Modélisation des phénomènes de transport dans les structures MOS / BOUROUB, Farid  

Public ISBD Titre : Modélisation des phénomènes de transport dans les structures MOS Type de document : texte imprimé Auteurs : BOUROUB, Farid ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2016 Importance : 1 vol. (109 f.) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Capacite MOS 4H-SiC Caracterisation electrique I(V) Modelisation Emission Fowler-Nordheim Emission Poole-Frenkel Résumé : La course a la miniaturisation des circuits integres provoque l'apparition d'un certain nombre d'eets parasites, venant degrader les caracteristiques electriques des dispositifs. Ce sont les fuites de grille croissant avec la reduction de l'epaisseur de dielectrique dans la capacite MOS. Dans ce cadre, il s'agit plus precisement de realiser des structures (capacite) MOS/4H-SiC et d'etudier le comportement electrique du systeme (SiO2=SiC) formes an d'en evaluer sa qualite, dont le but est d'acquerir une parfaite connaissance et une bonne maitrise des phenomenes de transports de courant de fuite a travers l'oxyde de grille. Aussi, dans un premier temps, a partir de cette caracterisation a temperature ambiante, dierents mecanismes de conduction a travers l'oxyde sont apparus dans dierentes gammes de champ electrique et avec la methode des moindres carres nous pouvons extraire plusieurs parametres physiques de la structure. Nous nous interessons ensuite a l'etude en temperature de l'emission Fowler-Nordheim, car il joue un r^ole dominant, notamment dans la destruction des composants, en utilisant les trois modeles proposes, le modele de Good-Muller, le modele de Snow-Lenzlinger et le modele de Pananakakis, cette etude necessite l'utilisation des methodes d'optimisation non deterministe comme la methode du recuit simule et la methode des algorithmes genetiques. Enn, nous avons etudier l'extraction des parametres physiques dans les structures reelles a base de 4H-SiC en utilisant la methode des algorithmes genetiques. Côte titre : DPH/0189 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1b-AUh_1_VfpqRA7HHg8m2t5uj2--dYyF/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf Modélisation des phénomènes de transport dans les structures MOS [texte imprimé] / BOUROUB, Farid ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2016 . - 1 vol. (109 f.). Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Capacite MOS 4H-SiC Caracterisation electrique I(V) Modelisation Emission Fowler-Nordheim Emission Poole-Frenkel Résumé : La course a la miniaturisation des circuits integres provoque l'apparition d'un certain nombre d'eets parasites, venant degrader les caracteristiques electriques des dispositifs. Ce sont les fuites de grille croissant avec la reduction de l'epaisseur de dielectrique dans la capacite MOS. Dans ce cadre, il s'agit plus precisement de realiser des structures (capacite) MOS/4H-SiC et d'etudier le comportement electrique du systeme (SiO2=SiC) formes an d'en evaluer sa qualite, dont le but est d'acquerir une parfaite connaissance et une bonne maitrise des phenomenes de transports de courant de fuite a travers l'oxyde de grille. Aussi, dans un premier temps, a partir de cette caracterisation a temperature ambiante, dierents mecanismes de conduction a travers l'oxyde sont apparus dans dierentes gammes de champ electrique et avec la methode des moindres carres nous pouvons extraire plusieurs parametres physiques de la structure. Nous nous interessons ensuite a l'etude en temperature de l'emission Fowler-Nordheim, car il joue un r^ole dominant, notamment dans la destruction des composants, en utilisant les trois modeles proposes, le modele de Good-Muller, le modele de Snow-Lenzlinger et le modele de Pananakakis, cette etude necessite l'utilisation des methodes d'optimisation non deterministe comme la methode du recuit simule et la methode des algorithmes genetiques. Enn, nous avons etudier l'extraction des parametres physiques dans les structures reelles a base de 4H-SiC en utilisant la methode des algorithmes genetiques. Côte titre : DPH/0189 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1b-AUh_1_VfpqRA7HHg8m2t5uj2--dYyF/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : pdf

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
DPH/0189	DPH/0189	Thèse	Bibliothéque des sciences	Français	Disponible Disponible

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