…42 Conclusion générale…………………………………………………….………………...........44 Côte titre : MAPH/0265 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1Z_9dXpt_zhYS8vLtTYiatp-QOlBz9dUO/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf

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