| Titre : | Modélisation et simulation en régimes statique et dynamique du transistor IGBT insulated-gate-bipolar-transistor |
| Auteurs : | Lynda Benbahouche, Auteur |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Sétif : Université Ferhat Abbas faculté de technologie département d’électronique, 1996 |
| ISBN/ISSN/EAN : | TS4/2671 |
| Format : | 1 vol. (81 f.) / ill. |
| Note générale : | Bibliogr. |
| Langues: | Français |
| Catégories : |
Exemplaires (2)
| Cote | Support | Localisation | Disponibilité |
|---|---|---|---|
| TS4/2671 | Thèse | Bibliothèque centrale | Disponible |
| TS4/2673 | Thèse | Bibliothèque centrale | Disponible |
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