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Auteur Tellouche,G |
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Titre : La croissance des phases non-stoechiométriques Type de document : texte imprimé Auteurs : Benabid ,Nadjet, Auteur ; Tellouche,G, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2020 Importance : 1 vol (35 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique des Matériaux Index. décimale : 530 - Physique Résumé :
L’objectif de ce travail est d’étudier les mécanismes de formation des phases riches en Ni, notamment la phase non-stoechiométrique -Ni2Si formée par réaction à l’état solide entre différentes épaisseurs de films de nickel déposés par pulvérisation cathodique sur Si (100). Les caractérisations en Diffraction des Rayons X (DRX) en temps réel (in situ) mettent en évidence une formation simultanée des phases riches en Ni (-Ni2Si et -Ni2Si) où le -Ni2Si est le premier siliciure qui se forme indépendamment de l’épaisseur du film déposé. Alors que la séquence de formation des phases change avec l’épaisseur du film. La formation de la phase non stoechiométrique -Ni2Si est observée à la même température indépendamment de l’épaisseur du film de Ni. Cela nous permettait de déduire que la formation de -Ni2Si est contrôlée par la germination. Nos résultats montraient que des champs de déformations importants se développent lors de la croissance de -Ni2Si à l’interface de réaction Ni/Si et qui se relaxent après la consommation totale de Ni. Le -Ni2Si continue sa croissance au dépend de -Ni2Si dans un état relaxé. L’évolution de la distance réticulaire de la phase non stoechiométrique -Ni2Si lors des recuits (isochrones et isothermes) est compliquée. Un scénario basé sur les propriétés des solutions solides de substitution était proposé nous a permis de dégager les mécanismes de croissance de la phase non stoechiométrique -Ni2Si.Côte titre : MAPH/0374 En ligne : https://drive.google.com/file/d/12YwgT0hhFXjm4UHCbY2lTbXWxX0cwAEe/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : La croissance des phases non-stoechiométriques [texte imprimé] / Benabid ,Nadjet, Auteur ; Tellouche,G, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2020 . - 1 vol (35 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique des Matériaux Index. décimale : 530 - Physique Résumé :
L’objectif de ce travail est d’étudier les mécanismes de formation des phases riches en Ni, notamment la phase non-stoechiométrique -Ni2Si formée par réaction à l’état solide entre différentes épaisseurs de films de nickel déposés par pulvérisation cathodique sur Si (100). Les caractérisations en Diffraction des Rayons X (DRX) en temps réel (in situ) mettent en évidence une formation simultanée des phases riches en Ni (-Ni2Si et -Ni2Si) où le -Ni2Si est le premier siliciure qui se forme indépendamment de l’épaisseur du film déposé. Alors que la séquence de formation des phases change avec l’épaisseur du film. La formation de la phase non stoechiométrique -Ni2Si est observée à la même température indépendamment de l’épaisseur du film de Ni. Cela nous permettait de déduire que la formation de -Ni2Si est contrôlée par la germination. Nos résultats montraient que des champs de déformations importants se développent lors de la croissance de -Ni2Si à l’interface de réaction Ni/Si et qui se relaxent après la consommation totale de Ni. Le -Ni2Si continue sa croissance au dépend de -Ni2Si dans un état relaxé. L’évolution de la distance réticulaire de la phase non stoechiométrique -Ni2Si lors des recuits (isochrones et isothermes) est compliquée. Un scénario basé sur les propriétés des solutions solides de substitution était proposé nous a permis de dégager les mécanismes de croissance de la phase non stoechiométrique -Ni2Si.Côte titre : MAPH/0374 En ligne : https://drive.google.com/file/d/12YwgT0hhFXjm4UHCbY2lTbXWxX0cwAEe/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0374 MAPH/0374 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
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