Prêtable
| Titre : | Technologies des dispositifs actifs |
| Titre de série : | Electronique |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Paris [France] : Techniques de l'ingénieur, 2012 |
| Collection : | Electronique - photonique |
| ISBN/ISSN/EAN : | 978-2-37620-130-4 |
| Format : | 423 p. / couv. en coul.; ill. / 30 cm. |
| Langues: | Français |
| Langues originales: | Français |
| Index. décimale : | 621.381 (Electronique appliquée (microélectronique)) |
| Catégories : | |
| Mots-clés: | Silicium ; Transistor Mos ; Circuits intégrés ; Nanoélectronique |
| Résumé : |
La conception des composants repose sur de solides connaissances en physique des solides, notamment celle des semi-conducteurs. Le silicium est encore le matériau le plus utilisé, mais d'autres semi-conducteurs, comme les III-V, ont conquis leur champ d'applications industrielles.
Cette base documentaire aborde la physique des solides, la technologie des semi-conducteurs, des architectures de composants, les méthodologies de conception et les logiciels d'aide associés, ainsi que les techniques de packaging des composants électroniques. Elle s'adresse à un public large d'ingénieurs et de scientifiques |
| Note de contenu : |
Sommaire :
Chapitre 1:Principes des technologies de fabrication Article 1: Classification périodique des éléments Article 2: Physique des dispositifs électroniques Article 3: Nanoélectronique : un passeport pour le nanomonde Article 4: ALD en microélectronique - Applications, équipements et productivit Chapitre 2: Technologies silicium Article 1: Technologie silicium sur isolant (SOI) Article 2: Transistor MOS et sa technologie de fabrication Article 3: Circuits intégrés CMOS sur silicium Article 4: Système complet sur une puce et réutilisation de blocs Article 5: Mémoires à semi-conducteurs Article 6: Évolution des mémoires à semi-conducteurs à accès aléatoire Article 7: ASICs et logiciels CAO associés Chapitre 3: Technologies matériaux composés Article 1: Transistors et circuits intégrés à hétérostructures (III-V) Article 2: Composants à semiconducteurs pour hyperfréquences Article 3: Matériaux semiconducteurs à grand gap : le carbure de silicium (SiC) Article 4: Dispositifs HEMT à base de GaN - Matériaux et épitaxie Article 5: Dispositifs HEMT à base de GaN - Technologie et caractérisation Article 6: Photonique sur silicium - Composants pour réseaux à fibres optiques Article 7: Technologies d'encapsulation avancées pour l'électronique organique |
| En ligne : | https://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th13/technologies-des-dispositifs-actifs-42286210/ |
Exemplaires (1)
| Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|
| F4/964 | Livre | Bibliothèque de la Faculté de Technologie | Section documentaire | Disponible |
