Titre : |
Elaboration et caractérisations de couches minces d’alliage CoCr déposées sur GaAs |
Type de document : |
texte imprimé |
Auteurs : |
Ismahane Sadoun ; Noureddine Benouattas, Directeur de thèse |
Editeur : |
Setif:UFA |
Année de publication : |
2015/2016 |
Importance : |
1 vol (37 f.) |
Mots-clés : |
Ingénierie des Matériaux |
Résumé : |
Conclusion générale:L’objet de notre étude ici, est l’étude expérimentale de quelques propriétés physiques des alliages de cobalt et de chrome en couches minces. Les films ont été déposés par évaporation sous vide sur un substrat de GaAs. Les épaisseurs de nos échantillons sont comprises entre 12 nm et 82 nm.
La caractérisation des couches ainsi obtenues a été faite par, la diffraction des rayons X (DRX) pour la caractérisation structurale, la mesure de la résistivité électrique par la technique des quatre pointes. Toutefois, la caractérisation structurale des couches minces de CoCr déposées sur un GaAs révèle que tous les échantillons sont polycristallins.
Les diffractogrammes corresponds à l’étude aux rayons X pour les films de CoCr(t=18 nm) et CoCr(t=27 nm), nous montre des pics diffractant de la phase CoAs2, dont les indices de Miller correspondants sont : (002), (320), (321) et (2̅12). La couche CoCr (82 nm), montre l’apparition des pics de la phase CoAs2 dont les indices de Miller sont : (002), (320), (321). Cependant, l’échantillon dont la couche CoCr(t=224 nm), aucun pic n’a été observé excepté les deux pics GaAs (200) et GaAs (400) du substrat. Notons aussi, qu’aucun pic de Co ou de la phase de l’alliage CoCr n’a été observé. L’apparition de la phase CoAs2, nous permet de déduire que le cobalt et l’arsenic ont inter-réagit donnant lieu à la formation de l’alliage de solution solide Co-As.
L’évolution de la taille des grains en fonction de l‘épaisseur des films CoCr déposées sur le substrat GaAs, présente une diminution globale avec l’augmentation de l’épaisseur des films. Par contre, nous avons aussi noté la croissance de la microdéformation avec l’augmentation de l’épaisseur pour tous les échantillons. La caractérisation électrique conduit à de faibles valeurs de la résistivité, et elle augmente avec l’augmentation de l’épaisseur. La plus faible valeur enregistrée de la résistivité électrique est de de 5,9.10-3 Ω.cm, pour une épaisseur de 12 nm. Cependant, la plus grande valeur enregistrée de la résistivité électrique est de 109,2.10-3 Ω.cm pour une épaisseur de 224 nm.
Enfin, on souhaite à la suite de ce travail, raffiner les résultats de façon qu’ils soient publiables essayant d’effectuer d’autres caractérisations pointues. Cependant, ce travail concernant les films CoCr reste un sujet d’actualité, bien qu’il soit ancien et maitrisé |
Côte titre : |
MAPH/0151 |
En ligne : |
https://drive.google.com/file/d/11Z4Z4R68F_Wx8f3z5xCZjXCbHCndtdRC/view?usp=shari [...] |
Format de la ressource électronique : |
pdf |
Elaboration et caractérisations de couches minces d’alliage CoCr déposées sur GaAs [texte imprimé] / Ismahane Sadoun ; Noureddine Benouattas, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2015/2016 . - 1 vol (37 f.).
Mots-clés : |
Ingénierie des Matériaux |
Résumé : |
Conclusion générale:L’objet de notre étude ici, est l’étude expérimentale de quelques propriétés physiques des alliages de cobalt et de chrome en couches minces. Les films ont été déposés par évaporation sous vide sur un substrat de GaAs. Les épaisseurs de nos échantillons sont comprises entre 12 nm et 82 nm.
La caractérisation des couches ainsi obtenues a été faite par, la diffraction des rayons X (DRX) pour la caractérisation structurale, la mesure de la résistivité électrique par la technique des quatre pointes. Toutefois, la caractérisation structurale des couches minces de CoCr déposées sur un GaAs révèle que tous les échantillons sont polycristallins.
Les diffractogrammes corresponds à l’étude aux rayons X pour les films de CoCr(t=18 nm) et CoCr(t=27 nm), nous montre des pics diffractant de la phase CoAs2, dont les indices de Miller correspondants sont : (002), (320), (321) et (2̅12). La couche CoCr (82 nm), montre l’apparition des pics de la phase CoAs2 dont les indices de Miller sont : (002), (320), (321). Cependant, l’échantillon dont la couche CoCr(t=224 nm), aucun pic n’a été observé excepté les deux pics GaAs (200) et GaAs (400) du substrat. Notons aussi, qu’aucun pic de Co ou de la phase de l’alliage CoCr n’a été observé. L’apparition de la phase CoAs2, nous permet de déduire que le cobalt et l’arsenic ont inter-réagit donnant lieu à la formation de l’alliage de solution solide Co-As.
L’évolution de la taille des grains en fonction de l‘épaisseur des films CoCr déposées sur le substrat GaAs, présente une diminution globale avec l’augmentation de l’épaisseur des films. Par contre, nous avons aussi noté la croissance de la microdéformation avec l’augmentation de l’épaisseur pour tous les échantillons. La caractérisation électrique conduit à de faibles valeurs de la résistivité, et elle augmente avec l’augmentation de l’épaisseur. La plus faible valeur enregistrée de la résistivité électrique est de de 5,9.10-3 Ω.cm, pour une épaisseur de 12 nm. Cependant, la plus grande valeur enregistrée de la résistivité électrique est de 109,2.10-3 Ω.cm pour une épaisseur de 224 nm.
Enfin, on souhaite à la suite de ce travail, raffiner les résultats de façon qu’ils soient publiables essayant d’effectuer d’autres caractérisations pointues. Cependant, ce travail concernant les films CoCr reste un sujet d’actualité, bien qu’il soit ancien et maitrisé |
Côte titre : |
MAPH/0151 |
En ligne : |
https://drive.google.com/file/d/11Z4Z4R68F_Wx8f3z5xCZjXCbHCndtdRC/view?usp=shari [...] |
Format de la ressource électronique : |
pdf |
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