Effet des ions fluor sur les propriétés optiques et électriques de ZnO électrodéposé / Rabah Medouni  

Public ISBD Titre : Effet des ions fluor sur les propriétés optiques et électriques de ZnO électrodéposé Type de document : texte imprimé Auteurs : Rabah Medouni ; Faouzi Berrag ; Abderrahmane Berchi, Directeur de thèse Editeur : Sétif:UFA1 Année de publication : 2023 Importance : 1 vol. (52 f.) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Chimie Mots-clés : ZnO électrodéposé  oxyde de zinc Résumé : Dans ce travail, nous avons élaboré des couches minces semi-conductrices d’oxyde de zinc pur et dope au fluor sur le verre conducteur (ITO) par la chronoampérometrie, dans le but de développer et améliorer les performances des photoanodes pour les cellules solaires sensibilisées par les colorants (CSSC). Les couches obtenues ont été analysées par diverses techniques de caractérisation structurale, optique et électrique. La caractérisation structurale par DRX, révèle la structure hexagonale de type Würtzite et une croissance préférentielle dans le plan (002). Le dopage par les ions fluorure s’est révélé être très influent sur la topographie des couches obtenues et par conséquent leur propriétés optiques. En effet il a été montré que les films dopés au fluor présentent un caractère opaque relativement au film non dopé, l’évolution du Gap optique de ces oxydes avec la concentration du dopant semble diminuer par suite de l’accroissement de la concentration des porteurs libres. L’analyse par SIE confirme que le dopage augmente la conductivité électrique des films de ZnO =In this work, we developed semiconducting thin films of pure and fluorine doped zinc oxide on (ITO) conductive glass substrate by chronoamperometry, in the aim of developing and improving performance of photoanodes for dye-sensitized solar cells (CSSC). Structural characterization by XRD revealed a hexagonal Würtzite-type structure and preferential orientation with (002) plane. Fluoride ions doping proved to have a strong influence on the topography of the obtained layers, consequently their optical properties. Indeed, fluoride-doped zinc oxide films shown to have an opaque character compared to undoped films. The optical band gap of FZO films decrease with increasing dopant concentration due to the high free carrier concentration. EIS analysis confirms that doping increase the electrical conductivity of ZnO thin films Côte titre : MACH/0305 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1yFtVS6Jpj9QhLG4UuE3YOS9nQrX5huR0/view?usp=drive [...] Format de la ressource électronique : pdf Effet des ions fluor sur les propriétés optiques et électriques de ZnO électrodéposé [texte imprimé] / Rabah Medouni ; Faouzi Berrag ; Abderrahmane Berchi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Sétif:UFA1, 2023 . - 1 vol. (52 f.) ; 29 cm. Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Chimie Mots-clés : ZnO électrodéposé  oxyde de zinc Résumé : Dans ce travail, nous avons élaboré des couches minces semi-conductrices d’oxyde de zinc pur et dope au fluor sur le verre conducteur (ITO) par la chronoampérometrie, dans le but de développer et améliorer les performances des photoanodes pour les cellules solaires sensibilisées par les colorants (CSSC). Les couches obtenues ont été analysées par diverses techniques de caractérisation structurale, optique et électrique. La caractérisation structurale par DRX, révèle la structure hexagonale de type Würtzite et une croissance préférentielle dans le plan (002). Le dopage par les ions fluorure s’est révélé être très influent sur la topographie des couches obtenues et par conséquent leur propriétés optiques. En effet il a été montré que les films dopés au fluor présentent un caractère opaque relativement au film non dopé, l’évolution du Gap optique de ces oxydes avec la concentration du dopant semble diminuer par suite de l’accroissement de la concentration des porteurs libres. L’analyse par SIE confirme que le dopage augmente la conductivité électrique des films de ZnO =In this work, we developed semiconducting thin films of pure and fluorine doped zinc oxide on (ITO) conductive glass substrate by chronoamperometry, in the aim of developing and improving performance of photoanodes for dye-sensitized solar cells (CSSC). Structural characterization by XRD revealed a hexagonal Würtzite-type structure and preferential orientation with (002) plane. Fluoride ions doping proved to have a strong influence on the topography of the obtained layers, consequently their optical properties. Indeed, fluoride-doped zinc oxide films shown to have an opaque character compared to undoped films. The optical band gap of FZO films decrease with increasing dopant concentration due to the high free carrier concentration. EIS analysis confirms that doping increase the electrical conductivity of ZnO thin films Côte titre : MACH/0305 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1yFtVS6Jpj9QhLG4UuE3YOS9nQrX5huR0/view?usp=drive [...] Format de la ressource électronique : pdf

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MACH/0305	MACH/0305	Mémoire	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible

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