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1 résultat(s) recherche sur le mot-clé 'Bande de valence
Trous
Taux de diffusion
Phonon
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Titre : Relaxation dans les semiconducteurs Type de document : texte imprimé Auteurs : Mohamed Boumaza ; Saadi Lamari, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2016 Importance : 1 vol. (166 f.) Format : 29 cm Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Bande de valence
Trous
Taux de diffusion
Phonon
Temps de relaxation de l'impulsionIndex. décimale : 530 Physique Note de contenu :
Chapitre I: Structure électronique et bandes d'énergie
-Chapitre II: Dynamique du réseau
-Chapitre III:Interaction trou-phonon dans le modèle massif des phonons
-Chapitre IV: Interaction des trous avec les phonons optiques polaires confinés et d'interfaces
-Chapitre V:Temps de relaxation de l'impulsion des trous lourds dus aux phonons optiques polairesCôte titre : DPH/0200 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1r2_e466kNbQAespZ3GiszwJh1zIRRlZB/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Relaxation dans les semiconducteurs [texte imprimé] / Mohamed Boumaza ; Saadi Lamari, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2016 . - 1 vol. (166 f.) ; 29 cm.
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Bande de valence
Trous
Taux de diffusion
Phonon
Temps de relaxation de l'impulsionIndex. décimale : 530 Physique Note de contenu :
Chapitre I: Structure électronique et bandes d'énergie
-Chapitre II: Dynamique du réseau
-Chapitre III:Interaction trou-phonon dans le modèle massif des phonons
-Chapitre IV: Interaction des trous avec les phonons optiques polaires confinés et d'interfaces
-Chapitre V:Temps de relaxation de l'impulsion des trous lourds dus aux phonons optiques polairesCôte titre : DPH/0200 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1r2_e466kNbQAespZ3GiszwJh1zIRRlZB/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0200 DPH/0200 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible