Semiconductor surfaces and interfaces / MONCH,Winfried

Public ISBD Titre : Semiconductor surfaces and interfaces Type de document : texte imprimé Auteurs : MONCH,Winfried Mention d'édition : 3e éd. Editeur : Berlin : Springer Année de publication : 2001 Collection : Surface sciences Importance : 548 Présentation : Ill Format : 24 ISBN/ISSN/EAN : 978-3-540-67902-8 Catégories : Physique Mots-clés : Semiconducteurs Surfaces (physique) Semiconducteurs : Jonctions Chimie des surfaces Index. décimale : 537.622 Semi-conductivité (comportement réactif et phénomènes énergétiques dans les semi-conducteurs, physique de l'état solide des semi-conducteurs, physique des surfaces des semi-conducteurs, semi-conducteurs) Résumé : Les surfaces semi-conductrices et les interfaces traitent des propriétés structurelles et électroniques des surfaces et interfaces semi-conductrices. La première partie présente les aspects généraux des couches de charge spatiale, des états de surfaces indésirables à la surface propre et de l'addatom et des états d'interface. Il est suivi d'une présentation des résultats expérimentaux sur les surfaces propres et adatées qui sont expliquées en termes de concepts physiques et chimiques simples. Dans la mesure du possible, les résultats de calculs plus raffinés sont pris en considération. Cette troisième édition a été complètement révisée et mise à jour. En particulier, il comprend maintenant une discussion approfondie de la gamme de bandes dans les interfaces à semi-conducteurs. Le concept d'unification est le continuum des états d'écart induits par l'interface. Note de contenu : Contents 1 Introduction 1 2 Surface Space-Charge Region in Thermal Equilibrium 20 3 Surface States 31 4 Occupation of Surface States and Surface Band-Bending in Thermal Equilibrium 54 5 Surface Space-Charge Region in Non-Equilibrium 61 6 Interface States 75 7 Cleaved {110} Surfaces of III-V and II-VI Compound Semiconductors 93 8 {100} Surfaces of III-V, II-VI, and I-VII Compound Semiconductors with Zincblende Structure 130 9 {100} Surfaces of Silicon, Germanium, and Cubic Silicon Carbide 151 10 Diamond, Silicon, and Germanium {111}-2 x 1 Surfaces 171 11 Si(111)-7 x 7 and Ge(111)-c(2 x 8) Surfaces 196 12 Phase Transitions on Silicon and Germanium {111} Surfaces 215 13 {111} Surfaces of Compounds with Zincblende Structure 226 14 Monovalent Adatoms 232 15 Group-III Adatoms on Silicon Surfaces 296 16 Group-V Adatoms 304 17 Oxidation of Silicon and III-V Compound Semiconductors 316 18 Surface Passivation by Adsorbates and Surfactants 340 19 Semiconductor Interfaces 347 Appendix 399 References 403 Index of Reconstructions and Adsorbates 433 Subject Index 435 Semiconductor surfaces and interfaces [texte imprimé] / MONCH,Winfried  . -  3e éd. . - Berlin : Springer, 2001 . - 548 : Ill ; 24. - (Surface sciences) . ISBN : 978-3-540-67902-8 Catégories : Physique Mots-clés : Semiconducteurs Surfaces (physique) Semiconducteurs : Jonctions Chimie des surfaces Index. décimale : 537.622 Semi-conductivité (comportement réactif et phénomènes énergétiques dans les semi-conducteurs, physique de l'état solide des semi-conducteurs, physique des surfaces des semi-conducteurs, semi-conducteurs) Résumé : Les surfaces semi-conductrices et les interfaces traitent des propriétés structurelles et électroniques des surfaces et interfaces semi-conductrices. La première partie présente les aspects généraux des couches de charge spatiale, des états de surfaces indésirables à la surface propre et de l'addatom et des états d'interface. Il est suivi d'une présentation des résultats expérimentaux sur les surfaces propres et adatées qui sont expliquées en termes de concepts physiques et chimiques simples. Dans la mesure du possible, les résultats de calculs plus raffinés sont pris en considération. Cette troisième édition a été complètement révisée et mise à jour. En particulier, il comprend maintenant une discussion approfondie de la gamme de bandes dans les interfaces à semi-conducteurs. Le concept d'unification est le continuum des états d'écart induits par l'interface. Note de contenu : Contents 1 Introduction 1 2 Surface Space-Charge Region in Thermal Equilibrium 20 3 Surface States 31 4 Occupation of Surface States and Surface Band-Bending in Thermal Equilibrium 54 5 Surface Space-Charge Region in Non-Equilibrium 61 6 Interface States 75 7 Cleaved {110} Surfaces of III-V and II-VI Compound Semiconductors 93 8 {100} Surfaces of III-V, II-VI, and I-VII Compound Semiconductors with Zincblende Structure 130 9 {100} Surfaces of Silicon, Germanium, and Cubic Silicon Carbide 151 10 Diamond, Silicon, and Germanium {111}-2 x 1 Surfaces 171 11 Si(111)-7 x 7 and Ge(111)-c(2 x 8) Surfaces 196 12 Phase Transitions on Silicon and Germanium {111} Surfaces 215 13 {111} Surfaces of Compounds with Zincblende Structure 226 14 Monovalent Adatoms 232 15 Group-III Adatoms on Silicon Surfaces 296 16 Group-V Adatoms 304 17 Oxidation of Silicon and III-V Compound Semiconductors 316 18 Surface Passivation by Adsorbates and Surfactants 340 19 Semiconductor Interfaces 347 Appendix 399 References 403 Index of Reconstructions and Adsorbates 433 Subject Index 435

Exemplaires (3)

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
Fs/0694	Fs/0694-0696	Livre	Bibliothéque des sciences	Anglais	Disponible Disponible
Fs/0695	Fs/0694-0696	Livre	Bibliothéque des sciences	Anglais	Disponible Disponible
Fs/0696	Fs/0694-0696	Livre	Bibliothéque des sciences	Anglais	Disponible Disponible

---

1 (1 - 1 / 1)