Prêtable
Titre : | Electronique numérique : Fonctionnement et modélisation des composants, Fabrication des circuits |
Auteurs : | Alain Deville ; Danielle Deville |
Type de document : | texte imprimé |
Editeur : | Paris [France] : Editions Ellipses, 2005 |
Collection : | TechnoSup |
ISBN/ISSN/EAN : | 978-2-7298-2323-8 |
Format : | 316 p. / ill.; couv. ill. en coul. / 24 cm. |
Langues: | Français |
Langues originales: | Français |
Index. décimale : | 621.381 5 (Circuits et composants électroniques) |
Catégories : | |
Mots-clés: | Electronique numérique ; Fabrication des circuits |
Résumé : |
L'ouvrage : niveau B (Licence)
Les circuits intégrés de l'électronique numérique, omniprésents dans notre environnement, sont construits à partir d'un nombre restreint de composants élémentaires. Ce volume décrit d'abord la scène commune à tous ces composants (schéma de bandes électroniques) et les acteurs (électrons de valence) qui s'y manifestent sous la forme d'excitations (électrons, trous). Puis il étudie le fonctionnement et la modélisation des composants en faisant certains choix propres à rendre compte de la réalité industrielle actuelle ; études parallèles de la jonction p-n et du contact métal/semi-conducteur, traitement du transistor MOS avant le bipolaire, place appréciable donnée à l'injection forte, sans négliger les hétérojonctions, Enfin sont présentées les méthodes de fabrication, les évolutions et les perspectives. L'ouvrage très précis et très documenté se caractérise par un contact étroit avec la réalité actuelle. Il s'inscrit dans un traité complet d'électronique avec deux autres ouvrages des mêmes auteurs parus dans la même collection et traitant : en amont, de la physique pour l'électronique (état quantique, onde électronique, statistique de Fermi) et en aval, des circuits spécialisés et des applications |
Note de contenu : |
Sommaire :
Chapitre 1: Présentation des chapitres 1 et 2 Chapitre 2: Solides cristallins : énergies électroniques et vibrations Chapitre 3: Electrons et trous dans un semi-conducteur Chapitre 4: Préliminaires aux chapitres 3 et 4 Chapitre 5: Contact métal/semi-conducteur, jonction p-n Chapitre 6: Capacité MOS et transitor MOS Chapitre 7: Transitor bipolaire Chapitre 8: Circuits Intégrés Chapitre 9: A1 : Etat liant, état antiliant ; covalence Chapitre 10: A2 : Semi-conducteurs : aspects statistiques Chapitre 11: A3 : Evolution de paquets d'ondes Chapitre 12: Références |
Exemplaires (2)
Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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F8/2524 | Livre | Bibliothèque de la Faculté de Technologie | Salle des livres | Disponible |
F8/2525 | Livre | Bibliothèque de la Faculté de Technologie | Salle des livres | Disponible |