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Auteur O. Benkherourou |
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Simulation du profil de concentration atomique après implantation des ions N+ et O+ à faible énergie sur C-Si et étude particulière de la pulvérisation par les ions He+ et Ar+ / Houria Gueddaoui
Titre : Simulation du profil de concentration atomique après implantation des ions N+ et O+ à faible énergie sur C-Si et étude particulière de la pulvérisation par les ions He+ et Ar+ Type de document : texte imprimé Auteurs : Houria Gueddaoui ; O. Benkherourou, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2000 Importance : 1 vol (61 f .) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : ions N+
ions O+
ions He+
ions Ar+Index. décimale : 530 Physique Résumé :
L'implantation ionique des ions énergétiques consiste à bombarder des surfaces des matériaux par des ions énerg6tiques. L'introduction de ces derniers modifie les propriétés physiques et électriques de ces matériaux.
Nous avons tenter de valider la théorie qui drive du modèle de Ziegler, Biersack et Littmark [1'3'13] pour expliquer mieux la modélisation de l'implantation ionique. cette dernière s'adapte bien à la localisation des couches amorphes, et cela grace à la distribution des ions projectiles. Afin de pouvoir localiser la profondeur de p6n6tration des ions projectiles (o* ou M) pour une gamme d'énergie variant entre 4 et 10 Kev, nous avons réussi à prouver qu,il existe une fonction empirique de forme y:AE. Cette relation est bien évidemment nécessaire pour estimer les paramètres Rp et ARp. ces derniers déterminent ra concentration atomiques pour une profondeur donnée par l'utilisation du profil gaussien. Par ailleurs' la génération des défauts dans la matière est déterminée par les pertes d’énergie nucléaire.
cette perte dépends de la nature de l'ion projectile de l'atome cible et de l’énergie d'implantation.
Nous avons réussi à montrer l'influence de l'énergie d'incidence du faisceau sur la distribution' Les calculs du taux de pulvérisation ont montré que l'angle d,incidence du faisceau ionique a une grande influence sur la dégradation de la surface des systèmes sio/si et Si3Nx/Si pour un bombardement à faible énergie par les gaz rares Ar+ et He+.
la meilleure efficacité est achevé par l'utilisation des ions de Ar+ et He+ pour des incidences de 70" et 80o respectivement. La théorie adaptee pour le domaine de faibles énergies décrit I'interaction ion-matière d'une facon précise. En revanche,il nous semble qu'il est important de travailler dans le domaine des 6nergies moyennes (20-100 kev) pour voir la validité de l'approche Z.B.L.
Comme perspectives, nous proposons l'étude de nouveaux matériaux par implantation (BN, Inp, call,..) ainsi que l'effet de ra température du substrat et la redistribution des atomes pendant L’implantation et, enfin, ra considération de l'effet de canalisation.Côte titre : MPH/0261 Simulation du profil de concentration atomique après implantation des ions N+ et O+ à faible énergie sur C-Si et étude particulière de la pulvérisation par les ions He+ et Ar+ [texte imprimé] / Houria Gueddaoui ; O. Benkherourou, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2000 . - 1 vol (61 f .) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : ions N+
ions O+
ions He+
ions Ar+Index. décimale : 530 Physique Résumé :
L'implantation ionique des ions énergétiques consiste à bombarder des surfaces des matériaux par des ions énerg6tiques. L'introduction de ces derniers modifie les propriétés physiques et électriques de ces matériaux.
Nous avons tenter de valider la théorie qui drive du modèle de Ziegler, Biersack et Littmark [1'3'13] pour expliquer mieux la modélisation de l'implantation ionique. cette dernière s'adapte bien à la localisation des couches amorphes, et cela grace à la distribution des ions projectiles. Afin de pouvoir localiser la profondeur de p6n6tration des ions projectiles (o* ou M) pour une gamme d'énergie variant entre 4 et 10 Kev, nous avons réussi à prouver qu,il existe une fonction empirique de forme y:AE. Cette relation est bien évidemment nécessaire pour estimer les paramètres Rp et ARp. ces derniers déterminent ra concentration atomiques pour une profondeur donnée par l'utilisation du profil gaussien. Par ailleurs' la génération des défauts dans la matière est déterminée par les pertes d’énergie nucléaire.
cette perte dépends de la nature de l'ion projectile de l'atome cible et de l’énergie d'implantation.
Nous avons réussi à montrer l'influence de l'énergie d'incidence du faisceau sur la distribution' Les calculs du taux de pulvérisation ont montré que l'angle d,incidence du faisceau ionique a une grande influence sur la dégradation de la surface des systèmes sio/si et Si3Nx/Si pour un bombardement à faible énergie par les gaz rares Ar+ et He+.
la meilleure efficacité est achevé par l'utilisation des ions de Ar+ et He+ pour des incidences de 70" et 80o respectivement. La théorie adaptee pour le domaine de faibles énergies décrit I'interaction ion-matière d'une facon précise. En revanche,il nous semble qu'il est important de travailler dans le domaine des 6nergies moyennes (20-100 kev) pour voir la validité de l'approche Z.B.L.
Comme perspectives, nous proposons l'étude de nouveaux matériaux par implantation (BN, Inp, call,..) ainsi que l'effet de ra température du substrat et la redistribution des atomes pendant L’implantation et, enfin, ra considération de l'effet de canalisation.Côte titre : MPH/0261 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MPH/0261 MPH/0261 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
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