Prêtable
Titre : | Composants à semiconducteurs : De la physique du solide aux transistors |
Auteurs : | Olivier Bonnaud |
Type de document : | texte imprimé |
Editeur : | Paris [France] : Editions Ellipses, 2006 |
Collection : | TechnoSup, Dirigée par : Chèze Claude |
ISBN/ISSN/EAN : | 978-2-7298-2804-2 |
Format : | VIII-241 p. / couv. en coul. ;ill. / 24 cm. |
Langues: | Français |
Langues originales: | Français |
Index. décimale : | 621.381 52 (Semi-conducteurs (dispositifs à cristaux, dispositifs optoélectroniques, miniaturisation, technologie des couches minces)) |
Catégories : | |
Mots-clés: | Transistor bipolaire ; Composants à semiconducteurs ; Diodes à jonction |
Résumé : |
L'ouvrage : niveau C (Master, ?coles d'ingénieurs)
Cours de base à Supélec, l'ouvrage enrichira les connaissances de tout étudiant, ingénieur ou enseignant en EEA, en expliquant clairement les principes et le fonctionnement des composants microélectroniques, qui sont les "briques" constituantes des circuits intégrés et des cartes de tous les systèmes électroniques. Dans une première partie orientée physique du solide et focalisée sur les matériaux semi-conducteurs, il expose les mécanismes de base de la conduction. Puis, dans une seconde partie orientée dispositifs, il décrit et explique le fonctionnement des principaux composants élémentaires de la microélectronique : diodes, transistors bipolaires, transistors MOS et à effet de champ à jonction... L'approche proposée se démarque des ouvrages classiques, en débutant par une sensibilisation aux phénomènes physiques avant d'en établir le formalisme. De nombreux exemples, exercices et problèmes corrigés confortent l'aspect pratique de l'ouvrage. |
Note de contenu : |
Sommaire :
Chapitre 1: Eléments de cristallographie Chapitre 2: Electrons dans un cristal Chapitre 3: Notions de statistique, systèmes de particules Chapitre 4: Introduction à la physique du semiconducteur Chapitre 5: Phenomenes de transport Chapitre 6: Jonction pn-diodes à jonction Chapitre 7: Le transistor bipolaire Chapitre 8: Le transistor à effet de champ à grille isolee .transistor mos Chapitre 9: Le transistor à effet de champ à jonction: transistors jfet Chapitre 10: La diode metal-semiconducteur: diode schottky |
Exemplaires (4)
Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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F8/10400 | Livre | Bibliothèque de la Faculté de Technologie | Salle des livres | Disponible |
F8/10401 | Livre | Bibliothèque de la Faculté de Technologie | Salle des livres | Disponible |
F8/10402 | Livre | Bibliothèque de la Faculté de Technologie | Salle des livres | Disponible |
F8/10403 | Livre | Bibliothèque de la Faculté de Technologie | Salle des livres | Disponible |