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Simulation technologique des composants électroniques à semiconducteurs (Diode et MOSFET) en utilisant le logiciel TCAD-SILVACO (ATHENA) / Belghoul ,Abderrahim
Titre : Simulation technologique des composants électroniques à semiconducteurs (Diode et MOSFET) en utilisant le logiciel TCAD-SILVACO (ATHENA) Type de document : texte imprimé Auteurs : Belghoul ,Abderrahim, Auteur ; Ouennoughi,Z, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2018 Importance : 1 vol (65 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Nmosfet
Diode
TcadIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Le logiciel TCAD permet de simuler, d’élaborer et d’optimiser des structures réels à semi-conducteur, afin d’obtenir le composant (MOSFET, diode) le plus performent. Pour atteindre cet objectif il est nécessaire de comprendre chaque appareil et les applications pour lesquelles il est utilisé, et d’apprendre et comprendre le processus de fabrication réel, et l’utilisation du logiciel destiné à la simulation.
Le travail effectué dans ce mémoire nous a permis de simuler un transistor MOSFET de type enrichissement à canal n et une diode. Ce travail fut réalisé par le biais du simulateur SILVACO- TCAD et nous a permis d’examiner les caractéristiques électriques d’une telle structure pour laquelle nous avons pu examiner les effets de la variation de certains paramètres sur ses caractéristiques électriques.Note de contenu :
Sommaire
Remerciement
Dédicace
Résumé
Introduction général 1
Chapitre. I : Etude bibliographique d’un transistor MOS et une diode.
I.1 Introduction 3
I.2 Diode, La jonction PN 4
I.2.1 La jonction PN à l’équilibre 4
I.2.2 Polarisation de la jonction en direct 5
I.2.3 Polarisation de la jonction en inverse 6
I.2.4 Effet de la température 6
I.3 MOSFET 7
I.3.1 Description du MOSFET 7
I.3.2 Mode de fonctionnement (Effet de champ et types de MOSFET) 8
I.3.3 Fonctionnement physique du NMOSFET de type enrichissement 11
I.3.3 Caractéristiques de courant-tension du NMOSFET de type enrichissement 13
I.3.5 Effet de température 16
I.4 Conclusion 16
Chapitre. II : Bases processus technologiques et numériques de fabrication des dispositifs
II.1 Introduction 17
A : processus technologique de fabrication.
II.2 Techniques de dopage 17
II.2.1 Implantation ionique 17
II.2.2. Diffusion 20
II.2.3 Déférence entre l’implantation ionique et la diffusion comme processus de dopage 24
II.3. Oxydation 25
Table de matière
II.4 Technique d’activation 27
II.4.1 Recuit rapide standard (RTP) 27
II.5 Déposition 28
II.6 Photolithographie 29
II.7 Gravure 29
B : Simulation numérique aux processus technologique de fabrication des composants.
II.8 Présentation du logiciel TCAD-SILVACO 30
II.9 Bases principe du fonctionnement du simulateur TCADSILVACO. 30
II.9.1 Equations de bases de la physique des semi-conducteurs. 30
II.9.2 Module ATHENA 32
II.9.3 DECKBUILD 33
II.9.4 TONYPLOT 33
II.9.5 Module ATLAS 34
II.10 Conclusion 35
Chapitre III : Simulation numérique des étapes technologiques de réalisation d’un MOSFET et une diode par ATHENA, et l’analyse des résultats obtenus.
III.1 Introduction 37
III.2 Simulation d’une diode 37
III.2.1 Cahier des charges de simulation d’une diode 37
III.2.2 Simulation structurelle du processus de fabrication de la diode 37
III.3. Simulation d’un MOSFET 40
III.3.1 Cahier des charges de simulation d’un MOSFET 40
III.3.2 Description du procédé technologique de fabrication MOSFET 41
III.3.3 simulation électrique par atlas 54
III.3.4 Optimisation MOSFET. 55
III.4 conclusion 64
Conclusion généra 65
BibliographieCôte titre : MAPH/0266 En ligne : https://drive.google.com/file/d/13C85cxq-A5WIHNy-5VOhkLdcYGf192lX/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Simulation technologique des composants électroniques à semiconducteurs (Diode et MOSFET) en utilisant le logiciel TCAD-SILVACO (ATHENA) [texte imprimé] / Belghoul ,Abderrahim, Auteur ; Ouennoughi,Z, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2018 . - 1 vol (65 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Nmosfet
Diode
TcadIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Le logiciel TCAD permet de simuler, d’élaborer et d’optimiser des structures réels à semi-conducteur, afin d’obtenir le composant (MOSFET, diode) le plus performent. Pour atteindre cet objectif il est nécessaire de comprendre chaque appareil et les applications pour lesquelles il est utilisé, et d’apprendre et comprendre le processus de fabrication réel, et l’utilisation du logiciel destiné à la simulation.
Le travail effectué dans ce mémoire nous a permis de simuler un transistor MOSFET de type enrichissement à canal n et une diode. Ce travail fut réalisé par le biais du simulateur SILVACO- TCAD et nous a permis d’examiner les caractéristiques électriques d’une telle structure pour laquelle nous avons pu examiner les effets de la variation de certains paramètres sur ses caractéristiques électriques.Note de contenu :
Sommaire
Remerciement
Dédicace
Résumé
Introduction général 1
Chapitre. I : Etude bibliographique d’un transistor MOS et une diode.
I.1 Introduction 3
I.2 Diode, La jonction PN 4
I.2.1 La jonction PN à l’équilibre 4
I.2.2 Polarisation de la jonction en direct 5
I.2.3 Polarisation de la jonction en inverse 6
I.2.4 Effet de la température 6
I.3 MOSFET 7
I.3.1 Description du MOSFET 7
I.3.2 Mode de fonctionnement (Effet de champ et types de MOSFET) 8
I.3.3 Fonctionnement physique du NMOSFET de type enrichissement 11
I.3.3 Caractéristiques de courant-tension du NMOSFET de type enrichissement 13
I.3.5 Effet de température 16
I.4 Conclusion 16
Chapitre. II : Bases processus technologiques et numériques de fabrication des dispositifs
II.1 Introduction 17
A : processus technologique de fabrication.
II.2 Techniques de dopage 17
II.2.1 Implantation ionique 17
II.2.2. Diffusion 20
II.2.3 Déférence entre l’implantation ionique et la diffusion comme processus de dopage 24
II.3. Oxydation 25
Table de matière
II.4 Technique d’activation 27
II.4.1 Recuit rapide standard (RTP) 27
II.5 Déposition 28
II.6 Photolithographie 29
II.7 Gravure 29
B : Simulation numérique aux processus technologique de fabrication des composants.
II.8 Présentation du logiciel TCAD-SILVACO 30
II.9 Bases principe du fonctionnement du simulateur TCADSILVACO. 30
II.9.1 Equations de bases de la physique des semi-conducteurs. 30
II.9.2 Module ATHENA 32
II.9.3 DECKBUILD 33
II.9.4 TONYPLOT 33
II.9.5 Module ATLAS 34
II.10 Conclusion 35
Chapitre III : Simulation numérique des étapes technologiques de réalisation d’un MOSFET et une diode par ATHENA, et l’analyse des résultats obtenus.
III.1 Introduction 37
III.2 Simulation d’une diode 37
III.2.1 Cahier des charges de simulation d’une diode 37
III.2.2 Simulation structurelle du processus de fabrication de la diode 37
III.3. Simulation d’un MOSFET 40
III.3.1 Cahier des charges de simulation d’un MOSFET 40
III.3.2 Description du procédé technologique de fabrication MOSFET 41
III.3.3 simulation électrique par atlas 54
III.3.4 Optimisation MOSFET. 55
III.4 conclusion 64
Conclusion généra 65
BibliographieCôte titre : MAPH/0266 En ligne : https://drive.google.com/file/d/13C85cxq-A5WIHNy-5VOhkLdcYGf192lX/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0266 MAPH/0266 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
Sorti jusqu'au 09/03/2024