Prêtable
| Titre : | Technologie et construction des circuits intégrés |
| Auteurs : | A. Berezine ; O. Motchalkina |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Moscow [Russie] : Mir Publishers, 1986 |
| Format : | 303 p. / ill.; couv. en coul. / 24 cm. |
| Langues: | Français |
| Langues originales: | Russe |
| Index. décimale : | 621.395 (Systèmes de circuits informatiques (Amplificateurs opérationnels,circuits des ordinateurs, circuits logiques,circuits intégrés)) |
| Catégories : | |
| Mots-clés: | Circuits intégrés. |
| Résumé : |
Cet ouvrage d'enseignement se compose de deux parties. La première partie décrit les
principales opérations de la technologie planar : traitements mécanique et chimique de la surface, réalisation des reliefs et des masques, obtention des jonctions n-p par diffusion et implantation ionique d'impuretés, obtention de films, réalisation des motifs par divers procédés. Les principales opérations de la technologie bipolaire et de la technologie MOS, ainsi que la réalisation des circuits intégrés à couches minces de tantale et à couches épaisses sont également analysées. La deuxième partie est consacrée à la construction des circuits intégrés, y compris de ceux à grande intégration, à base de transistors bipolaires et de transistors MOS. Elle examine l'étude des éléments, la conception de la topologie et des constructions des circuits intégrés (y compris la logique bipolaire à injection), la composition de la documentation d'étude. Une grande attention est portée à la conception automatisée des circuits à grande intégration. Les auteurs décrivent également la construction des circuits hybrides et la méthode de calcul des dimensions géométriques de leurs composants. |
| Note de contenu : |
Sommaire :
Chapitre 1: Principes de la technologie planar Chapitre 2: Traitement des substrats de silicium Chapitre 3: Dopage du silicium Chapitre 4: Croissance epitaxiale des couches de silicium Chapitre 5: Depots des couches minces Chapitre 6: Photolithographie Chapitre 7: Processus technologique de fabrication des microcircuits integres monolithiques Chapitre 8: Processus technologiques de fabrication des microcircuits integres hybrides a couches minces et epaisses Chapitre 9: Particularites de la technologie des microcircuits a grande et a tres grande echelle d'integration Chapitre 10: Objet et donnees de départ de la construction des microcircuits integres Chapitre 11: Parametres electrophysiques de la structure des diodes des microcircuits Chapitre 12: Conception des transistors bipolaires et des diodes des microcircuits integres mono-lithiques Chapitre 13: Conception des elements passifs des micro circuits integres monolithiques bipolaires Chapitre 14: Conception des elements des microcircuits integras monolithiques mos Chapitre 15: Construction des microcircuits integres monolithiques Chapitre 16: Construction des microcircuits integras hybrides Chapitre 17: Construction des microcircuits a haut niveau d'integration (lsi) |
Exemplaires (1)
| Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|
| T8/1087 | Livre | Bibliothèque de la Faculté de Technologie | Documentaire | Disponible |
